本实用新型专利技术专利公开了一种可主动调制的激光腔镜。通过在电光晶体的出射面镀制高反膜或是部分反射膜，进而将电光晶体的出射面作为激光腔镜使用，使得器件调试的稳定性提高，省去繁琐的重复性调试工作。同时，本专利采用U型槽依次装配单元电光晶体，通过增加晶体的等效长度来降低电光晶体的半波电压，实现了较低的调制电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利为涉及激光领域的技术专利，特别涉及一种可主动调制的激光腔镜结构。
技术介绍
激光调Q技术是将激光能量压缩到宽度极窄的脉冲中，从而使激光光源的峰值功率提高几个数量级的一种技术。分为主动调Q，被动调Q和主被动相结合的调Q技术等。一般固体激光器实现调Q最常用的方法是在共振腔内引入一个快速光开关一Q开关。电光调Q是一种主动的调Q技术，利用晶体的电光效应，在晶体上加一阶跃式电压，调节腔内光子的发射损耗。开始工作时，晶体两端加一电压，由于晶体的偏振效应，谐振腔的损耗很大，Q值低，激光不振荡，激光上能级不断积累粒子数，Q开光处于关闭状态。某一特定时刻，突然撤去晶体两端电压，谐振腔突变至损耗低，Q值高，Q开关打开，形成巨脉冲激光。这样的做法使得激光器在工作时不仅需要调节前后腔镜的平行，还需要调节电光晶体端面与腔镜之间的平行，调试工作较为繁琐，耗费大量人力，对批量生产有很大的限制。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出一种可主动调制的激光腔镜结构，将主动调Q激光器中的腔镜集成到调Q晶体上。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案:在电光晶体的出射面镀制高反膜或是部分反射膜，进而将电光晶体的出射面作为激光腔镜使用，使得器件调试的稳定性提高，省去繁琐的重复性调试工作。所述电光晶体出射面上镀制的膜系可以根据不同激光器的需求而改变。同时，电光晶体可以有多个单元电光晶体级联而成，采用U型槽依次装配单元电光晶体，单元晶体的电极均用金线引出，通过增加晶体的等效长度来降低电光晶体的半波电压，实现了较低的调制电压。与常规主动调Q激光器的腔镜相比，本技术提出的腔镜结构简洁实用，无论是器件的调试稳定性和人力成本上都有很大的提高，为激光器的批量生产提供便捷。【附图说明】图1为本技术结构实施实例I示意图；图2为本技术结构实施实例2示意图；图3为本技术结构实施实例3示意图；图4为本技术结构实施实例4示意图；图5为本技术结构中单元电光晶体的示意图；图6为本技术结构中单元电光晶体制作示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术做进一步说明，本技术通过在电光晶体的出射面镀制高反膜或是部分反射膜，进而将电光晶体的出射面作为激光腔镜使用。同时，本专利采用U型槽依次装配单元电光晶体，通过增加晶体的等效长度来降低电光晶体的半波电压，实现了较低的调制电压。实施实例1:如图1所示，101为放置电光晶体的U型槽，103为电光晶体，晶体两侧与U型槽分别用金线102和104相连，在晶体左右两侧施加电压。电光晶体的出射端镀有泵浦光高反膜和输出光部分反射膜，使其作为激光后腔镜使用。实施实例2:如图2所示，201为放置电光晶体的U型槽，203为电光晶体，在晶体上下两侧施加电压，上方与U型槽用金线202相连，下方用导线引出。电光晶体的出射端镀有泵浦光高反膜和输出光部分反射膜，使其作为激光后腔镜使用。实施实例3:如图3所示，301为放置电光晶体的U型槽，302为单元电光晶体，在晶体上下两侧施加电压，上方与U型槽用金线303相连，下方用导线引出，使用直角棱镜304改变光路。电光晶体的出射端镀有泵浦光高反膜和输出光部分反射膜，使其作为激光后腔镜使用。实施实例4:如图4所示，401为放置电光晶体的U型槽，402为单元电光晶体，在晶体上下两侧施加电压，上方与U型槽用金线403相连，下方用导线引出，使用保偏准直光纤404改变光路，此时需要用保护胶将纤线固定，以使入射和出射光不发生旋转。电光晶体的出射端镀有泵浦光高反膜和输出光部分反射膜，使其作为激光后腔镜使用。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。【主权项】1.一种可主动调制的激光腔镜结构，其特征在于:依次将单元电光晶体放入U型槽(101)内，单元晶体的电极均用金线(102，104)引出；在通过级联的电光晶体(103)的出射面上镀制高反膜或是部分反射膜。2.根据权利要求1所述的一种可主动调制的激光腔镜结构，其特征在于:在所述电光晶体(103)出射面上镀制泵浦光高反膜和输出光部分反射膜，使电光晶体的出射面即为激光后腔镜。3.根据权利要求1所述的一种可主动调制的激光腔镜结构，其特征在于:所述电光晶体(103)可由多个单元电光晶体级联而成，通过增加晶体的等效长度来降低其半波电压。【专利摘要】本技术专利公开了一种可主动调制的激光腔镜。通过在电光晶体的出射面镀制高反膜或是部分反射膜，进而将电光晶体的出射面作为激光腔镜使用，使得器件调试的稳定性提高，省去繁琐的重复性调试工作。同时，本专利采用U型槽依次装配单元电光晶体，通过增加晶体的等效长度来降低电光晶体的半波电压，实现了较低的调制电压。【IPC分类】H01S3/081, H01S3/108, H01S3/10【公开号】CN204633118【申请号】CN201520360007【专利技术人】校金涛, 刘红梅, 吴季, 王城强, 陈伟 【申请人】福建福晶科技股份有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年5月29日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可主动调制的激光腔镜结构，其特征在于：依次将单元电光晶体放入U型槽（101）内，单元晶体的电极均用金线（102，104）引出；在通过级联的电光晶体（103）的出射面上镀制高反膜或是部分反射膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：校金涛，刘红梅，吴季，王城强，陈伟，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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