【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域,具体涉及一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构。
技术介绍
现有电机,缺乏集成的中控设备或者中控设备智能度不高,需要大量人工操作,无法自动完成各类操作;脉冲的调制、延时调节电路结构不合理,导致双场效应管电压调节电路存在重叠的导通电压范围,进一步影响驱动电路;电机集成有位置传感器,位置传感器的可靠性低,易受到环境温度,压力等外界因素影响,进一步降低了电机的可靠性。
技术实现思路
针对上述现有技术,本专利技术目的在于提供一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构,其旨在解决现有电机存在低智能度,不合理的驱动电路结构,低可靠性且不具备极端环境耐受能力等技术问题。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案如下: 一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构,包括依次连接的MEMS传感单元:获取目标传感数据,转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟;脉冲定时调制单元:根据MEMS传感单元发出的控制时钟,进行脉宽调制,并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送;单相电机单元:根据脉冲定时调制单元电平调制信号,获得有序的驱动模式并实现有序转动; ...
【技术保护点】
一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构,其特征在于,包括依次连接的MEMS传感单元(100):获取目标传感数据,转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟Clock;脉冲定时调制单元(200):根据MEMS传感单元(100)发出的控制时钟Clock,进行脉宽调制,并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送;单相电机单元(300):根据脉冲定时调制单元(200)电平调制信号,获得有序的驱动模式并实现有序转动;脉冲定时调制单元(200)向MEMS传感单元(100)反馈数据Data;单相电机单元(300)向脉冲定时调制单元(200)反馈反电动势BEMF。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周伦,
申请(专利权)人:成都弘毅天承科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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