太阳能电池组件制造技术

技术编号:12205173 阅读:235 留言:0更新日期:2015-10-14 18:51
本发明专利技术涉及一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:结晶硅晶片;一个以上非晶硅薄膜,其至少在所述结晶硅晶片的上部和下部之一设置;透明导电膜层,其设置于所述非晶硅薄膜的表面;电极,其设置于所述透明导电膜层的表面;及,分隔部,其将所述透明导电膜层分隔成与所述电极电连接的导电区域,以及与所述电极电气隔离的非导电区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种太阳能电池组件,更具体地,本专利技术涉及一种太阳能电池组件,使形成于太阳能电池组件表面并与电极连接的增透膜保持相同厚度,以此防止开路电压减少,提高填充因子(fill factor)。
技术介绍
近年来,随着用电需求的骤增,除了利用煤炭、石油等现有化石燃料的发电方式以夕卜,利用太阳能、生物能、风能、地热、海洋能、废弃物等再生能源的发电方式深受青睐。其中,对于将太阳能转化为电能的太阳能电池的开发尤其活跃。利用太阳能电池的光伏发电系统因其在将太阳能转化为电能的过程中,无需机械、化学作用,且系统结构简单,几乎不需要维护。而且,太阳能系统一经安装,可长久稳定使用,寿命长,具有环保的优点。太阳能电池具有太阳光入射的电池单元(cell),利用电池单元受到太阳光后发生光电效应并发电的特性,进行发电。近来年,为了提高太阳能电池的发电效率,正在踊跃地进行各种研宄。例如,为了降低入射到电池单元的太阳光反射率,或者具备相同大小电池单元的情况下提高入射到电池单元的太阳光的入射率,正在踊跃地进行各种研宄。尤其是,如果所述电池单元表面设置的增透膜厚度不相同时,将会减少开路电压,进而导致填充因子减少,所以需要开发一种能够解决该问题的技术。
技术实现思路
要解决的技术问题本专利技术正是为解决所述问题而提出,其目的在于提供一种太阳能电池组件,使构成太阳能电池的太阳能电池组件表面设置的增透膜保持相同厚度,防止太阳能电池组件的开路电压减少,提高填充因子。解决问题的手段为了实现所述目的,本专利技术提供一种太阳能电池组件,其特征在于包括:结晶硅晶片;一个以上非晶硅薄膜,其至少在所述结晶硅晶片的上部和下部之一设置;透明导电膜层,其设置于所述非晶硅薄膜的表面;电极,其设置于所述透明导电膜层的表面;及,分隔部,其将所述透明导电膜层分隔成与所述电极电连接的导电区域,以及与所述电极电气隔离的非导电区域。其中,所述导电区域保持相同厚度,所述电极设置于所述导电区域的表面,与所述导电区域电连接。另外,所述分隔部可由沿所述透明导电膜层边缘形成的槽构成。所述槽可由V型切割形成。此时,所述槽的深度可确定为所述透明导电膜层厚度以上。专利技术的效果根据本专利技术的太阳能电池组件,其将表面设置的增透膜分隔为厚度相同的导电区域和厚度不同的非导电区域,而将所述导电区域与电极电连接,进而防止开路电压和填充因子的减少。【附图说明】图1是显示太阳能电池动作原理的概略图。图2和图3是具备非晶硅薄膜的太阳能电池组件的剖面图。图4是具备利用太阳能电池组件聚光的聚光装置的太阳能电池概略图。图5是晶片的俯视图,其组合了太阳能电池组件的电池单元。图6是显不所述晶片上部具备掩I旲的状态的俯视图。图7和图8是沿图6所示'VI1-VII'线分割的剖面图。图9是根据另一实施例的掩膜的剖面图。图10是根据另一实施例的太阳能电池组件的侧面剖视图。图11是图10的俯视图。【具体实施方式】下面参考附图,对本专利技术的优选实施例进行详细说明。但是,本专利技术并非局限于如下所述实施例,本专利技术可以按照其他形态具体实施。相反,提供如下所述实施例的目的在于更加彻底、完整地说明本专利技术的公开内容,并向从事本专利技术所属领域的人员充分传达本专利技术的技术思想。在本专利技术的说明书中,相同的符号表示相同的构成要素。图1是概略性地显示太阳能电池组件(solar cell module)的概略图,其包括于太阳能电池,受到太阳光以后产生电。图1是太阳能电池组件的侧面剖视图。参考图1可知,太阳能电池可以定义为受到太阳光之后通过光电效率产生电的电池。如图1所示,电池(32)由N层(3)和P层(5)结合形成的PN结组成,当太阳光照射到电池单元(32)以后,将会形成空穴对。此时,由于PN结形成的电场,电子向N层(3)移动,空穴向P层(5)移动。因此,P层(5)和N层(3)之间产生电动势,当负载至所述两端的电极(34,44)时,将会有电流流动。图片中,符号'I'(未图示)相当于防止太阳光反射的增透膜。但是,所述太阳能电池存在太阳能电池的运转温度上升时所述电池单元(32)产生电的效率下降的问题。为了解决该问题,公开了图2和图3所示的异质结太阳能电池。参考图2和图3可知,异质结太阳能电池按性质区分N层和P层,具体而言,是指N层和P层由互不相同的结晶结构或不同的物质构成。参考图2可知,在异质结太阳能电池中,产生电的太阳能电池组件(100A)包括:结晶硅晶片(110);—个以上非晶硅薄膜(120,130),其至少设置于所述结晶硅晶片(110)的上部和下部之一;透明导电膜层(140),其设置于所述非晶硅薄膜(130)的表面;电极(150),其设置于所述透明导电膜层(140)的表面。在这里,可将结晶硅晶片(110)、非晶硅薄膜(120,130)和透明导电膜层(140)定义为太阳能电池的电池单元(cell)。所述结晶硅晶片(110)可由η型硅构成,在所述结晶硅晶片(110)上部形成本征(intrinsic)非晶硅薄膜(120),然后在其上部使用蒸镀设备蒸镀P型非晶硅薄膜(130)。在太阳光照射的上表面形成透明导电膜层(140),然后在其上部设置平行隔开的上电极(150),在硅晶片(110)的下面设置下电极(160)。所述图2所示的太阳能电池组件是由日本'Sanyo'开发并市售的所谓'HIT (Heterojunct1n with Intrinsic Thinfilm)电池单元太阳能电池'的结构,其在N型硅晶片(110)和P型非晶硅薄膜(130)之间,以数nm厚度插入本征非晶硅薄膜(120),与现有的图1所示太阳能电池组件相比,光电转换效率显著提高了 20%以上。另外,图3显示太阳能电池组件(100B),其在与图2类似结构的硅晶片(110)的下面设置纹理(texturing)结构和电场形成层(125)。在图3中,与图2相同的构成部分使用了相同的符号。在所述异质结太阳能电池中,太阳光入射的透明导电膜层(140)起到增透膜的作用,使太阳光入射时不被反射。此时,各个层之间使用非晶娃(amorphous)粘接,而其受工艺温度的限制。因此,图1所示太阳能电池组件中使用的氮化硅基增透膜未能使用糊电极,而是作为增透膜,使用诸如铟锡氧化物基透明导电膜层(140)。另外,太阳能电池的优点是,在将太阳能转化为电能的过程中,不会发生机械、化学作用,并且系统结构简单,几乎不需要维护,太阳能系统一经安装,可以长久使用,其寿命长,使用安全、环保。但是,其伴随的问题是,太阳能电池的前期安装费用高,特别是为了增加太阳光的入射面积而采用的大型硅晶片是增加太阳能电池前期费用的主要原因。为了解决这种问题,人们开发出了如图4所示的具有利用太阳能电池组件聚焦太阳光的聚光装置的太阳能电池。参考图4可知,太阳能电池(200)的太阳能电池组件(10(V )安装在基座(180)上,并与所述太阳能电池组件(100')间隔一定距离设置聚光装置,例如,聚光镜(210)。聚光镜(210)聚焦太阳光,使太阳光入射到下部的太阳能电池组件(100')。所述太阳能电池组件(100')和聚光镜(210)之间的距离可以根据所述聚光镜(210)的焦距适当确定,以使透过聚光镜(210)的大部分太阳光能够入射到太阳能电池组件(100'本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池组件,其特征在于包括:结晶硅晶片;一个以上非晶硅薄膜,其至少在所述结晶硅晶片的上部和下部之一设置;透明导电膜层,其设置于所述非晶硅薄膜的表面;电极,其设置于所述透明导电膜层的表面;及,分隔部,其将所述透明导电膜层分隔成与所述电极电连接的导电区域,以及与所述电极电气隔离的非导电区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:李洪宰
申请(专利权)人:TES股份有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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