LED承载座及其制造方法技术

一种LED承载座，包括：基板、金属层、绝缘层及反射层。金属层设于基板上且具有分离的固晶区块与环形线路区块。固晶区块与环形线路区块之间的部位定义为绝缘区。绝缘层至少设置在绝缘区上。反射层位于固晶区块上且部分覆盖绝缘层的顶面。此外，本发明专利技术另提供一种LED承载座的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种承载座，且特别是有关于一种LED承载座及其制造方法。
技术介绍
现有LED承载座是通常具有基板、介电层和金属层。介电层设置在基板上，金属层设置在介电层上。金属层的侧壁裸露，使得金属层的侧壁容易受到氧化影响，且基板制程过程中，会采用到蚀刻药水，蚀刻药水容易残留在基板内而导致LED封装结构的光衰问题。于是，本专利技术人有感上述缺失之可改善，乃特潜心研究并配合学理之运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失之本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED承载座及其制造方法，用以有效解决现有的“金属侧壁裸露”所易产生的缺失。本专利技术实施例提供一种LED承载座，用以承载至少一 LED晶片，该LED承载座包括:一基板；一金属层，设于该基板上且具有分离的一固晶区块与一环形线路区块，该固晶区块与该环形区块相距一距离，以形成一环形沟槽；一绝缘层，至少设置在该环形沟槽内；以及一反射层，设置在该固晶区块的上方且部分覆盖该环形沟槽，该至少一 LED晶片设置在该反射层上且位于该固晶区块内，该至少一 LED晶片电性连接该环形线路区块。本专利技术实施例另提供一种LED承载座，用以承载至少一 LED晶片，该LED承载座包括:一基板；一金属层，具有一第一图案且设于该基板上；以及一绝缘层，具有一第二图案且设于该基板上，该第一图案与该第二图案互补，使得该绝缘层的设置区域与该金属层的设置区域为彼此互补。本专利技术实施例又提供一种LED承载座的制造方法，包括步骤:提供一基板；于该基板上形成具有一第一图案的一金属层；以及于该基板上形成具有一第二图案的一绝缘层，该第一图案与该第二图案互补。综上所述，本专利技术实施例所提供的LED承载座及其制造方法，透过绝缘区设置绝缘层，使得金属层的侧壁不裸露，即透过绝缘层完整包覆金属层固晶区块和环形线路区块的侧壁，使金属层固晶区块侧壁不再发生裸露的情况，进而避免金属层固晶区块侧壁氧化及蚀刻药水残留所造成光衰问题。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。【附图说明】图1A为本专利技术发光二极体封装结构的第一实施例的立体示意图。图1B为图1A省略封装体时的俯视图。图2A为图1的分解示意图。图2B为图2A的LED承载座省略防焊层时的俯视图。图3为图2A的LED承载座的分解示意图。图4A为图1沿4A-4A剖线的剖视示意图。图4B为图4A中的4B区域的放大示意图。图5A为本专利技术第一实施例的步骤SllO的剖视示意图。图5B为本专利技术第一实施例的步骤S130的剖视示意图。图5C为本专利技术第一实施例的步骤S150的剖视示意图。图6为本专利技术第一实施例的变化态样的剖视示意图。图7为本专利技术第一实施例的另一变化态样的剖视示意图。图8为本专利技术发光二极体封装结构的第二实施例的立体示意图。图9为图8的分解示意图。图10为图9的LED承载座的分解示意图。图1lA为图8沿11A-11A剖线的剖视示意图。图1lB为图1lA中的IlB区域的放大示意图。图12A为本专利技术发光二极体封装结构的第三实施例的立体示意图。图12B为图12A中的LED承载座的立体示意图。图13A为本专利技术第三实施例另一实施态样的立体示意图。图13B为图13A中的LED承载座的立体示意图。图14为本专利技术发光二极体封装结构的第四实施例的立体示意图。图15为图14的分解示意图。图16为图15的承载座分解示意图。图17A为图14沿17A-17A剖线的剖视示意图。图17B为图17A中的17B区域之放大示意图。图18为本专利技术发光二极体封装结构的第五实施例的立体示意图。其中，附图标记说明如下:100LED 承载座I 基板11 贯孔2绝缘区3金属层31固晶区块311主要部位312 顶面313 侧面314温度感测部315延伸部316正极固晶区317负极固晶区32环形线路区块32P正极线路32N负极线路32a内部弧状线路32b外部弧状线路321 槽孔321a 第一槽孔321b 第二槽孔321c第三槽孔321d第四槽孔321IV 形尖点3211a 第一 V 形尖点3211b 第二 V 形尖点3211c第三V形尖点3211d第四V形尖点322 顶面323 侧面324 焊垫325 缺口33串接部34固晶区域4绝缘层41 顶面5反射层51 平面52 曲面53 开孔6防焊层61 开孔62 开孔63 开孔7吃锡焊垫8导电柱200LED 晶片300反射框400封装体【具体实施方式】第一实施例请参阅图1A至图7，其为本专利技术发光二极体封装结构的第一实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量，仅用以具体地说明本实施例的实施方式，以便于了解其内容，而非用以局限本专利技术的权利范围。请参阅图2A所示,本实施例提供一种发光二极体封装结构，包括:一 LED承载座100、装设于LED承载座100的数个LED晶片200、一反射框300、及一封装体400。其中，封装体400内可添加萤光粉，但不受限于此。以下将先就LED承载座100作一举例说明，而后再介绍LED承载座100与其他构件之间的连接关系。请参阅图2A和图3所不,本实施态样的LED承载座100包括一基板1、一金属层3、一绝缘层4、一防焊层6、及一反射层5。其中，金属层3、绝缘层4、防焊层6、及反射层5大致依序设于基板I上。再者，基板I可为金属基板和绝缘基板，当采用金属基板时，更包含一介电层(图略)设置于金属基板和金属层3之间，介电层覆盖于金属基板的板面上，且介电层边缘大致与金属基板边缘切齐。金属基板可为铝基板或铜基板，不以此为限。绝缘基板可为陶瓷基板或树脂板。所述金属层3 (如铜箔)设于基板I上且具有一第一图案，该第一图案包含分离的一固晶区块31与一环形线路区块32。其中，固晶区块31具有一位在基板I中央区域呈大圆形状的主要部位311、一呈小圆形状的温度感测部314、及连接上述主要部位311与温度感测部314的一延伸部315，上述环形线路区块32大致围绕固晶区块31的主要部位311而呈大致环状。并且环形线路区块32分别被定义为一正极线路32P与一负极线路32N。再者，上述主要部位311位于两环形线路区块32内侧，而温度感测部314则自一环形线路区块32相邻的端缘之间穿出。所述两环形线路区块32则于对应基板I两个对向角落处各形成有一焊垫324。进一步地说，每个环形线路区块32形成有两个弧形槽孔321，且所述两个环形线路区块32的四个弧形槽孔321 (即第一槽孔321a、第二槽孔321b、第三槽孔321c、第四槽孔321d)大致围绕固晶区块31的主要部位311而排列成大致环状。其中，每个弧形槽孔321可形成有V形尖点3211之设计，亦即，第一槽孔321a、第二槽孔321b、第三槽孔321c、及第四槽孔321d分别形成有第一 V形尖点3211a、第二 V形尖点3211b、第三V形尖点3211c、及第四V形尖点3211d，并且每个弧形槽孔321的V形尖点3211的开口方向皆背对固晶区块31的主要部位311。而每个弧形槽孔321的V形开口角度大致呈直角，并且所述两环形线路区块32的弧形槽孔321分别座落在四个象限，两两以通过主要部位311的圆心点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED承载座，其特征在于，用以承载至少一LED晶片，该LED承载座包括：一基板；一金属层，设于所述基板上且具有分离的一固晶区块与一环形线路区块，所述固晶区块与所述环形区块相距一距离，以形成一环形沟槽；一绝缘层，至少设置在所述环形沟槽内；以及一反射层，设置在所述固晶区块的上方且部分覆盖所述环形沟槽，所述至少一LED晶片设置在所述反射层上且位于所述固晶区块内，所述至少一LED晶片电性连接所述环形线路区块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林贞秀，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32