一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法技术

本发明专利技术公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明专利技术方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法
：本专利技术涉及红外探测器制造工艺技术，具体涉及碲镉汞红外焦平面探测器PN结的N区横向扩展宽度的测试方法。
技术介绍
：红外焦平面阵列器件是既具有红外信息获取又具有信息处理功能的先进的成像传感器，在空间对地观测、光电对抗、搜索与跟踪、已用和工业热成像以及导弹精确制导等军民用领域有着重要而广泛的应用。由于其不可替代的地位和作用，红外焦平面阵列器件制备技术被列为重点发展的高技术项目。在高级红外应用系统的大力驱动下，红外探测器技术已进入了以大面阵、小型化和多色化等为特点的第三代红外焦平面探测器的重要发展阶段。新一代红外焦平面探测器向着大面阵、长线列以及智能化方向发展。随着探测器尺寸的扩大以及光敏元集成度的不断提高，要求红外探测器光敏感元阵列的像元尺寸不断缩小。这对红外焦平面光伏探测器而言，必须通过精确控制PN结的结构尺寸，以确保高密度、小像元尺寸红外探测器仍然有高的响应率和探测率等光电性能。因此，及时精确地测量和反馈PN结横向宽度对红外探测器的设计和工艺控制非常重要。通常采用的激光束诱导电流方法，是一种能够精确测量PN结二维尺寸的方法。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，其特征包括如下步骤：1)光刻离子注入孔：在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，采用正性光刻胶光刻获得一系列不同间距的离子注入孔对，每对离子注入孔间距从0μm变化10μm；2)硼离子注入：离子能量为120‑180KeV，剂量为1×1013‑1×1015cm‑2，束流为50‑200μA，注入后在丙酮中浸泡去除光刻胶，获得一系列间距从0μm变化10μm的PN结对；3)钝化及腐蚀电极孔：采用常规CdTe和ZnS双层钝化工艺。再采用正性光刻胶光刻在每个PN注入孔上开出腐蚀电极孔，在冰点纯盐酸中腐蚀，吹干后在丙酮中浸泡钟去除光刻胶；4)金属电...

【技术特征摘要】
1.一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，其特征包括如下步骤：1)光刻离子注入孔：在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，采用正性光刻胶光刻获得一系列不同间距的离子注入孔对，每对离子注入孔间距从0μm按照1μm的变化间隔变化到10μm；2)硼离子注入：离子能量为120-180KeV，剂量为1×1013-1×1015cm-2，束流为50-200μA，注入后在丙酮中浸泡去除光刻胶，获得一系列间距从0μm变化10μm的PN结对；3)钝化及腐蚀电极孔：采用常规CdTe和ZnS双层钝化工艺，再采用正性光刻胶光刻在每个PN注入孔上开出腐蚀电极孔，在冰点纯盐酸中腐蚀，吹干后在丙酮中浸泡去除光刻胶；4)金...

【专利技术属性】
技术研发人员：周松敏，翁彬，刘丹，林春，徐刚毅，李浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31