具有降低光学元件热变形和高传输效率的碎屑抑制系统技术方案

具有降低光学元件热变形和高传输效率的碎屑抑制系统，属于半导体技术领域，为了降低次镜的热变形，并提高EUV的传输效率，碎屑阻挡罩内部具有冷却液循环运动的通道，碎屑阻挡罩沿碎屑偏转器的轴向安装在碎屑偏转器靠近光源点的位置；碎屑偏转器由外壁和中空部分组成，其外壁中间位置相对安装极性相反的第一永磁铁；碎屑偏转器的外壁远离光源点位置具有进气孔，其外壁的内部具有均匀分布的出气孔；碎片偏转器内部均匀排列冷却液通道；辐射阻挡器安装在碎屑偏转器的轴线上，并位于光学元件的背面，并能完全遮盖光学元件；辐射阻挡器的外形为圆锥形，并根据光源点发散角和光学元件的直径进行设计；辐射阻挡器内部有冷却液循环通道。

【技术实现步骤摘要】
具有降低光学元件热变形和高传输效率的碎屑抑制系统
本专利技术涉及一种用于EUV曝光实验的具有降低光学元件热变形功能和高传输效率的碎屑抑制系统，属于半导体

技术介绍
EUV光刻技术是193nm光刻技术向13.5nmEUV波段的合理延伸，最大限度地继承了传统光学光刻的发展成果，尽可能地提高刻线质量、增加刻线密度。根据新版的国际半导体技术发展路线图(ITRS)预测，2013年进入32nm技术节点，2016年实现22nm技术节点的量产。随着光刻技术进入32-22nm节点，极紫外光刻(EUVL)作为极大规模集成电路光刻工艺的主流光刻技术地位日益显现。为了进行EUV曝光实验，并获得低于32nm线宽的光刻图案，所采用的实验装置包括EUV光源，碎屑抑制器，多层膜两镜聚焦系统和曝光系统。多层膜两镜聚焦系统采用正入射的方式，入射角为0度，主镜所收集的EUV光，通过次镜反射后，聚焦在中间焦点处，此处的EUV光可以用于后续的EUV曝光实验。为了使多层膜两镜曝光系统能够尽可能多的收集光源发射的EUV光，要使两镜系统距离EUV光源尽可能近，并使主镜的大小尽可能适应EUV光源点的实际发散角。在实际的实验本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有降低光学元件热变形和高传输效率的碎屑抑制系统，主要由碎屑阻挡罩(1)、碎屑偏转器(2)和辐射阻挡器(3)组成；其特征是，碎屑阻挡罩(1)内部具有冷却液循环运动的通道(7)，所述碎屑阻挡罩(1)沿所述碎屑偏转器(2)的轴向安装在所述碎屑偏转器(2)靠近光源点的位置；所述碎屑阻挡罩(1)与所述碎屑偏转器(2)通过螺钉或焊接的方式连接；所述的碎屑偏转器(2)由外壁和中空部分组成，其外壁中间位置相对安装一对极性相反的第一永磁铁(9)；所述的碎屑偏转器(2)的外壁远离光源点位置具有进气孔(6)，并且其外壁的内部具有均匀分布的出气孔(10)；所述的碎片偏转器(2)的外壁内部均匀排列冷却液通道(5)；所...

【技术特征摘要】
1.用于EUV曝光装置中的具有降低次镜热变形和高传输效率的碎屑抑制系统，主要由碎屑阻挡罩(1)、碎屑偏转器(2)和辐射阻挡器(3)组成；其特征是，所述碎屑阻挡罩(1)内部具有冷却液循环运动的通道(7)，所述碎屑阻挡罩(1)沿所述碎屑偏转器(2)的轴向安装在所述碎屑偏转器(2)靠近光源点的位置；所述的碎屑偏转器(2)由外壁和中空部分组成，其外壁中间位置相对安装一对极性相反的第一永磁铁(9)；所述的碎屑偏转器(2)的外壁远离光源点位置具有进气孔(6)，并且其外壁的内部具有均匀分布的出气孔(10)；所述的碎屑偏转器(2)的外壁内...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚学鹏，卢启鹏，彭忠琦，王依，周烽，谢耀，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22