【技术实现步骤摘要】
在一个方面中，提供了用于制造多层纳米结构材料复合物的方法，以及通过这样 的方法制造的装置。在另一个方面中，提供了包括使用饰面含氟层来帮助纳米结构材料层 的转移的方法，以及通过这样的方法制造的装置。 专利技术背景 包括量子点（QD)系统的纳米结构材料已被用于大量的应用中，包括发光装置、太 阳能电池、光电设备、晶体管、显示设备等。包括量子点的纳米结构材料为具有纳米晶体结 构并足够小以显示量子力学特性的半导体材料。参见美国专利申请US2013/0056705和美 国专利US8039847。 用于制造量子点装置的特定方法已被记载。对于多种不同的应用来说，包括制造 包括量子点的更加复杂的装置，仍存在着改善制造工艺的需求。 专利技术概述 我们现在提供用于制造纳米结构材料系统的改进方法，以及通过这样的方法制造 的装置。如在这里所讨论的，术语纳米结构材料包括量子点材料以及包含一个或多个异质 结、例如异质结纳米棒的纳米晶体纳米颗粒（纳米颗粒）。 更特别地，在第一方面中，提供了用于制造纳米结构材料复合物或叠层的方法，包 含： (a)在第一基底上提供多层复合物，其包含1)纳...
【技术保护点】
一种制造纳米结构材料复合物的方法，包含：(a)在第一基底上提供多层复合物，所述多层复合物包含1)纳米结构材料层和2)不同于纳米结构材料层的一个或多个额外的层；(b)将多层复合物转移至第二基底。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·沈，N·吴，Y·翟，S·南，J·A·罗杰斯，B·H·金，S·Y·杨，P·特雷弗纳斯，K·德什潘德，J·周，J·J·张，朴钟根，
申请(专利权)人：伊利诺斯州立大学托管会，罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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