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本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设...
该专利属于江苏德尔森传感器科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏德尔森传感器科技有限公司授权不得商用。

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