电连接结构和端子制造技术

本发明专利技术的电连接结构(30)设置有：铜构件(10)，所述铜构件(10)包含铜或铜合金；金属构件(11)，所述金属构件(11)连接至铜构件(10)并且包含比铜具有更大的离子化倾向的金属；和表面处理层(13)，所述表面处理层(13)至少设置在铜构件(10)的与连接至金属构件(11)的连接部(12)不同的部分上。表面处理层(13)包含在分子结构中具有疏水部和螯合基团的表面处理剂。因此，在其中将不同种金属相互连接的电连接结构(30)中可以抑制电蚀的发生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电连接结构和端子
本专利技术涉及与在不同种金属之间的电连接结构有关的技术。
技术介绍
作为在不同种金属之间的电连接结构，在专利文献1中公开的电连接结构是常规已知的。专利文献1公开了如下技术：通过冷焊接将包含铜或铜合金的铜端子与由铝或铝合金制成的铝单芯线连接。通过以上构造，通过金属结合使铜端子与铝单芯线在将铜端子与铝单芯线冷焊接的冷焊接面上连接。因此，预期抑制了铝单芯线在冷焊接面上的电蚀。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2006/106971
技术实现思路
技术问题然而，根据以上构造，如图13中所示，当水4附着在与冷焊接面1不同的部分中的铜端子2和铝单芯线3上时，存在所谓的腐蚀电流可能流动的担忧。将在下面解释这种腐蚀电流。首先，在铝单芯线3的与水4接触的部分，铝向铝单芯线3释放电子，且在水中作为Al3+离子溶出。由此，在铝单芯线3处生成电子。另一方面，在水4与铜端子2相互接触的部分，溶解在水4中的氧气(所谓的溶解氧)接收来自铜端子2的电子。由此，当水4为酸性时，通过溶解氧、H+离子和电子间的反应生成H2O，或者当水4为中性或碱性时，通过溶解氧、H2O和电子间的反应生成OH-离子。以这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电连接结构，包含：铜构件，所述铜构件包含铜或铜合金；金属构件，所述金属构件连接至所述铜构件并且包含具有比铜更大的离子化倾向的金属；和耐水层，所述耐水层至少形成在所述铜构件的与连接至所述金属构件的连接部不同的部分中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.18 JP 2013-029294;2013.04.05 JP 2013-079381.一种电连接结构，包含：铜构件，所述铜构件包含铜或铜合金；金属构件，所述金属构件连接至所述铜构件并且包含具有比铜更大的离子化倾向的金属；和耐水层，所述耐水层至少形成在所述铜构件的与连接至所述金属构件的连接部不同的部分中，其中所述耐水层为包含表面处理剂的表面处理层，所述表面处理剂在分子结构中具有疏水部和螯合基团，并且其中所述表面处理剂包含以下通式(1)的苯并三唑衍生物，所述苯并三唑衍生物在分子结构中具有源自芳族杂环碱的螯合基团：其中X表示疏水基团；且Y表示氢原子或低级烷基。2.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述疏水部包含烷基。3.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述由X表示的疏水基团由以下通式(2)表示：其中R1和R2各自独立地表示氢原子或具有1个～15个碳原子的烷基、乙烯基、烯丙基或芳基。4.根据权利要求3所述的电连接结构，其中所述R1和所述R2各自独立地表示具有5个～11个碳原子的直链烷基、支链烷基或环烷基。5.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述Y为氢原子或甲基。6.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述金属构件包含铝或铝合金。7.根据权利要求1所述的电连接结构，其中：所述铜构件为第一电线的第一芯线；且所述金属构件为与所述第一电线不同的第二电线的第二芯线。8.根据权利要求1所述的电连接结构，其中：所述金属构件为电线的芯线；所述铜构件为包含压接至所述芯线的线筒部的端子；并且所述表面处理层至少形成在所述线筒部的端面上。9.一种端子，其包含根据权利要求1所述的电连接结构，其中：所述端子由其中将所述铜构件和所述金属构件冷焊接的金属板材形成，并且具有包含所述铜构件的铜区域和包含所述金属构件的金属区域，所述铜区域和所述金属区域并排排列；并且所述表面处理层形成在所述铜区域中。10.根据权利要求9所述的端子，其中：所述铜区域具有利用电镀金属电镀的电镀区域，所述电镀金属具有的离子化倾向与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村秀树，平井宏树，小野纯一，大塚拓次，长谷达也，后藤和宏，细川武广，中岛一雄，沟口诚，
申请(专利权)人：株式会社自动网络技术研究所，住友电装株式会社，住友电气工业株式会社，国立大学法人九州大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP