用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置
本专利技术涉及用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置。
技术介绍
高纯度的硅一般通过Siemens方法来生产。在这种情况下，含有氢和一种或多种含硅组分的反应气体通入到包括载体的反应器中，所述载体通过直流电流加热，Si以固体形式沉积在该载体上。作为含硅化合物，优选使用硅烷(SiH4)、一氯硅烷(SiH3Cl)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、四氯硅烷(SiCl4)或其混合物。每个载体通常由两个细丝棒和一个桥组成，所述桥通常连接相邻棒的自由端。大多数情况下所述丝棒由单晶硅或多晶硅制成，少数情况下使用金属或合金或碳。将丝棒垂直插入到位于反应器底部的电极中，借此建立电极固定器与电源的连接。高纯度的硅沉积在被加热的丝棒上和水平桥上，使得丝棒的直径随时间增加。达到想要的直径之后，停止过程。通过特定的通常由石墨制成的电极将硅棒保持在CVD反应器中。在每种情况下，两个在电极固定器上具有不同的极化电压的丝棒在另一个细棒端通过桥连接以形成闭合电路。用于加热细棒的电能由电极和其电极固定器提供。从而细棒的直径增加。...
【技术保护点】
用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置，其中在电极的电极固定器(1)和反应器的底板(3)之间的中间空间中设置密封体(2)，并且其中提供保护环(4)，所述保护环(4)径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触所述底板，或者提供罩(6)，所述罩(6)径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触电极固定器(1)，条件是如果除了保护环(4)之外，不提供其他径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)或接触电极固定器的保护体，则一体式或多块式保护环(4)横向接触电极固定器(1)并且由电绝缘材料构成，所述电绝缘材料在室温下的电阻率为大于109Ωcm，以及在室温下的导热率为大于10W/mK。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.20 DE 102013204926.91.用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置，其中在电极的电极固定器(1)和反应器的底板(3)之间的中间空间中设置密封体(2)，并且其中提供保护环(4)，所述保护环(4)径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触所述底板，并且提供罩盖(7)，所述罩盖(7)承载于电极固定器(1)上但不接触底板(3)，其中罩盖(7)设置在保护环(4)之上但不接触保护环。2.根据权利要求1所述的装置，其中罩盖(7)包含在朝底板(3)的方向下拉的边缘，使得罩盖(7)和保护环(4)在垂直方向上重叠。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中罩盖(7)和保护环(4)之间的距离是3-40mm。4.根据权利要求1所述的装置，其中罩盖(7)和底板(3)之间的距离大于5mm。5.用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置，其中在电极的电极固定器(1)和反应器的底板(3)之间的中间空间中设置密封体(2)，并且其中提供保护环(4)，所述保护环(4)径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触所述底板，并且提供罩(6)，所述罩(6)从横向和从上面都接触电极固定器(1)，其中罩(6)和底板(3)之间没有接触，其中保护环(4)相对于罩(6)横向偏移，所述保护环(4)填补罩(6)和底板(3)之间的横向间隙。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述罩(6)在垂直方向上可移动，并且保护环(4)和罩(6)由电绝缘材料构成，所述电绝缘材料在室温下的...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·克劳斯，A·黑根，C·库察，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。