一种有机电致发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电致发光装置，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若干有机层和第二电极层，所述的有机层包括依次设置在第一电极层上的空穴传输层、发光层、电子传输层所述的发光材料层与所述电子传输层之间设置有空穴/激子阻挡层，所述空穴/激子阻挡层包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料；所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光材料层中主体材料及染料的三线态能级；所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。由于空穴/激子阻挡层采用组合材料，可以有效防止激子淬灭失活，提高电子迁移率，从而提高有机电致发光装置的效率及寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光装置
本专利技术涉及有机电致发光装置
，特别涉及一种设有空穴/激子阻挡层的有机电致发光装置。
技术介绍
有机电致发光装置OLED的发光层主要采用全荧光材料、全磷光材料或荧光材料和磷光材料混合的方式进行制作。磷光体系的材料可以实现较高的发光效率，但是由于寿命短和效率低，还没有适合的蓝色磷光材料被研制出来。而全荧光材料的色度和寿命虽然有较强的优势，但是与全磷光材料层混合使用的结构，效率却较低。目前普遍采用蓝色荧光材料和红绿色磷光材料配合使用作为OLED的发光层。在OLED显示器件制备过程中，为了降低工艺难度与生产成本，一般采用精密mask分别真空蒸镀红、绿、蓝子像素的发光层，而发光层之外的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、空穴/激子阻挡层等共用开口掩膜板统一蒸镀成膜。由于红、绿色子像素发光层采用的磷光染料的三线态激子寿命较长，容易扩散至电子传输层，导致激子淬灭失活，因此在发光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层。因此空穴/激子阻挡层对于提高磷光器件效率以及寿命具有重要意义。空穴/激子阻挡层材料一般要求具有较高的三线态能级以及较高的HOMO能级，从而阻挡三线态激子与空穴进入电子传输层。目前蓝光子像素主要采用荧光染料体系，由于采用上述空穴/激子阻挡层覆盖整个发光层，所述蓝色荧光发光层和电子传输层之间也具有空穴/激子阻挡层，但是由于制备空穴/激子阻挡层的材料有较高的三线态能级以及较高的HOMO能级，电子迁移率较低，因此会降低蓝色荧光器件的效率，并导致蓝光器件工作电压升高。CN2004800212480公开了一种有机电致发光装置，包括阳极、阴极和至少一个发射层，所述的发射层包括至少一种掺杂有至少一种磷光发射体的基质材料，在发射层和阴极之间加入至少一个包括至少一种下述通式的化合物的空穴阻挡层作为优选的方案，空穴阻挡层包含至少50wt％的上述化合物，最为优选的是100wt％上述化合物组成。该层材料的电子迁移率较低，依然存在降低蓝色荧光器件的效率，并导致蓝光器件工作电压升高的问题。CN200780047625公开了一种具有由双极材料制成的阻挡层的有机发光二极管，其将常规的空穴阻挡层采用双极有机层替代，该双极有机层的功能是进一步限制有机层和双极有机层之间的界面处的电荷密度。其采用的双极有机层的基材选由TAND(中文名字)和TAZ-TPA(中文名字)构成。由于三线态能级较低，不适用于磷光染料发光器件。CN201180002877公开了一种有机电致发光元件，其电子传输区域包含与所述发光层相邻的阻挡层，所述阻挡层包含阻挡材料，其具有电子传输结构部位、和由缩合稠环芳香族烃化合物构成的三重态阻挡结构部位，并且满足ETb>ETh(ETh及ETb分别表示所述主体材料及所述阻挡材料的三重态能量)。限制了材料的选择，合成困难，并且该类阻挡材料的三线态能级对绿光激子的阻挡能力有限。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有技术中激子/空穴阻挡层电子迁移率低的问题，进而提供一种有机电致发光装置，其空穴/激子阻挡层包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料，可以有效防止激子淬灭失活，提高电子迁移率，从而提高有机电致发光装置的效率及寿命。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种有机电致发光装置，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若干有机层和第二电极层，所述的有机层包括依次设置在第一电极层上的空穴传输层、发光层、电子传输层，所述的发光层与所述电子传输层之间设置有空穴/激子阻挡层，所述空穴/激子阻挡层包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料；所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光层中主体材料及染料的三线态能级；所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。优选地，所述电子传输材料的HOMO能级大于发光层主体材料及染料的HOMO能级。进一步优选地，所述有机阻挡材料的三线态能级为2.48eV-2.8eV，所述电子传输材料的电子迁移率≥1×10-4cm2/Vs。所述的空穴/激子阻挡层中有机阻挡材料为10-90wt％，所述电子传输材料为10-90wt％。所述的空穴/激子掺杂阻挡层中有机阻挡材料为40wt％-80wt％，所述电子传输材料为20wt％-60wt％。所述空穴/激子掺杂阻挡层(107)的厚度为3nm-8nm。所述的电子传输材料为下式(1)所示结构，具体地为式(2)至式(6)所示结构：其中，Ar选自取代或未取代的碳原子数为6-30的亚稠环芳烃；Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为6-24的芳香基团、取代或未取代的碳原子数为6-24的杂环芳香基；n选自2至3的整数。其中，Ar结构选式(7)至式(14)之一：而与Ar基相连的一些主要基团选式(15)至式(18)之一：优选的化合物如以下结构式所示：所述的有机阻挡材料为具有通式(20)所示结构：其中芳基相同或者不同，是碳原子数为6-40芳环或者碳原子数为1-40的杂芳族环状体系，可被一个或多个R基取代；R相同或者不同的选自H，F，Cl，Br，I，NO2，CN或者碳原子数为1-40直链、支链或者环状的烷基或者烷氧基，所述直链、支链、环状的烷基或者烷氧基上的一个或多个不相邻的CH2基团可被-R'C＝CR'-，-C＝C-,Si(R')2，Ge(Rt)2,Sn(R')2，-O-，-S-或者-NR'-取代，所述直链、支链、环状的烷基或者烷氧基上的一个或多个氢原子可被F或者芳基取代，其中两个或多个取代基R，或者R和芳基可形成另外的单或者多环的脂族或者芳环体系；R'是相同或者不同，选自H或者1-20个碳原子的脂族或者芳烃基团，其中两个或多个取代基R'、R'和R、R'和芳基，或者R'和R和芳基可同样形成另外的单或者多环的脂族或者芳环体系；n是1，2，3或者4；m为1，2，3或者4；o是0，1，2或者3；p是0，1，2或3；条件是n+o的总和＝4,m+p的总和＝4。具体地，所示具有式(HBL01)、式(HBL02)或式(HBL03)所示结构：所述的发光层包括蓝光发光层，绿光发光层和红光发光层，所述蓝光发光层为蓝光荧光发光层，所述绿光发光层为绿光磷光发光层，所述红光发光层为红光磷光发光层。电子传输层使用的电子传输材料与所述空穴/激子阻挡层中的电子传输材料相同。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：(1)本专利技术有机电致发光装置的空穴/激子阻挡层包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料，所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光层中主体材料及染料的三线态能级；所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。所述电子传输材料的HOMO能级大于发光层主体材料及染料的HOMO能级。所述有机阻挡材料的三线态能级为2.48eV-2.8eV，所述电子传输材料的电子迁移率为1×10-4cm2/Vs。这种组合材料不但具有较高的三线态能级，而且具有较高的电子传输能力，可以有效防止激子淬灭失活，从而提高有机电致发光装置的效率及寿命。(2)蓝光发光层采用荧光染料时，空穴/激子阻挡层不仅可以阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光装置，包括基板(101)，以及依次形成在所述基板上的第一电极层(102)、若干有机层和第二电极层(109)，所述的有机层包括依次设置在第一电极层(102)上的空穴传输层(103)、发光层、电子传输层(108)，其特征在于，所述的发光材料层与所述电子传输层(108)之间设置有空穴/激子阻挡层(107)，所述空穴/激子阻挡层(107)包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料；所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光材料层中主体材料及染料的三线态能级；所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光装置，包括基板(101)，以及依次形成在所述基板上的第一电极层(102)、若干有机层和第二电极层(109)，所述的有机层包括依次设置在第一电极层(102)上的空穴传输层(103)、发光层、电子传输层(108)，其特征在于，所述的发光层与所述电子传输层(108)之间设置有空穴/激子阻挡层(107)，所述空穴/激子阻挡层(107)包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料；所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光层中主体材料及染料的三线态能级；所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。2.根据权利要求1所述有机电致发光装置，其特征在于，所述电子传输材料的HOMO能级大于发光层主体材料及染料的HOMO能级。3.根据权利要求2所述有机电致发光装置，其特征在于，所述有机阻挡材料的三线态能级为2.48eV-2.8eV，所述电子传输材料的电子迁移率≥1×10-4cm2/Vs。4.根据权利要求1所述有机电致发光装置，其特征在于，所述的空穴/激子阻挡层(107)中有机阻挡材料为10-90wt％，所述电子传输材料为10-90wt％。5.根据权利要求4所述有机电致发光装置，其特征在于，所述的空穴/激子掺杂阻挡层(107)中有机阻挡材料为40-80wt％，所述电子传输材料为20-60wt％。6.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述空穴/激子掺杂阻挡层(107)的厚度为3nm-8nm。7.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述的电子传输材料为下式(1)所示结构：其中，Ar选自取代或未取代的碳原子数为6-30的亚稠环芳烃；Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为6-24的芳基、取代或未取代的碳原子数为6-24的杂环芳基；n选自2至3的整数。8.根据权利要求7所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述的电子传输材料为下式(2)至(6)所示结构：其中，Ar选自取代或未取代的碳原子数为6-30的亚稠环芳烃；Ar1和Ar...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩，
申请(专利权)人：北京维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11