一种可控硅式的发射装置制造方法及图纸

一种可控硅式的发射装置，属于遥控技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，由电池、控制开关、可控硅型控制电路、NPN管控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成。编码集成电路的第一变位端与第一变动码连接可控硅型控制电路的输出，NPN管控制电路的输入连接可控硅型控制电路的输出，编码集成电路的第二变位端与第二变动码连接NPN管控制电路的输出，编码集成电路的输出连接射频电路，当控制开关接通电池，发射装置带电，可控硅型控制电路与NPN管控制电路起动，控制编码集成电路的变动码与变位端，达到变码发射目的的同时，形成接收输出的唯一性，为研究发射技术提出新的思路与方向。

【技术实现步骤摘要】

属于遥控

技术介绍
无线电编码技术，是本企业研宄的重点项目，也是一种系列研宄项目。之所以成为系列研宄，原因一是，应用很广，其二是，从保密的角度，现有的编码技术是一种方向的研宄，而本技术是另一方向的研宄，因而能有更好的保密效果，其三是，本技术是将具有三态状态的固定码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以提出创新的方案，形成系列保护。遥控编码发射技术，是一种应用极广泛的电子技术，在群众的生活中十分广泛地出现，在民用中小到玩具类，大到家电中的保安都广泛地使用了遥控发射。任何一个产品，好生产都是优秀产品的一个重点，对于遥控产品来说，密级是关键，但是如果增加了密级而使线路变得复杂，不能批量生产，显然是不可取的，就如普通的三态编码集成电路来说，为了增加密级，一种办法就是增加编码的位数，编码的位数越多，密级就相对更高，但是一块编码块只有8位地址码，4位数据输入端，所以要增加其编码的位数，必定会增加编码块，但是这样的缺点是，体积会增大，对于已有的遥控盒而言，显然不可取，如果是密级较高的滚动码，它本身技术难度就大，且成本高，对于微型企业而言，显然不在易生产的范围内，因此如何既能提升编码密级，线路又简单易生产，这是遥控技术的一个难题。要解决这个难题，不能依照原始的思路来研宄，必须突破传统的思维方式，开辟新的途径，用另一种思路朝另一个方向去实践，将两种编码的优点相结合，但如何才能将两种编码的集成线路的优点结合在一起，就成为了科研人员一种思考，也成为了本企业科研人员的重大课题。为此，本技术的主要的指导思想是，研制一种新的编码集成电路，其集成电路的特点一是在单独使用时，也具很高的防破解能力，二是当它与滚动码组合使用时，能起到强强联合的最佳效果。三是具有较低的造价，从而丰富发射编码技术。从而将具有三种状态的普通编码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以本企业作了系统创新，提出系统的专利技术方案，成为系列的保护体系。
技术实现思路
本技术的主要目的是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，是采用可控硅与外围件形成一种特殊的两次变换控制电路，运用NPN管的饱和与截止，共同控制编码集成电路地址码中的变动码与数据输入端中的变位端，达到双码发射目的的同时，形成接收输出的唯一性，成为一种新型的高密级编码集成电路，为研宄另类发射提供了广阔的空间。其变换控制电路的功能一是能进行两次变换，二是具有初始状态，因而在两次变换中具有时序性，这两点特性对于提高密级都是十分有意义的。此外变换控制电路的一大亮点是，只含一个有源件可控硅，且线路简洁，因而可靠性高。本技术提出的措施是:1、一种可控硅式的发射装置由电池、控制开关、可控硅型控制电路、NPN管控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成。其中:电池的负极接一种可控硅式的发射装置的地线，电池的正极接控制开关的一端，控制开关的另一端为一种可控硅式的发射装置的电源。编码集成电路有8位地址码，其中有两位接为变动码，其余接为固定码。编码集成电路中有4位数据输入端，其中两位接为变位端。可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成。积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成。阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间，积分电阻的一端接可控硅的阳极，另一端接积分电容的正极，积分电容的负极接地线，放电二极管的正极接在积分电容的正极上，负极接在可控硅的阳极上，门坎稳压管的正极接积分电容的正极，门坎稳压管的负极接可控硅的控制极，可控硅的阴极接地线，可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出，连接编码集成电路的一位变动码与一位变位端，这位变动码即为第一变动码，这位变位端即是第一变位端。NPN管控制电路由基极控制电阻与NPN三极管组成:基极控制电阻的一端连接可控硅型控制电路的输出，另一端接NPN三极管的基极，NPN三极管的发射极接地线，集电极即是NPN管控制电路的输出，连接编码集成电路的另一位变动码与另一位变位端，这位变动码即是第二变动码，这位变位端即为第二变位端，第二变动码与电源之间接一个电阻。编码集成电路的输出连接射频电路。2、可控硅型控制电路中的阳极电阻的功率大于积分电阻的功率。3、可控硅为单向可控硅。4、NPN 三极管采用 8050。5、编码集成电路的固定码接地线，或是一部分接地线，另一部分悬浮。措施总述无线电编码技术，是本企业研宄的重点项目，也是一种系列研宄项目。之所以成为系列研宄，原因一是，应用很广，其二是，从保密的角度，现有的编码技术是一种方向的研宄，而本技术是另一方向的研宄，因而能有更好的保密效果，其三是，本技术是将具有三态状态的固定码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以提出创新的方案，形成系列保护。而本措施的重点是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，是采用可控硅与外围件形成一种特殊的两次变换控制电路，运用NPN管的饱和与截止，共同控制编码集成电路地址码中的变动码与数据输入端中的变位端，达到双码发射目的的同时，形成接收输出的唯一性，成为一种新型的高密级编码集成电路，为研宄另类发射提供了广阔的空间。其变换控制电路的功能一是能进彳丁两次变换，一是具有初始状态，因而在两次变换中具有时序性，这两点特性对于提高密级都是十分有意义的。此外变换控制电路的一大亮点是，只含一个有源件可控硅，且线路简洁，因而可靠性高。对本措施进一步解释如下:一、编码集成电路的第一变动码的变换原理。可控硅型控制电路是形成变码的基础电路，也是直接控制第一变动码的控制电路，，对可控硅型控制电路的解释如下:1、本措施形成的原理是，可控硅型控制电路的输出连接了编码集成电路的第一变动码，因而形成了这样的发射原理:每次发射编码时，编码集成是发射了两次编码，而且两次编码是有时序的，从而将普通的固定编码提升为了一种高密级编码。在现代的技术中，作案者可以借助于一种扫码器(既是按一定规律发出不同的编码的发射器)严密地试探地破解出密码。在滚动码中，仅管其发出的编码是变化的，且数量很多，但是因为发射时是一次编码，所以在理论上仍然存在破解的概率。而由于本专利技术对应的接收必须要要收到两次编码才能破解，所以按一次编码的规律破解，其破解概率显然为零，所以形成了另一种的高密级的方向研宄。2、本措施中，可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成。组成后的电路具有以下功能:一是能进彳丁两次变换，一是具有初始状态，因而在两次变换中具有时序性，这两点特性对于提高密级都是十分有意义的。此外该线路的一大亮点是，只含一个有源件可控硅，且线路简洁，因而可靠性高。3、形成两次变换的原理，当发射开关闭合时，可控硅因为未受到触发所以为截止状态，此时阳极输出高位。成为第一种状态。这时可控硅的通过阳极电阻，积分电阻，向积分电容充电，当积分电容的电压高个门坎电压后，对可控硅控制极触发，可控硅饱和，并形成自保持，变为低位，成为第二种状态。这两种状态分别为第一变动码的码状态。4、门坎稳压管即是门坎电压，因此状态的时间长短可以调该稳压管值，也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅式的发射装置，其特征是：由电池、控制开关、可控硅型控制电路、NPN管控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成；其中：电池的负极接一种可控硅式的发射装置的地线，电池的正极接控制开关的一端，控制开关的另一端为一种可控硅式的发射装置的电源；编码集成电路有8位地址码，其中有两位接为变动码，其余接为固定码；编码集成电路中有4位数据输入端，其中两位接为变位端；可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成；积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成；阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间，积分电阻的一端接可控硅的阳极，另一端接积分电容的正极，积分电容的负极接地线，放电二极管的正极接在积分电容的正极上，负极接在可控硅的阳极上，门坎稳压管的正极接积分电容的正极，门坎稳压管的负极接可控硅的控制极，可控硅的阴极接地线，可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出，连接编码集成电路的一位变动码与一位变位端，这位变动码即为第一变动码，这位变位端即是第一变位端；NPN管控制电路由基极控制电阻与NPN三极管组成：基极控制电阻的一端连接可控硅型控制电路的输出，另一端接NPN三极管的基极，NPN三极管的发射极接地线，集电极即是NPN管控制电路的输出，连接编码集成电路的另一位变动码与另一位变位端，这位变动码即是第二变动码，这位变位端即为第二变位端，第二变动码与电源之间接一个电阻；编码集成电路的输出连接射频电路。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨远敏，
申请(专利权)人：重庆尊来科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85