一种基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器制造技术

公开了一种基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，包括：充电回路、发射回路、接收回路以及电荷检测电路。本发明专利技术的雪崩效应电磁传感器，通过将发射天线集成至发射回路、将接收天线集成至接收回路，能够简化超宽带窄脉冲电磁探测系统的结构；通过在充电回路中设置电荷检测电路，能够避免雪崩效应电磁传感器对高分辨力波形采集设备的依赖。根据本发明专利技术的基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器能够降低对超宽带窄脉冲电磁探测系统的复杂程度和成本，避免对高分辨力波形采集设备的依赖，有利微型化和推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别涉及一种基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器。
技术介绍
具有雪崩效应的晶体管是产生纳秒级、亚纳秒级超宽带窄脉冲信号的常用器件， 是构成超宽带窄脉冲产生电路的核心器件。这类超宽带窄脉冲产生电路一般包含充电回 路、放电回路和触发回路，其中充电回路主要由电源、充电电阻、充放电电容等构成，放电回 路由晶体管的发射极和集电极、充放电电容等构成，触发回路则由晶体管的发射极和基极、 触发信号输入端口等构成。 由于超宽带窄脉冲信号具备有丰富的信号频谱，具有较好的穿透性及距离分辨 力，常用于探测物体及其内部特性，利用超宽带窄脉冲信号的电磁探测系统已在物体电磁 参数测量、建筑探测、安检等方面得到了应用。超宽带窄脉冲电磁探测系统一般由超宽带窄 脉冲产生电路、发射天线、接收天线、波形采集设备等组成，其中超宽带窄脉冲产生电路一 般利用屏蔽外壳将其与外界物体进行电磁隔离，超宽带窄脉冲信号通过微波电缆连接至发 射天线，并在发射天线周围空间中产生电磁场，电磁场再与周围空间中物体发生电磁耦合 作用；另一方面，超宽带窄脉冲电磁探测系统通过接收天线及波形采集器测量与物体耦合 后脉冲信号的波形，达到探测周围空间中物体及其特性的目的。 上述超宽带窄脉冲电磁探测系统得到了广泛应用，但其构成相对复杂，要求独立 的天线与连接电缆，并要求使用小于超宽带窄脉冲信号宽度的高分辨力波形采集设备，不 利于小型化、且成本相对较高。因此，上述探测系统不利于超宽带窄脉冲电磁探测系统的推 广应用。同时，现有电磁探测应用仅利用雪崩效应产生超宽带窄脉冲电磁信号，未见利用雪 崩效应进行电磁信号探测的报道。 因此，现有技术中需要一种能够解决由于超宽带窄脉冲电磁探测系统要求独立的 天线与连接电缆、并要求使用小于超宽带窄脉冲信号宽度的高分辨力波形采集设备而导致 超宽带窄脉冲电磁探测系统不利于小型化、且成本相对较高的问题的技术方案。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，具备超宽带窄 脉冲产生电路、发射天线与接收天线的功能，在雪崩效应截止过程中能够直接引入被测物 体的电磁耦合影响，并测量与电磁耦合影响程度关联的放电电荷量，进而测量雪崩效应电 磁传感器与被测物体耦合作用的强弱。根据本专利技术的雪崩效应电磁传感器避免了对高分辨 力波形采集设备的依赖，大幅降低超宽带窄脉冲电磁探测系统的成本，有利微型化和推广 应用。 根据本专利技术的基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，包括：充电回路、发射回路、 接收回路以及电荷检测电路，其中， 充电回路为由电源、充电电阻、充放电电容以及电源地组成的电路； 接收回路为由触发信号输入端口、雪崩三极管的基极以及雪崩三极管的发射极组 成的电路，用于在触发信号的激励下产生超宽带窄脉冲信号；并作为雪崩效应电磁传感器 的接收天线，接收耦合反馈的脉冲信号； 发射回路为由雪崩三极管的集电极、充放电电容以及雪崩三极管的发射极组成的 电路，作为雪崩效应电磁传感器的发射天线发射超宽带窄脉冲信号； 电荷检测电路设置于充电回路中，用于测量雪崩效应电磁传感器的放电电荷量， 并作为雪崩效应电磁传感器的输出信号端口。 优选地，电荷检测电路包括输出电阻，通过测量输出电阻两端的电压确定雪崩效 应电磁传感器的放电电荷量。 优选地，发射回路的周长Lt以及接收回路的周长k满足公式1 : Lt^ Lr<0. 15/fnax公式I式中，f_为雪崩效应电磁传感器信号的最高有效频率，单位为GHz ;Lt以及k的 单位为m。 优选地，发射回路与接收回路的几何中心间的间距D满足公式2 : 式中，Lt为发射回路的周长，d为雪崩效应电磁传感器的探测深度指标，e为贴近 雪崩效应电磁传感器的待测物体的相对介电常数。 优选地，输出电阻设置于发射回路和接收回路的外部。 优选地，输出电阻两端的电压为平均电压UTiS，雪崩效应电磁传感器单次的放电 电荷量Q放电为： 式中，&为输出电阻的电阻值；T为产生超宽带窄脉冲信号的重复周期。 优选地，输出电阻两端的电压为跳变电压UK，雪崩效应电磁传感器单次的放电 电荷量Q放电为： 式中，&为输出电阻的电阻值；R^为充电电阻的电阻值。 优选地，输出电阻同时设置于发射回路上。 优选地，发射回路包围接收回路，或者接收回路包围发射回路，或者接收回路与发 射回路不存在包围关系；雪崩三极管的连接级数为一级、两级或者多级。 优选地，发射回路的形状为椭圆形或者多边形；和/或，接收回路的形状为椭圆形 或者多边形。 本专利技术实施例的基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，包括：充电回路、发射回 路、接收回路以及电荷检测电路，接收回路用于在触发信号的激励下产生超宽带窄脉冲信 号，并作为雪崩效应电磁传感器的接收天线；发射回路作为所述雪崩效应电磁传感器的发 射天线发射所述超宽带窄脉冲信号；电荷检测电路设置于充电回路中，用于测量雪崩效应 电磁传感器的放电电荷量，并作为雪崩效应电磁传感器的输出信号端口。本专利技术的雪崩效 应电磁传感器，通过将发射天线集成至发射回路、将接收天线集成至接收回路，能够简化超 宽带窄脉冲电磁探测系统的结构；通过在充电回路中设置电荷检测电路，能够避免雪崩效 应电磁传感器对高分辨力波形采集设备的依赖。根据本专利技术的基于耦合反馈的雪崩效应电 磁传感器能够降低对超宽带窄脉冲电磁探测系统的复杂程度和成本，避免对高分辨力波形 采集设备的依赖，有利微型化和推广应用。【附图说明】 图1为本专利技术的雪崩三极管的连接级数为一级的基于耦合反馈的雪崩效应电磁 传感器的原理图； 图2为本专利技术的雪崩三极管的连接级数为两级的基于天线反馈的雪崩效应传感 器的原理图。【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举出优选实 施例，对本专利技术进一步详细说明。然而，需要说明的是，说明书中列出的许多细节仅仅是为 了使读者对本专利技术的一个或多个方面有一个透彻的理解，即便没有这些特定的细节也可以 实现本专利技术的这些方面。 现有技术中，超宽带窄脉冲产生电路一般利用屏蔽外壳将其与外界物体进行电磁 隔离，超宽带窄脉冲信号通过微波电缆连接至发射天线；超宽带窄脉冲电磁探测系统通过 接收天线及波形采集器测量与物体耦合后脉冲信号的波形。这种超宽带窄脉冲电磁探测系 统构成相对复杂，要求独立的天线与连接电缆，并要求使用小于超宽带窄脉冲信号宽度的 高分辨力波形采集设备，不利于小型化、且成本相对较高。因此，上述探测系统不利于超宽 带窄脉冲电磁探测系统的推广应用。同时，现有电磁探测应用仅利用雪崩效应产生超宽带 窄脉冲电磁信号，未见利用雪崩效应进行电磁信号探测的报道。 本专利技术通过简化超宽带窄脉冲电磁探测系统的结构并提供测量被测物体电磁耦 合影响的电路，避免了超宽带窄脉冲电磁探测系统对高分辨力波形采集设备的依赖，大幅 降低超宽带窄脉冲电磁探测系统的复杂程度和成本，有利微型化和推广应用。 图1示出了根据本专利技术的基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器的原理。下面结合 附图详细说明本专利技术实施例的技术方案。本专利技术中的雪崩三极管是指具有雪崩效应的三极 管。 根据本专利技术的基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，包括：充电回路、发射回路 6、接收回路11以及电荷检测电路。 充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于耦合反馈的雪崩效应电磁传感器，其特征在于包括：充电回路、发射回路、接收回路以及电荷检测电路，其中，所述充电回路为由电源、充电电阻、充放电电容以及电源地组成的电路；所述接收回路为由触发信号输入端口、雪崩三极管的基极以及雪崩三极管的发射极组成的电路，用于在触发信号的激励下产生超宽带窄脉冲信号；并作为所述雪崩效应电磁传感器的接收天线，接收耦合反馈的脉冲信号；所述发射回路为由雪崩三极管的集电极、充放电电容以及雪崩三极管的发射极组成的电路，作为所述雪崩效应电磁传感器的发射天线发射所述超宽带窄脉冲信号；所述电荷检测电路设置于所述充电回路中，用于测量所述雪崩效应电磁传感器的放电电荷量，并作为所述雪崩效应电磁传感器的输出信号端口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟金华，徐炯，
申请(专利权)人：钟金华，徐炯，
类型：发明
国别省市：上海;31