动态功率管理控制制造技术

技术编号:12204115 阅读:67 留言:0更新日期:2015-10-14 17:33
示例性实施例涉及增强电子设备的功率效率。一种设备可包括功率管理模块和耦合到所述功率管理模块的射频(RF)模块。该设备还可包括耦合到所述功率管理模块和所述RF模块中的每一者并且被配置成基于一个或多个RF条件来动态地调节所述功率管理模块的至少一个设置的数字模块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】动态功率管理控制相关申请的交叉引用本申请要求于2013年2月11日提交的题为“DYNAMIC POWER MANAGEMENTCONTROL(动态功率管理控制)”的美国非临时申请S/N.13/764,350的权益,其通过援引全部明确纳入于此。
技术介绍
领域本专利技术一般涉及电子设备的功率管理。更具体地,本专利技术涉及用于基于射频性能来优化电子设备的功率效率的实施例。
技术介绍
技术进步已产生越来越小且越来越强大的移动计算设备。例如,当前存在各种移动计算设备,包括无线计算设备,诸如移动无线电话和个人数字助理(PDA)。随着技术进步,移动设备的功率效率变得日益重要且降低移动设备所使用的功率量是合乎需要的。这样的降低可以造成电池寿命延长和使用移动设备的成本降低。电子设备(诸如移动无线电话等)可包括功率管理模块,诸如功率管理集成电路(PMIC) ο PMIC可被配置成从电源接收功率且响应于电子设备内的一个或多个模块(例如,射频集成电路(RFIC))的功率需求来向它们提供经调整的功率。RFIC内的锁相环(PLL)通常对电源噪声高度敏感。这可能造成RF性能参数的降级。常规地,PMIC设置(诸如向RFIC供电的一个或多个低压差调整器(LDO)的净空电压)被静态地设置得对于最差情形射频(RF)环境而言足够高,以使得这一个或多个LDO能充分地抑制来自开关模式电源(SMPS)的噪声和毛刺。然而,静态地针对最差情形RF环境来设置LDO净空电压或其他调整器设置结果导致在RF条件改善时的功率浪费。因过剩净空电压造成的功率惩罚进一步由于来自SMPS的其他LDO次级调整中浪费的功率而倍增。存在对改善电子设备的功率效率的需求。更具体地,存在对涉及基于至少一个RF条件来动态地调节至少一个功率管理设置的实施例的需求。附图简述图1是包括功率管理模块、射频模块、以及数字模块的设备的框图。图2是根据本专利技术的示例性实施例的包括功率管理模块、射频模块、数字模块、以及功率效率优化环路的设备的框图。图3解说了根据本专利技术的示例性实施例的电子系统。图4是解说根据本专利技术的示例性实施例的方法的流程图。详细描述以下结合附图阐述的详细描述旨在作为本专利技术的示例性实施例的描述,而无意表示能在其中实践本专利技术的仅有实施例。贯穿本描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”,并且不应当一定要解释成优于或胜过其他示例性实施例。本详细描述包括具体细节以提供对本专利技术的示例性实施例的透彻理解。对于本领域技术人员将显而易见的是,没有这些具体细节也可实践本专利技术的示例性实施例。在一些实例中,公知的结构和器件以框图形式示出以免煙没本文给出的示例性实施例的新颖性。图1解说了包括耦合到射频(RF)模块106的功率管理模块102的设备100,RF模块106进而耦合到数字模块104。功率管理模块102可包括功率管理集成电路(PMIC),RF模块106可包括射频集成电路(RFIC),且数字模块104可包括数字集成电路(IC)。功率管理模块102包括耦合在电池110与多个低压差(LDO)调整器LD01-LD0N之间的开关模式电源(SMPS) 112。SMPS 112被配置成从电池110接收电压并将输出电压Vtot传达到每一低压差调整器LD01-LD0N。如本领域普通技术人员将理解的,输出电压Vtot取决于耦合到RF模块106的锁相环(PLL) 120的低压差调整器LDOl所要求的净空电压VHK。RF模块106包括耦合到混频器124的PLL 120。RF模块106还包括接收机前端(RFE) 122,它被配置成经由RF信道108和天线109接收信号。RFE 122被配置成向混频器124传达收到信号,混频器124将该信号下变频并将经下变频的信号传达给模数转换器(ADC) 126。在接收到模拟信号后,ADC 126可以将该模拟信号转换成数字信号并将该数字信号传达给数字模块104的调制解调器128。如本领域普通技术人员将领会的,PLL 120可对电源噪声高度敏感,这可造成RF性能参数(诸如误差向量幅值(EVM)以及比特差错率(BER))的降级。此外,常规地,功率管理模块102的一个或多个设置是静态地针对最差情形RF环境来配置的。例如,功率管理模块102的LDO净空电压被静态地设置以充分抑制来自SMPS 112的噪声和毛刺。然而,静态地针对最差情形RF环境设置调整器设置(例如,LDO净空电压)可能结果导致在RF环境改善(即,相对于最差情形RF环境改善)时浪费功率。另外,过剩的LDO净空电压可进一步因来自SMPS 112的其他LD0(例如,LD02-LD0N)次级调整中浪费的功率而增加功率惩ill。为了解决功率效率问题,常规电子设备已尝试使PLL噪声敏感度最小化来降低LDO净空电压。然而,降低PLL噪声敏感度通常以更高的功耗或更大的管芯面积为代价。因此,不是在LDO内部浪费功率,而是代之以在PLL内浪费功率。此外,如上所述,静态地针对不良RF条件设置LDO净空电压导致在RF环境改善时有不需要的功耗。解决功率效率问题的另一方法包括从SMPS直接向RFIC供电,并且因此移除LDO并且因而消除了 LDO内的功率浪费。然而,没有LDO来抑制噪声和/或毛刺(它们可能存在),则SMPS不能被用在脉冲-频率调制(PFM)模式中。结果,SMPS被迫使在脉宽调制(PWM)模式中运行,这在低负载电流期间可能会使效率严重降级。如将理解的,绝大多数RF模式中的负载电流处的PWM效率与PFM相比而言非常差。如本文所描述的,各示例性实施例涉及与基于一个或多个RF条件来动态地调节一个或多个功率设置相关的实施例。根据一个不例性实施例,一种设备可包括功率管理模块和耦合到该功率管理模块的射频(RF)模块。该设备还可包括耦合到该功率管理模块和该RF模块中的每一者并且被配置成基于一个或多个RF条件来动态地调节该功率管理模块的至少一个设置的数字模块。根据另一示例性实施例,本专利技术包括用于优化电子设备的功率效率的方法。这样的方法的各种实施例可包括接收一个或多个射频(RF)条件并基于该一个或多个RF条件来动态地调节至少一个功率管理设置。本公开的又一示例性实施例包括存储指令的计算机可读介质存储,这些指令在由处理器执行时使该处理器执行根据本文描述的一个或多个实施例的指令。即使考虑随后的描述、所附的附图以及附加的权利要求,本专利技术的其他方面以及各种方面的特征和益处对于本领域技术人员来说将会是显而易见的。图2解说了根据本专利技术的一示例性实施例的设备200。设备200包括耦合到射频(RF)模块206的功率管理模块202,RF模块206进而耦合到数字模块204。仅作为示例,功率管理模块202可包括功率管理集成电路(PMIC)且RF模块206可包括射频集成电路(RFIC) ο此外,数字模块204可包括数字集成电路(1C)。功率管理模块202包括耦合到多个低压差调整器LDO1-LDON的开关模式电源(SMPS) 212ο如图2所解说的,SMPS 212被配置成向每一低压差调整器LD01-LD0N传达输出电压V.。如上所述,SMPS 212的输出电压Vtm可依赖于低压差调整器LDOl所需的净空电压VHK,低压差调整器LDOl耦合到RF模块206的PLL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备,包括:功率管理模块;耦合到所述功率管理模块的射频(RF)模块;以及耦合到所述功率管理模块和所述RF模块中的每一者并且被配置成基于一个或多个RF条件来动态地调节所述功率管理模块的至少一个设置的数字模块。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:H·M·帕特尔T·R·萨顿F·波苏C·M·罗索沃夫斯基H·D·欧西
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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