共平面低通滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种共平面低通滤波器，包括基板，其具有第一表面，第一表面上设有相对隔开的讯号输入端口及讯号输出端口；中心导体，包含与讯号输入端口电性连接的第一端、与讯号输出端口电性连接的第二端及中央部；二接地面，各接地面在对应中心导体的中央部处设有一凹槽；第一耦合线，具有二开路端，二开路端分别伸入二接地面的凹槽内；二第二耦合线，每个第二耦合线与中心导体之间形成一缝隙；四个第三耦合线，均具有馈入端及开路端，各第三耦合线的开路端与第一耦合线具有一间隙，可改变间隙的距离以及第一距离与第二距离来调整共平面低通滤波器的衰减特性与3-dB截止频率。所述共平面低通滤波器通过上述结构可以达到简单结构、插入损失低、衰减率高等有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种滤波器，尤其涉及一种共平面低通滤波器。
技术介绍
目前，由于芯片尺寸都系受限于被动组件而不是主动组件，因而发展微小化共平面波导(CPW)被动装置以缩小微波单片集成电路(MMICs)已成一种趋势。然而，整合于高阻值硅基板且应用于厘米波被动组件的操作频率大大受限制。共平面波导(CPW)传输线在电阻率(P)为2500 Ω-cm的高阻值硅基板上可测得在30GHz为0.1 dB/mm，显示将被动装置设在高阻值硅基板上可应用于厘米波的操作。在现有技术上，利用质子布植(proton implantat1n)将整合的共平面波导共平面低通滤波器实现在电阻率(P)为10k Ω-cm的高阻值硅基板上。然而，使用质子布植方法所形成的共平面波导(CPW)共平面低通滤波器在插入损失及衰减率等性能上仍有待改善。因此有必要设计一种共平面低通滤波器，以克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种简单结构、插入损失低、衰减率高的共平面低通滤波器。本专利技术是这样实现的: 本专利技术提供一种共平面低通滤波器，包括基板，其具有一第一表面，所述第一表面上设有相对隔开的一讯号输入端口及一讯号输出端口 ；一中心导体，其设于所述基板的第一表面上，并位于所述讯号输出端口与所述讯号输入端口之间，所述中心导体包含与所述讯号输入端口电性连接的一第一端、与所述讯号输出端口电性连接的一第二端及一中央部；二接地面，其设于所述基板的第一表面上，且分别位于所述中心导体的上下两侧，各接地面在对应所述中心导体的中央部处设有一凹槽；一第一耦合线，延伸通过所述中心导体的中央部且与所述中心导体呈垂直交叉，所述第一耦合线位于所述二接地面之间，并具有二开路端，所述二开路端分别伸入所述二接地面的凹槽内；二个第二耦合线，平行隔开设置，且相对的位于所述中心导体上下两侧，所述二个第二耦合线位于所述二接地面之间且与所述第一耦合线呈垂直交叉，每个第二耦合线与所述中心导体之间形成一缝隙；四个第三耦合线，均具有与中心导体电性连接的一馈入端及一开路端，各第三耦合线的开路端与所述第一耦合线具有一间隙，可改变所述间隙的距离来调整所述共平面低通滤波器的衰减特性与3-dB截止频率；所述中心导体上具有一第一距离参数及一第二距离参数，所述第一距离由所述第三耦合线的横向弯折段长度决定，所述第二距离由所述第三耦合线的开路端至所述第一耦合线之间距决定；通过改变所述第一距离与所述第二距离可以调整所述共平面低通滤波器的衰减特性与3-dB截止频率。进一步地，所述基板为悬浮基板、陶瓷基板、玻璃基板、玻璃纤维基板、碳氢化合物陶瓷基板、高温共烧陶瓷、低温共烧陶瓷、铁弗龙基板、铁弗龙玻璃纤维基板、铁弗龙陶瓷基板、硅基板、硅锗基板或砷化镓基板。进一步地，所述基板采用电阻率为10k Ω -cm的高阻值硅基板。进一步地，各接地面在对应讯号输入端口与讯号输出端口处分别设有一开路端残段。进一步地，所述讯号输入端口和讯号输出端口的特性阻抗值为50 Ω。进一步地，各个第三耦合线均呈L型的耦合残段。进一步地，其中二个第三耦合线分别位于所述中心导体的第一端上下两侧，另两个第三耦合线分别位于所述中心导体的第二端上下两侧；各个第三耦合线的开路端朝向第一耦合线且与第一耦合线之间形成所述间隙。本专利技术具有以下有益效果: 二个第二耦合线平行隔开设置，且相对的位于所述中心导体上下两侧，所述二个第二耦合线位于所述二接地面之间且与所述第一耦合线呈垂直交叉，每个第二耦合线与所述中心导体之间形成一缝隙；四个第三耦合线，均具有与中心导体电性连接的一馈入端及一开路端，各第三耦合线的开路端与所述第一耦合线具有一间隙，可改变所述间隙的距离来调整所述共平面低通滤波器的衰减特性与3-dB截止频率。本专利技术提供的共平面低通滤波器通过上述结构可以达到简单结构、插入损失低、衰减率高等有益效果。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例提供的共平面低通滤波器的结构示意图； 图2为本专利技术实施例提供的共平面低通滤波器的等效电路图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1，本专利技术实施例提供一种共平面低通滤波器1，所述共平面低通滤波器I的特征在于衰减特性及3-dB的截止频率均为可调整。所述共平面低通滤波器I包含一基板10，所述基板10具有一第一表面101及一第二表面102 ;所述基板10可为悬浮基板、陶瓷基板、玻璃基板、玻璃纤维基板、碳氢化合物陶瓷基板、高温共烧陶瓷、低温共烧陶瓷、铁弗龙基板、铁弗龙玻璃纤维基板、铁弗龙陶瓷基板、硅基板、硅锗基板或砷化镓基板等。本较佳实施例中，所述基板10采用电阻率为10kΩ-cm的高阻值硅基板。如图1，所述基板10的第一表面101上设有相对分隔开的一讯号输入端口 2和一讯号输出端口 3，用于提供电磁波讯号的馈入与馈出；本较佳实施例中，所述讯号输入端口2和讯号输出端口 3的特性阻抗值为50 Ω，但也可使用其它的阻抗值。如图1，所述共平面低通滤波器I进一步包含一中心导体4、一第一耦合线5、二个第二耦合线6及四个第三耦合线7 ;所述中心导体4设于基板10的第一表面101上，并位于讯号输入端口 2与讯号输出端口 3之间；中心导体4具有一第一端41、一第二端42以及位于所述第一端41和第二端42中间处的一中央部43，中心导体4的第一端41与讯号输入端口 2电性连接，第二端42与讯号输出端口 3电性连接。所述基板10的第一表面101上设有位在所述中心导体4上下两侧的一第一接地面81和一第二接地面82，所述第一接地面81和所述第二接地面82与讯号输入端口 2及讯号输出端口 3形成接地-信号-接地之共面波导结构；本较佳实施例中，各接地面在对应中心导体4的中央部43处设有一凹槽83，且各接地面在对应讯号输入端口 2与讯号输出端口 3处分别设有一开路端残段84。如图1，所述第一耦合线5延伸通过中心导体4的中央部43，且与所述中心导体4呈垂直交叉以形成并联分支；所述第一耦合线5位于第一接地面81和所述第二接地面82之间，并具有延伸在外的一第一开路端51及一第二开路端52，第一开路端51伸入第一接地面81的凹槽83内，第二开路端52伸入第二接地面82的凹槽83内。如图1，所述二个第二耦合线6平行隔开设置，且相对的于所述中心导体4上下两侦U。其中，一第二耦合线6位于中心导体4与第一接地面81之间，且与第一耦合线5呈垂直交叉，另一第二耦合线6位于中心导体4与第二接地面82之间，且与所述第一耦合线5呈垂直交叉，又各第二耦合线6具有二开路端61，且各第二耦合线6与中心导体4之间形成一串联缝隙44。如图1，各第三耦合线7均呈L型的耦合残段，且具有与中心本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共平面低通滤波器，其特征在于，包括基板，其具有一第一表面，所述第一表面上设有相对隔开的一讯号输入端口及一讯号输出端口；一中心导体，其设于所述基板的第一表面上，并位于所述讯号输出端口与所述讯号输入端口之间，所述中心导体包含与所述讯号输入端口电性连接的一第一端、与所述讯号输出端口电性连接的一第二端及一中央部；二接地面，其设于所述基板的第一表面上，且分别位于所述中心导体的上下两侧，各接地面在对应所述中心导体的中央部处设有一凹槽；一第一耦合线，延伸通过所述中心导体的中央部且与所述中心导体呈垂直交叉，所述第一耦合线位于所述二接地面之间，并具有二开路端，所述二开路端分别伸入所述二接地面的凹槽内；二个第二耦合线，平行隔开设置，且相对的位于所述中心导体上下两侧，所述二个第二耦合线位于所述二接地面之间且与所述第一耦合线呈垂直交叉，每个第二耦合线与所述中心导体之间形成一缝隙；四个第三耦合线，均具有与中心导体电性连接的一馈入端及一开路端，各第三耦合线的开路端与所述第一耦合线具有一间隙，可改变所述间隙的距离来调整所述共平面低通滤波器的衰减特性与3‑dB截止频率；所述中心导体上具有一第一距离参数及一第二距离参数，所述第一距离由所述第三耦合线的横向弯折段长度决定，所述第二距离由所述第三耦合线的开路端至所述第一耦合线之间距决定；通过改变所述第一距离与所述第二距离可以调整所述共平面低通滤波器的衰减特性与3‑dB截止频率。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，谈赛桥，
申请(专利权)人：谈赛桥，
类型：发明
国别省市：湖北;42