本发明专利技术提供不含铅、砷、碲等有害物质且熔点低的玻璃料及使用该玻璃料的导电性糊剂。本发明专利技术涉及的玻璃料含有(A)Ag2O、(B)V2O5、和(C)选自MoO3、ZnO、CuO、TiO2、Bi2O3、MnO2、MgO、Nb2O5、BaO及P2O5中的至少1种第一氧化物。玻璃料优选：以氧化物换算，相对于总质量，成分(A)为40～70质量％，成分(B)为10～40质量％，成分(C)为0.5～30质量％。进而，玻璃料优选使成分(A)相对于成分(B)的质量比(Ag2O/V2O5)优选为1.8～3.2。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及不含铅、砷、锑及碲等有害物质且熔点低的玻璃料。
技术介绍
玻璃料被使用于将碳化硅（SiC)晶片等半导体器件与基板接合的晶片黏着（Die attach)材料、电极形成用导电性糊剂中。另外，玻璃料还被使用于收容集成电路器件的陶 瓷封装体、显示器件等电子部件的密封材料中。考虑到对极其敏感的粘附对象的特性，而需 要在较低温下能够粘接的晶片黏着材料、导电性糊剂或密封材料。此种能够在较低温下粘 接的晶片黏着材料、导电性糊剂或密封材料使用包含低熔点玻璃的组合物。 以往，作为低熔点的玻璃，已知Pb0_B203系的低熔点玻璃。在专利文献1中公开了 一种玻璃，其作为低软化点的玻璃而包含20~70%氧化银、10~70%的钒或钼的氧化物、 10~70%的选自磷、锗、砷、锑、铋及碲的半金属的氧化物（专利文献1)。 在专利文献2中公开了低熔点玻璃，其作为能够在比以往的Pb0-B203系的低熔点 玻璃更低温度下进行烧成的玻璃而包含Ag20 :8~20%、M〇03:20~35%、ZnO:1~6%、 Te02:30 ~55%、V205:5 ~19% (专利文献 2)。另外，作为在晶片黏着材料等中使用的玻璃，公开了例如以下的玻璃：其形成包含 以氧化物基质的质量比计约40~65%Ag20、约15~35%V205、约0~50%的选自Te02、 Pb02&Pb304中的至少1种氧化物的Ag20-V205-Te02-Pb02结晶（例如专利文献3)。专利文 献3中公开的玻璃被使用在例如收容感温性集成电路器件的陶瓷封装体中将感温性器件 在低温（例如350°C)下粘接的糊剂中。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开昭51-138711号公报 专利文献2:日本特开平8-259262号公报 专利文献3:日本特表平8-502468号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 但是，Pb0-B203系的低熔点玻璃或专利文献1~3中公开的低熔点玻璃大多情况 下包含如铅（Pb)、砷（As)、锑（Sb)、碲（Te)之类的有害物质。由于近年对环境的关注高涨 等，期望在晶片黏着材料、导电性糊剂或密封材料中使用不含有害物质的玻璃。另外，期望 在晶片黏着材料、导电性糊剂或密封材料中使用能够应用于对热极其敏感的半导体器件或 集成电路器件的低熔点玻璃。 本专利技术的课题在于对应如上所述的状况而提供不含铅、砷、锑及碲等有害物质且 熔点低的玻璃料。 用于解决课题的手段 本专利技术1涉及的是：一种玻璃料，其包含（A)Ag20、（B)V205、和（C)选自M〇03、ZnO、 CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BaO及P205中的至少 1 种第一氧化物。 本专利技术2涉及的是：根据本专利技术1的玻璃料，其还包含⑶选自Si02、A1203、SnO、 冊3及Fe203中的至少1种第二氧化物。 本专利技术3涉及的是：根据本专利技术1的玻璃料，其中，成分（C)为此03和Zn0、M〇0#P CuO、或者ZnO和CuO。 本专利技术4涉及的是：根据本专利技术1的玻璃料，其中，成分（C)为M〇03、ZnO和CuO。 本专利技术5涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（C)选自M〇03、 ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BaO及P205中的至少 1 种第一氧化物构成。 本专利技术6涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（C)选自M〇03、 ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BaO及P205中的 2 种第一氧化物构成。 本专利技术7涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、（C)选自M〇03、Zn0、 CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、Ba0&P205中的至少 1 种第一氧化物、和（D)选自Si02、 A1203、SnO、103及Fe203中的至少1种第二氧化物构成。 本专利技术8涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205和（C)M〇03构成。 本专利技术9涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（〇11〇03及ZnO 构成。 本专利技术10涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（C)MoOjCuO 构成。 本专利技术11涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（C)Zn0及CuO 构成。 本专利技术12涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、和（C)M〇03、Zn0及 CuO构成。 本专利技术13涉及的是：一种玻璃料，其实质上由（A)Ag20、（B)V205、（C)M〇03、和⑶选 自Si02、A1203、SnO、冊3及Fe203中的至少1种氧化物构成。 本专利技术14涉及的是：根据本专利技术1~13中的任一玻璃料，其以氧化物换算，相对 于总质量，成分（A)的含量为40~70质量％，成分（B)的含量为10~40质量％，成分（C) 的含量为0.5~30质量％。 本专利技术15涉及的是：根据本专利技术14的玻璃料，其以氧化物换算，相对于总质量，成 分（C)中的M〇03、ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BaO或P205的任意 1 种第一氧化物 的含量为0.5~15质量％。 本专利技术16涉及的是：根据本专利技术1~15中的任一玻璃料，其中，成分（A)相对于 成分⑶的质量比（Ag20/V205)为1. 8~3. 2。 本专利技术17涉及的是：根据本专利技术2、13~16中的任一玻璃料，其以氧化物换算，相 对于总质量，成分（D)的含量为0~15质量％。 本专利技术18涉及的是：根据本专利技术9、14~17中的任一玻璃料，其中，成分（C)的 M〇03与ZnO的质量比（M〇03 :ZnO)为 12 : 1 ~1 : 12。 本专利技术19涉及的是：根据本专利技术10、14~17中的任一玻璃料，其中，成分（C)的 皿〇03与CuO的质量比（M〇03 :CuO)为 12 : 1 ~1 : 10。 本专利技术20涉及的是：根据本专利技术11、14~17中的任一玻璃料，其中，成分（C)的 ZnO与CuO的质量比（ZnO:CuO为 12 : 1~1 : 12。 本专利技术21涉及的是：根据本专利技术12、14~17中的任一玻璃料，其中，成分（C)的 M〇03与ZnO及CuO的总量的质量比（M〇03:CuO及ZnO的总量）为12 : 1~1 : 12。 专利技术效果本专利技术能够提供不含铅（Pb)、砷（As)、锑（Sb)及碲（Te)的有害物质且熔点低的 玻璃料。本专利技术的低熔点的玻璃料具有例如300°C以下的玻璃化转变温度（Tg)、350°C以下 的晶化温度（Tc)及500°C以下的结晶再熔融温度（Tr)。本专利技术的玻璃料可以使用在晶片 黏着材料、导电性糊剂或密封材料中。【具体实施方式】 本专利技术涉及一种玻璃料，其包含（A)Ag20、（B)V205、和（C)选自Mo03、Zn0、Cu0、Ti02、 Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BaO及P205中的至少1种第一氧化物。 玻璃料优选具有以下特性的玻璃料。 (1)玻璃料的玻璃化转变温度（Tg)优选为30本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种玻璃料，其包含(A)Ag2O、(B)V2O5、和(C)选自MoO3、ZnO、CuO、TiO2、Bi2O3、MnO2、MgO、Nb2O5、BaO及P2O5中的至少1种第一氧化物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷蒙德·迪茨，马切伊·帕特尔卡，坂井德幸，山口博，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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