【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及直流无刷电机领域，具体涉及一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构。
技术介绍
现有电机，缺乏集成的中控设备或者中控设备智能度不高，需要大量人工操作，无法自动完成各类操作；脉冲的调制、延时调节电路结构不合理，导致双场效应管电压调节电路存在重叠的导通电压范围，进一步影响驱动电路；电机集成有位置传感器，位置传感器的可靠性低，易受到环境温度，压力等外界因素影响，进一步降低了电机的可靠性。
技术实现思路
针对上述现有技术，本专利技术目的在于提供一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其旨在解决现有电机存在低智能度，不合理的驱动电路结构，低可靠性且不具备极端环境耐受能力等技术问题。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，包括依次连接的MEMS传感单元：获取目标传感数据，转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟；脉冲定时调制单元：根据MEMS传感单元发出的控制时钟，进行脉宽调制，并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送；单相电机单元：根据脉冲定时调制单元电平...
【技术保护点】
一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，包括依次连接的MEMS传感单元（100）：获取目标传感数据，转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟Clock；脉冲定时调制单元（200）：根据MEMS传感单元（100）发出的控制时钟Clock，进行脉宽调制，并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送；单相电机单元（300）：根据脉冲定时调制单元（200）电平调制信号，获得有序的驱动模式并实现有序转动；脉冲定时调制单元（200）向MEMS传感单元（100）反馈数据Data；单相电机单元（300）向脉冲定时调制单元（200）反馈反电动势BEMF。
【技术特征摘要】
1.一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，包括依次连接的
MEMS传感单元（100）：获取目标传感数据，转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟Clock；
脉冲定时调制单元（200）：根据MEMS传感单元（100）发出的控制时钟Clock，进行脉宽调制，并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送；
单相电机单元（300）：根据脉冲定时调制单元（200）电平调制信号，获得有序的驱动模式并实现有序转动；
脉冲定时调制单元（200）向MEMS传感单元（100）反馈数据Data；单相电机单元（300）向脉冲定时调制单元（200）反馈反电动势BEMF。
2.根据权利要求1所述的一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，所述的MEMS传感单元（100），包括
用于时钟输出、数据处理和信号控制的FPGA：设置有MEMS传感器接口；
第一模数转换器（33）：输出端口连接FPGA，接收FPGA控制命令，向FPGA输出数字信号；
多MEMS传感器：时钟输入接口连接FPGA的MEMS传感器接口，输出端连接第一模数转换器（33）的输入端，接收FPGA的时钟序列，向第一模数转换器（33）发送传感数据。
3.根据权利要求1所述的一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，所述的脉冲定时调制单元（200），包括
调制脉冲发生器（4）：输入端连接FPGA的时钟输出端，接收FPGA控制时钟Clock；
第一反相器（5）：输入端连接调制脉冲发生器（4）的输出端；
第一可编程延时器（6）：输入端连接第一反相器（5）的输出端；
第二反相器（24）：输入端连接第一可编程延时器（6）的输出端；
第一场效应管Q1：栅极连接第二反相器（24）的输出端，源极接有电感L1；
电感L1一端为High_V；
用于消除判决延时的开关电路：与调制脉冲发生器（4）的输出端连接，与第一可编程延时器（6）的输出端连接；
第二场效应管Q2:栅极连接开关电路，漏极连接第一场效应管Q1的源极；
肖特基同步整流二极管D1：其正极连接第二场效应二极管的源极并且其负极连接第二场效应二极管的漏极；
肖特基同步整流二极管D1正极为Low_V。
4.根据权利要求3所述的一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，所述的开关电路，包括截止电路，导通电路，还包括RS触发器（31）：Q端连接第二场效应管Q2的栅极。
5.根据权利要求4所述的一种基于多MEMS传感器的单相驱动电路结构，其特征在于，所述的截止电路，包括
缓冲寄存器（7）：输入端连接第一可编程延时器（6）的输出端ID；
第一升值计数器（19）；时钟端CLK连接缓冲寄存器（7）的输出端；
第一与门（8）：输入端口连接High_V和编程序列P...
【专利技术属性】
技术研发人员：周伦，
申请(专利权)人：成都弘毅天承科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。