本实用新型专利技术公开了一种音箱，包括箱体，箱体内包括隔板、扬声器、无源辐射器和倒相管，所述箱体由隔板分为第一侧腔和第二侧腔，所述无源辐射器安装于隔板，所述扬声器安装于用于形成所述第一侧腔的箱体的侧板，所述倒相管安装于用于形成所述第二侧腔的箱体的侧。本实用新型专利技术提供一种既能提升低频的响应，又能降低低频的重放下限的音箱。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及音响设备领域，尤其涉及音箱。
技术介绍
在音响产品中，传统的音箱设计有三种:封闭式音箱、倒相式音箱和无源辐射器音箱。请参阅附图1至图3，分别为这三种传统音箱的示意图。每种音箱的设计方式不同，音质效果也个不相同，成本也是不相同。在相同的腔体容积下，传统的三种音箱设计都存在一定的缺陷。参见图1所不，封闭式音箱将扬声器61的前向福射声波和后向福射声波完全隔离，可以避免声短路导致低频减弱，但是，封闭式音箱通常需要腔体容积与扬声器61的TS参数中的等效容积Vas —致，否则会造成低频整体量感内部的等效力阻增加，从而导致音箱的低频重放下限升高，低频段频响特性变差，无法得到较好的低音体验。而现有技术中，若要加强封闭式音箱低频的整体量感，须通过前端增加DSP(Digital Signal Processor,数字信号处理器)对低频的电性能进行调整，大幅度提升低频段的频率响应，但增加DSP会带来成本的大幅增加。参见图2所示，倒相式音箱利用赫姆霍兹共振原理，将扬声器62后向辐射声波经倒相管倒相后，将出声口福射到扬声器62前方，与扬声器62的前向福射声波同相叠加，从而得到比封闭式音箱更低的低频重放下限。但是，倒相式音箱对扬声器的Q值(又称为阻尼系数)有严格的条件限制，特定的Q值才能发挥好倒相箱的特性，同时，倒相箱由于倒相管的存在，会导致气流声、风噪声，从而导致声音的听感变差，给消费者带来不好的体验。参见图3所示，无源辐射器音箱则可以避免倒相式音箱产生的不稳定的声音，同时也相比封闭式音箱降低了扬声器63低频的重放下限，但是，无源辐射器箱通常效率较低，低频的响应不如倒相式音箱，而且瞬态响应不佳，同样会带来不好的用户体验，同时因为无源辐射器重量分布问题还可能带来振动不平衡。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种既能提升低频的响应，又能降低低频的重放下限的音箱。为实现上述目的，本技术提供一种音箱，包括箱体，箱体内包括隔板、扬声器、无源辐射器和倒相管，所述箱体由隔板分为第一侧腔和第二侧腔，所述无源辐射器安装于隔板，所述扬声器安装于用于形成所述第一侧腔的箱体的侧板，所述倒相管安装于用于形成所述第二侧腔的箱体的侧板。优选地，安装有所述扬声器的侧板与安装有所述倒相管的侧板相对设置。优选地，安装有所述扬声器的侧板与安装有所述倒相管的侧板均与所述隔板平行。优选地于，所述扬声器开口设置于箱体表面。优选地，所述第一侧腔与所述第二侧腔对称设置。优选地，所述扬声器、所述无源辐射器和所述倒相管在高度上错位设置。优选地，所述扬声器、所述无源辐射器和所述倒相管在高度上从上到下依次设置。优选地，所述扬声器、所述无源辐射器和所述倒相管从上到下等间隔设置。本技术结合了倒相式音箱和无源辐射器音箱的优势方式。首先根据无源辐射器音箱的特性设计出无源辐射器，然后再增一个独立腔体，并根据无源辐射器音箱的整体声学特性，增加一个可以提升低频效果的倒相管。整体上的结合，既可以结合两者的优点:无源辐射器音箱的高效率，以及倒相式音箱的低频重放下限；同时又可以避免两者的缺点:无源辐射器音箱的低频响应不佳，以及倒相式音箱的气流声、风噪声等。【附图说明】图1为现有技术中封闭式音箱的结构示意图；图2为现有技术中倒相式音箱的结构示意图；图3为现有技术中无源辐射器音箱的结构示意图；图4为本技术音箱的结构示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。【具体实施方式】应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术提供一种音箱，如图4所示，包括箱体1，箱体I内包括隔板5、扬声器2、无源辐射器3和倒相管4，箱体I由隔板5分为第一侧腔11和第二侧腔12，无源辐射器3安装于隔板5，扬声器2安装于用于形成第一侧腔11的箱体I的侧板，倒相管4安装于用于形成第二侧腔12的箱体I的侧板。本技术结合了倒相式音箱和无源辐射器3音箱的优势方式。首先根据无源辐射器3音箱的特性设计出无源辐射器3，然后再增一个独立腔体，并根据无源辐射器3音箱的整体声学特性，增加一个可以提升低频效果的倒相管4。整体上的结合，既可以结合两者的优点:无源辐射器3音箱的高效率，以及倒相式音箱的低频重放下限；同时又可以避免两者的缺点:无源辐射器3音箱的低频响应不佳，以及倒相式音箱的气流声、风噪声等。具体地，本技术的扬声器2符合以下方程式:fs= (Iz^MMmsCms)-"2;Qts= (2* Ji s*Mms*Re) / ((BL) 2+Re*Rm)；Vas= P 0C02CfflS；其中，仁为扬声器2的谐振频率，Q 13为扬声器2电Q值，V心为扬声器2的等效容积，Mms为扬声器2震动系统等效质量，Cms为扬声器2的力顺，Re为扬声器2直流电阻，RmS扬声器2等效质量，B为扬声器2磁隙中的磁通密度，L为音圈导线在磁隙中的有效长度，P。为空气密度，C。为常温下声速度。符合上述方程式要求的扬声器2，发声稳定、低频效果较好，同时，基于上述扬声器2的方程式，设计者能快捷地设计出或选择合适的扬声器2，减少扬声器2在设计中或选择中对经验的依赖，提高设计效率。进一步地，本技术的无源辐射器3符合以下方程式:fp= (1/2 Ji)* (MpCpm)-"2;其中，fp为无源辐射器3的谐振频率，Mp为无源辐射器3的力顺，Cpm为无源辐射器3的附加质量。符合上述方程式要求的无源辐射器3，具有良好的低音表现，且在与扬声器2频率匹配时，即理想状态下，fs与fp相等，无源辐射器3能够很好底调整音箱整体的音色，使音箱整体具有更好的低音表现。进一步底，本技术的倒相管4符合以下方程式:Lb= 2.25*10 3*d2/ (fp2*Vb) -0.85d ；其中，Lb为倒相管4的长度，d为导向管的直径，Vb为无源辐射器3外部的有效容积。在扬声器2和无源辐射器3基础上，倒相管4还符合上述方程式，使扬声器2的辐射效率得以提高，从而扩展了音箱的低频响应，提升低频音效。当然，倒相管4在具体的设计过程中，应先确定Lb和d中的一个数字，同时Vb也是已知值，以便于计算出另一个数值。应当说明的是，本技术实施例中，按照图4中所建立的XY坐标系定义:位于X轴正方向的一侧定义为上方，位于X轴负方向的一侧定义为下方；位于Y轴正方向的一侧定义为左方，位于Y轴负方向的一侧定义为右方。参见图4所示，第一侧腔11与第二侧腔12左右设置，第一侧腔11与第二侧腔12还对称设置，进一步，安装有扬声器2的侧板与安装有倒相管4的侧板相对设置，且均与所述隔板平行这种设置使得音箱的结构更为合理，且在对称的设置也便于生产。继续参见图4所示，扬声器2开口设置于箱体I表面，扬声的前向辐射声波能够直接传播出去，减少声波的衰减。继续参见图4所示，本技术中扬声器2、无源辐射器3和倒相管4从左到右设置，进一步地，扬声器2、无源辐射器3和倒相管4在高度上错位设置，有利于使无源辐射器3和倒相管4的声波迟滞于扬声器2的声波，从而提高音箱的低音效果。具体地，本实施中扬声器2、无源辐射器3和倒相管4从上到下依次设置，且等间隔设置，有利于进一步提高音箱的低音效果。以上仅为本技术的优选实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种音箱，包括箱体，其特征在于，箱体内包括隔板、扬声器、无源辐射器和倒相管，所述箱体由隔板分为第一侧腔和第二侧腔，所述无源辐射器安装于隔板，所述扬声器安装于用于形成所述第一侧腔的箱体的侧板，所述倒相管安装于用于形成所述第二侧腔的箱体的侧板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕周谨，刘涛，
申请(专利权)人：TCL通力电子惠州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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