用于确定结构的光刻品质的光刻方法和设备技术

一种确定通过使用例如光栅等周期图案的光刻过程产生的结构的光刻品质的方法检测光刻过程窗口边缘并优化过程条件。方法的步骤为：602：通过使用光栅图案的光刻过程印刷结构；604：选择第一特性，例如偏振方向，用于照射；606：用具有第一特性的入射辐射照射该结构；608：检测散射辐射：610：选择第二特性，例如不同的偏振方向，用于照射；612：用具有第二特性的入射辐射照射该结构；614：检测散射辐射；616：旋转一个或多个角度分辨光谱以排列偏振，由此校正不同偏振取向；618：确定测量的角度分辨光谱之间的差；和620：使用确定的差确定结构的光刻品质的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于确定结构的光刻品质的光刻方法和设备相关申请的交叉引用本申请要求于2012年11月30递交的美国临时申请61/731，939的权益，其在此通过引用全文并入。
本专利技术涉及一种确定通过使用周期图案的光刻过程形成的结构的光刻品质的方法、检查设备、光刻设备、光刻单元以及器件制造方法，例如可用于使光刻设备或其他处理设备的工艺符合要求。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。已知的光刻设备包括:所谓的步进机，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案来照射每个目标部分，同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定通过使用衬底上的周期图像的构形的光刻过程处理的第一结构的光刻品质的方法，所述方法包括步骤：(a)用具有第一特性的入射辐射照射第一结构；(b)测量被第一结构散射的辐射的强度；(c)使用所测量的强度执行对比；和(d)使用对比的结果确定第一结构的光刻品质的值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·J·格鲁特吉恩斯，M·加西亚格兰达，J·克里斯特，H·麦根斯，徐路，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL