电子照相感光体制造技术

本发明专利技术提供一种电子照相感光体，其可维持高耐久性，同时即使反复使用也将曝光后的残留电位抑制为较小。电子照相感光体是在导电性支撑体上形成感光层，在该感光层上形成表面层而成的，其特征在于，上述表面层含有通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应而得到的树脂、N型半导体微粒、以及P型半导体微粒。上述表面层中，相对于上述N型半导体微粒的上述P型半导体微粒的比例以质量比计(P型半导体微粒的质量份数/N型半导体微粒的质量份数)优选为0.1～0.8。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子照相方式的图像形成装置中使用的电子照相感光体。
技术介绍
以往，作为电子照相方式的图像形成装置中使用的电子照相感光体（以下也简称 为"感光体"），已知无机感光体和有机感光体。 这里所说的"电子照相方式"一般是指首先使光导电性的感光体在暗处通过例如 电晕放电带电，接下来进行曝光，仅使曝光部的电荷选择性地逸散而得到静电潜像，将该潜 像部以由染料、颜料等着色剂以及树脂材料等构成的调色剂显影，使得可视化而形成图像 的图像形成工艺。 有机感光体与无机感光体相比，在感光波长区域的自由度、成膜性、挠性、膜的透 明性、量产性、毒性或成本方面等具有优点，因此现在大部分感光体使用有机感光体。 近年来，有机感光体寻求高耐久性和高画质化。 例如，为了感光体的耐磨性的实现或形成高品质的图像，专利文献1中提出有将 具有电子输送功能的由氧化铝、二氧化钛和氧化锡等构成的N型半导体微粒添加于交联表 面层的感光体。 然而，若反复使用这种感光体，则有曝光后的残留电位变大，无法形成长期稳定的 高品质的图像的问题。认为这是因为，上述N型半导体微粒不具有空穴（电洞）输送功能， 因此在电荷输送层与表面层的界面、以及表面层内的粒子界面被来自电荷产生层的空穴 (电洞）捕获，无法有效地消除感光体表面的负电荷。 另一方面，已知将具有空穴输送功能的有机化合物添加于交联表面层的感光体。 这种感光体中，虽然在初期中残留电位减少，但由于反复的使用而有机化合物变差，导致功 能丧失，因此无法发挥其效果。此外，具有空穴输送功能的有机化合物一般具有增塑作用， 因此表面层的膜硬度下降。 此外，已知在交联表面层添加了 P型半导体微粒的感光体。这种感光体中，空穴输 送功能比电子输送功能差（迀移率小），因此难以使得残留电位非常小。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-164646号公报
技术实现思路
本专利技术是考虑如以上的情况而完成的，其目的在于提供一种维持高耐久性，同时 即使通过反复使用也可将曝光后的残留电位抑制为较小的电子照相感光体。 本专利技术的电子照相感光体的特征在于，该电子照相感光体是在导电性支撑体上形 成感光层，在该感光层上形成表面层而成的， 上述表面层含有通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应而得到的树脂、N型 半导体微粒、以及P型半导体微粒。 本专利技术的电子照相感光体中，上述表面层中，优选相对于上述N型半导体微粒的 上述P型半导体微粒的比例以质量比计（P型半导体微粒的质量份数/N型半导体微粒的质 量份数）为〇· 1~0.8。 本专利技术的电子照相感光体中，优选上述N型半导体微粒为SnO2, 上述P型半导体微粒为CuMO2 (其中，M表示Al、Ga或In)。 本专利技术的电子照相感光体中，优选上述N型半导体微粒为SnO2，上述P型半导体微 粒为CuMO2 (其中，M表示Al、Ga或In)。 本专利技术的电子照相感光体中，优选上述N型半导体微粒为Sn02、1102或Al 203中的 任一者。 本专利技术的电子照相感光体中，上述N型半导体微粒优选为SnO2。 本专利技术的电子照相感光体中，上述N型半导体微粒的数均一次粒径优选在1~ 300nm的范围内。 本专利技术的电子照相感光体中，上述N型半导体微粒优选相对于表面层用粘合剂树 脂100质量份以30~250质量份的比例含有。 本专利技术的电子照相感光体中，上述P型半导体微粒优选为CuMO2 (其中，M表示Al、 Ga 或 In) 〇 本专利技术的电子照相感光体中，上述P型半导体微粒优选为CuAlO2。 本专利技术的电子照相感光体中，上述P型半导体微粒的数均一次粒径优选在1~ 300nm的范围内。 本专利技术的电子照相感光体中，优选上述P型半导体微粒相对于表面层用粘合剂树 月旨100质量份以1~250质量份的比例含有。 本专利技术的电子照相感光体中，上述表面层中，优选相对于上述N型半导体微粒的 上述P型半导体微粒的比例以质量比计（P型半导体微粒的质量份数/N型半导体微粒的质 量份数）在0.2~0.7的范围内。 根据本专利技术的电子照相感光体，通过在表面层中含有通过将交联性的聚合性化合 物进行聚合反应而得到的树脂、N型半导体微粒、以及P型半导体微粒，可维持高耐久性，同 时即使反复使用也能将曝光后的残留电位抑制为较小。【附图说明】 图1是表示具备本专利技术的电子照相感光体的图像形成装置的一个例子的构成的 说明用截面图。 符号说明 IYUMUCUBk 感光体 2Y、2M、2C、2Bk 带电机构 3Y、3M、3C、3Bk 曝光机构 4Y、4M、4C、4Bk 显影机构 5Y、5M、5C、5Bk -次转印辊 5b 二次转印辊 6Y、6M、6C、6Bk、6b 清洁机构 7 环形带状中间转印体单元 8 壳体 10Y、10M、IOCUOBk 图像形成单元 21 供纸机构 20 供纸盒 22A、22B、22C、22D 中间辊 23 阻挡辊 24 定影机构 25 出纸辊 26 出纸盘 70 环形带状中间转印体 71、72、73、74 辊 82L、82R 支撑轨道 P 转印材【具体实施方式】 以下，对本专利技术详细地进行说明。 〔电子照相感光体〕 本专利技术的感光体的层结构只要是在导电性支撑体上形成感光层，在该感光层上形 成表面层而成的层结构则没有特别的限定，具体而言，如下述（1)和（2)所示，可举出依次 层叠感光层和表面层而成的层结构。 (1)在导电性支撑体上，依次层叠中间层、作为感光层的电荷产生层和电荷输送 层、以及表面层而成的层结构。 (2)在导电性支撑体上，依次层叠中间层、作为感光层的含有电荷产生物质和电荷 输送物质的单层、以及表面层而成的层结构。 本专利技术的感光体为有机感光体，有机感光体是指通过有机化合物体现对电子照相 感光体的构成必不可少的电荷产生功能和电荷输送功能中的至少一者的功能的电子照相 感光体，包含由公知的有机电荷产生物质或有机电荷输送物质构成的感光体、以高分子配 位化合物构成电荷产生功能和电荷输送功能的感光体等。 〔表面层〕 构成本专利技术的感光体的表面层含有通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应 而得到的树脂（以下也称为"表面层用粘合剂树脂"）、N型半导体微粒和P型半导体微粒。 本专利技术的感光体中，表面层由通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应而得到 的树脂构成，从而可得到基本上高的膜硬度，此外，通过含有N型半导体微粒和P型半导体 微粒，可得到填充效果，可得到更高的膜硬度。然后，本专利技术中，通过并用N型半导体微粒和 P型半导体微粒，由于具有电子输送功能和空穴输送功能两功能，即使反复使用也抑制残留 电位为较小。 此外，一般而言，若表面层中的金属氧化物微粒的添加量变大，则表面层的导电性 变高，因此难以保持负电荷，无法得到的良好的点再现性。尤其是在高温高湿环境下，不仅 金属氧化物微粒的导电性变高，存在于金属氧化物微粒的表面的羟基吸附空气中的水分而 电阻下降，因此点再现性进一步变差。详细内容不清楚，但单独使用作为P型半导体微粒的 CuAKPt，在高温高湿环境下无法得到良好的点再现性。然而，本专利技术中，通过将P型半导 体微粒与N型半导体微粒组合，可得到良好的点再现性。(表面层用粘合剂树脂） 构成表面层的表面层用粘合剂树脂是通过将交联性的聚合性化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光体，其特征在于，该电子照相感光体是在导电性支撑体上形成感光层，在该感光层上形成表面层而成的，所述表面层含有通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应而得到的树脂、N型半导体微粒和P型半导体微粒。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小玉大典，藤田俊行，早田裕文，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP