导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法技术

一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[ooou本专利技术设及一种用于形成有机化元件的反射电极和触控面板的配线膜等导电性 膜的银合金瓣射祀及其制造方法。 本申请基于2013年3月11日于日本申请的专利申请2013-048388号主张优先权， 并将其内容援用于此。
技术介绍
有机化元件为一种发光元件，其为在对于形成于有机化发光层两侧的阳极与阴 极之间施加电压，从阳极将空穴、从阴极将电子分别注入至有机化膜，且使用在有机化发 光层中当空穴和电子结合时发光的原理，并且，作为显示设备用发光元件近年来备受关注。 该有机化元件的驱动方式中有无源矩阵方式和有源矩阵方式。该有源矩阵方式为驱动方 式，其通过在一个像素上设置一个W上的薄膜晶体管而能够进行高速转换，因此，有利于高 对比度、高清晰度，且能够发挥有机化元件的特征。 并且，在光的提取方式中有从透明基板侧提取光的底部发光方式和从基板的相反 侧提取光的顶部发光方式，且开口率较高的顶部发光方式有利于高亮度化。 为了更有效地反射由有机化层发出的光，优选该顶部发光结构中的反射电极膜 为高反射率且耐蚀性高。并且，作为电极还优选为低电阻电极。作为该种材料已知有Ag合 金及A1合金，但为了得到更高亮度的有机化元件，从可见光反射率较高方面来看Ag合金 为优异的。其中，在形成有机化元件的反射电极膜时采用瓣射法，且使用银合金祀（专利 文献1)。 然而，伴随有机化元件制造时的玻璃基板的大型化，在形成反射电极膜时使用的 银合金祀也使用大型祀。其中，当对大型祀投入高功率而进行瓣射时，产生根据祀的异常放 电而产生的被称为"喷瓣"的现象，烙融的微粒子附着于基板上而使配线或电极之间短路， 由此存在有机化元件的成品率下降的问题。顶部发光方式的有机化元件的反射电极层 中，由于反射电极层成为有机发光层的基底层，因此要求更高的平坦性且需要进一步抑制 喷瓣。 为了解决该样的课题，在专利文献2及专利文献3中提出有一种有机化元件的反 射电极膜形成用银合金祀及其制造方法，即随着祀的大型化，即使对祀投入大功率也能够 抑制喷瓣。[000引专利文献1 ;国际公开第2002/077317号 专利文献2 ;日本专利公开2011-100719号公报 专利文献2 ;日本专利公开2011-162876号公报 通过该些专利文献2及专利文献3中所记载的反射电极膜形成用银合金祀，即使 投入大功率也能够抑制喷瓣，然而在大型的银合金祀中，随着祀的消耗，电弧放电次数增 加，并有基于电弧放电的喷瓣增加的倾向，要求进一步改善。[001引并且，除了有机化元件用反射电极膜之外，还对在触控面板的引出配线等导电性 膜中使用银合金膜也进行了研究。作为该种配线膜，若使用例如纯Ag，则产生迁移而容易发 生短路故障，因此对银合金膜的采用进行了研究。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该种情况而完成的，其目的在于提供一种能够进一步抑制电弧放电 及喷瓣的导电性膜形成用银合金瓣射祀及其制造方法。 本专利技术人们经深入研究的结果获得如下见解，即，为了进一步抑制伴随祀消耗而 增加的电弧放电次数，有效的方式是，将晶粒微细化至平均粒径小于30ym，并将晶粒粒径 的偏差抑制在平均粒径的30%W下。 基于此一见解，本专利技术的导电性膜形成用银合金瓣射祀，具有如下成分组成：含 有合计为0. 1~1.5质量％的In及Sn中的一种W上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构 成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其中，该合金的晶粒的平均粒径为1ymW上且小于 30ym，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30%W下。 In具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成长，将晶粒微细化的效果。In提高祀的硬度， 因此抑制机械加工时的翅曲。In提高W瓣射形成的膜的耐蚀性及耐热性。 Sn与In-样，具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成长，将晶粒微细化的效果。Sn提 高祀的硬度，因此抑制机械加工时的翅曲。Sn提高W瓣射形成的膜的耐蚀性及耐热性。[001引若In及Sn中的一种W上的合计含量小于0. 1质量％，则无法得到上述效果，若超 过1. 5质量％，则膜的反射率或电阻下降。 将平均粒径设为1ymW上且小于30ym是因为小于1ym的平均粒径不切实际且 导致制造成本的增加，若平均粒径在30ymW上，则难W控制结晶粒径的偏差，结果瓣射时 异常放电随着祀的消耗而增加的倾向会显著。 若平均粒径的偏差超过30%，则瓣射时异常放电随着祀的消耗而增加的倾向会显 著。 本专利技术的导电性膜形成用银合金瓣射祀，具有如下成分组成：含有合计为0. 1~ 1.5质量％的In及Sn中的一种W上、还含有合计为0. 1~2. 5质量％的訊及Ga中的一种 W上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，所述訊及 Ga是固溶于Ag的元素，其中，该合金的晶粒的平均粒径为1ymW上且小于30ym，所述晶 粒的粒径的偏差为平均粒径的30%W下。 訊及Ga具有固溶于Ag而进一步抑制晶粒成长的效果。訊及Ga进一步提高W瓣 射形成的膜的耐蚀性及耐热性。尤其是Ga提高膜的耐盐性。若其含量小于0.1质量％，贝U 无法得到上述效果，若超过2. 5质量％，则不仅膜的反射率或电阻下降，而且出现热轴时产 生破裂的倾向。 并且，本专利技术的导电性膜形成用银合金瓣射祀的制造方法，对烙炼铸造铸锭，依次 实施热轴工序、冷却工序、冷轴工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金瓣射祀，所述 烙炼铸造铸锭具有如下成分组成；含有合计为0. 1~1. 5质量％的In及Sn中的一种W上 且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中，所述热轴工序中，包含一道次W上的精热轴， 该精热轴的每一道次的轴制率为20~35 %，应变速度为3~10/sec，而道次后的温度为 400~650°C;所述冷却工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷却速度骤冷至200°CW下；所述 冷轴工序中，所有轴制道次中的每一道次的轴制率的平均值为10~30%，所有轴制道次中 的应变速度的平均值为3~10/sec，W40~80%的总轴制率进行至成为目标板厚；所述热 处理工序中，W350~550°C保持1~2小时。 并且，银合金瓣射祀的制造方法，对烙炼铸造铸锭，依次实施热轴工序、冷却工序、 冷轴工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金瓣射祀，所述烙炼铸造铸锭具有如下成 分组成：含有合计为0. 1~1.5质量％的In及Sn中的一种W上、还含有合计为0. 1~2. 5 质量％的訊及Ga中的一种W上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中，所述热轴工 序中，包含一道次W上的精热轴，该精热轴的每一道次的轴制率为20~35%，应变速度为 3~10/sec，而道次后的温度为400~650°C;所述冷却工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷 却速度骤冷至20(TCW下；所述冷轴工序中，所有轴制道次中的每一道次的轴制率的平均 值为10~30%，所有轴制道次中的应变速度的平均值为3~10/sec，W40~80%的总轴 制率进行至成为目标板厚；所述热处理工序中，W350~550°C保持1~2小时。将精热轴的每一道次的轴制率设为20~35%是因为若轴制率小于20%，则晶粒 的微细化变得不充分。若要得到超过35%的轴制率，则轴制机的负荷荷载变得过大而不切 实际。 并且，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性膜形成用银合金溅射靶，具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其特征在于，该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小见山昌三，船木真一，小池慎也，奥田圣，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP