【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及体温发电
，具体为一种可为小型电子元件供电的温差发电腰带。
技术介绍
塞贝克(Seebeck)效应，又称作第一热电效应，它是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。在两种金属A和B组成的回路中，如果使两个接触点的温度不同，则在回路中将出现电流，称为热电流。相应的电动势称为热电势，其方向取决于温度梯度的方向。一般规定热电势方向为:在热端电流由负流向正。塞贝克效应的实质在于两种金属接触时会产生接触电势差(电压)，该电势差取决于两种金属中的电子溢出功不同及两种金属中电子浓度不同造成的。半导体的温差电动势较大，可用作温差发电器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可为小型电子元件供电的温差发电腰带，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种可为小型电子元件供电的温差发电腰带，导热物质层、导电连接层、吸热物质层、N型半导体、P型半导体和密封层，所述密封层的左右两侧均设置有松紧带，所述松紧带的右下端安装有卡头，所述卡头的右下端安装有插头，所述导电连接层安装在密封层...
【技术保护点】
一种可为小型电子元件供电的温差发电腰带，导热物质层(4)、导电连接层(5)、吸热物质层(6)、N型半导体(7)、P型半导体(9)和密封层(10)，其特征在于：所述密封层(10)的左右两侧均设置有松紧带(3)，所述松紧带(3)的右下端安装有卡头(2)，所述卡头(2)的右下端安装有插头(1)，所述导电连接层(5)安装在密封层(10)的内部左右两侧，所述N型半导体(7)安装在吸热物质层(6)的中部，所述导热物质层(4)与吸热物质层(6)之间安装有隔热层(11)，所述P型半导体(9)安装在导热物质层(4)的中部，所述隔热层(11)的右侧安装有USB接口(8)，所述松紧带(3)的左下...
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。