基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，包括：(1)按照尺寸大小，对待加工跨尺寸微结构分类，小尺寸的结构为一级结构，大尺寸的结构为二级结构，分别制作一级结构掩膜和二级结构掩膜；(2)将掩膜置于光敏印章机内，对其内的光敏印章垫进行曝光处理，先使用一级结构掩膜，曝光转印获得含一级结构的印章垫，然后基于该印章垫，使用二级结构掩膜曝光，最终获得跨尺度结构的印章垫。本发明专利技术提出的基于光敏印章的跨尺寸微制造方法，使用目前非常成熟的光敏印章作为微制造的核心模版。本发明专利技术不需要洁净间的苛刻条件，不需要绝对平整的表面、不需要昂贵的光刻技术，具有操作灵活方便，加工精度高等优点。

【技术实现步骤摘要】
基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法
本专利技术涉及一种微制造方法，尤其是涉及一种基于光敏印章的跨尺度微结构制作方法。
技术介绍
跨尺寸结构是指在较大一级尺寸结构的表面还分布着较小一级尺寸的结构，以荷叶表面为例，其表面分布有尺寸约为几十微米的凸起柱状结构，在这些柱状结构表面，又分布着微米级的微小结构。跨尺寸结构的微制造是学术界的研究热点，具有巨大的潜在应用价值，自然界中，跨尺寸结构屡见不鲜，树叶表面的微納结构，壁虎脚的多层结构即为典型代表。目前，制作跨尺寸结构的方法常见的有以下几种。基于硅材料的制造技术从微电子技术发展过来，以硅材料为制造对象，主要以光刻技术为核心，通过光刻机及掩膜在光刻胶上选择性的刻蚀出需要的图案，然后进行显影，后续进行进一步的干法或湿法刻蚀，最终获得所需要的微结构。基于硅的微制造技术主要特点是制造精度高，费用大，需要专业的整套设备，技术成熟稳定，目前仍然是批量微制造的首选方法。层层自组装法，一般通过静电力将聚阴离子和聚阳离子的不同层组装在一起。组装过程中引入纳米粒子来形成复合结构。例如在ITO玻璃表面先修饰聚电解质多层膜，然后利用电化学方法在上面沉积得到金纳米簇得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按照尺寸大小，对待加工跨尺寸微结构分类，小尺寸的结构为一级结构，大尺寸的结构为二级结构，分别制作与一级结构对应的一级结构掩膜和与一级结构对应的二级结构掩膜；(2)将掩膜置于光敏印章机内，对其内的光敏印章垫进行曝光处理，先使用一级结构掩膜，曝光转印获得含一级结构的印章垫，然后基于该印章垫，使用二级结构掩膜曝光，最终获得跨尺度结构的光敏印章垫。

【技术特征摘要】
1.一种基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按照尺寸大小，对待加工跨尺度微结构分类，小尺寸的结构为一级结构，大尺寸的结构为二级结构，分别制作与一级结构对应的一级结构掩膜和与二级结构对应的二级结构掩膜；(2)依次将一级结构掩膜或二级结构掩膜置于光敏印章机内，对光敏印章机内的光敏印章垫进行曝光处理：先使用一级结构掩膜，曝光转印获得含一级结构的印章垫，然后基于含一级结构的印章垫，使用二级结构掩膜曝光，最终获得跨尺度微结构的光敏印章垫。2.根据权利要求1所述的基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，步骤(1)中，采用激光或喷墨打印将待加工一级结构或二级结构打印到半透明的硫酸纸或菲林膜上，分别制作得到一级结构掩膜或二级结构掩膜。3.根据权利要求1所述的基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，一级结构掩膜或二级结构掩膜采用金属掩膜。4.根据权利要求1所述的基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，步骤(2)中，一级结构加工时，曝光功率为85-87W，曝光次数为7-9次；...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺永，肖箫，傅建中，吴文斌，吴燕，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33