一种Bi制造技术

本发明专利技术公开了一种Bi

【技术实现步骤摘要】
一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用
本专利技术涉及近红外长余辉发光材料，特别涉及一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用。
技术介绍
长余辉材料是一种能够储存能量，在激发源关闭后具有相当长时间的余辉发射的发光材料。在日光或紫外线等光源的激发下吸收外界光源的能量，并将其储存起来，关闭激发光源后，在室温下以可见光的形式释放出来，形成长余辉发光。长余辉发光材料的主要用途在早期主要是黑暗环境中的指示照明，如用于紧急通道、火险通道的指示牌及其他设备上，既节能又环保。在资源日趋紧张的现代社会，长余辉发光材料作为一种新型、环保、高效、节能的发光材料越来越受到人们的关注。目前，长余辉发光材料得到迅猛的发展，已在应急照明、特殊指示、交通标识、工艺美术等诸多领域得到广泛应用。近年来又逐渐拓展到生物标示、医学探测、信息存储、高能射线探测等应用领域。作为长余辉发光材料多色化的关键技术之一，近红外长余辉发光材料的制备与研究一直是关注的焦点。但是，近红外长余辉的发展远远落后于可见长余辉，近红外区域的发展极其缓慢。主要存在两个方面。一，由于近红外长余辉发光的发射波长范围受到限制，具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，其特征在于，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。

【技术特征摘要】
1.一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，其特征在于，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；Bi的掺杂范围为0.1mol％～5mol％，M的掺杂范围为0.1mol％～5mol％，N的掺杂范围为0.1mol％～5mol％。2.权利要求1所述的Bi2+掺杂的近红外长余辉材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1))称量物料：分别称量含锡化合物、含铋化合物、含A化合物、含M化合物、含N化合物；其中，含A化合物为含Ca化合物、含Sr化合物中的一种；所述含M化合物为含Mo化合物、含Zr化合物、含Nb化合物、含Ti化合物、含Cr化合物中的一种；所述含N化合物为含Y化合物、含La化合物中的一种；(2)步骤(1)所称量的物料经研磨混匀后在空气中1000～1300℃烧制2～8小时，得到Bi2...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱建荣，秦嬉嬉，李杨，吴达坤，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44