有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件包括导电阳极基底，以及依次层叠在导电阳极基底的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层；阻挡层包括层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上的有机阻挡层；所述无机阻挡层的材料选自TiI2O3、ZrI2O3、HfI2O3、BIO2、AlIO2、GaIO2、InIO2及TlIO2中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷。通过阴极上交替层叠的无机阻挡层和有机阻挡层，致密性高，能显著提高有机电致发光器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备 方法。
技术介绍
有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，其典型 结构式是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料层作为发光层，发光层上面有 一层低功函数的金属电极，当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。 0LED具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被认为是最 具潜力的新一代器件。但由于防水氧性能较差，使得传统的有机电致发光器件普遍存在寿 命短的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的有机电致发光器件寿命短的问题，提供一种寿命较长 的有机电致发光器件。 进一步提供一种有机电致发光器件的制备方法。 -种有机电致发光器件，包括导电阳极基底，以及依次层叠在所述导电阳极基底 的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层； 所述阻挡层包括层叠于所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡 层；所述无机阻挡层的材料选自Til203 (表示二氧化钛和碘组成的物质)、ZrI203 (表示氧化 锆和碘组成的物质)、^1203』1023110 2(表示三氧化二铝和碘组成的物质)、6&102(表示三 氧化二镓和碘组成的物质)、InI02 (表示三氧化二铟和碘组成的物质）及mo2 (表示三氧 化二铊和碘组成的物质）中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃， 所述铍的环链烷的结构式如下： 其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数； 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示： 其中，k为1~4的整数。 在其中一个实施例中，所述阻挡层的个数为4~6个，所述4~6个阻挡层层叠于 所述阴极上使4~6个无机阻挡层和4~6个有机阻挡层交替层叠于所述阴极上。 在其中一个实施例中，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括质量比为 20 :80~40:60的氧化钥及1^-二苯基，州'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺，所 述空穴传输层的材料包括4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺，所述发光层的材料包括质量 比为2:98~8:92的三（2-苯基吡啶）合铱及1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯，所述电子传输层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的材料包括质 量比为20:80~40:60的叠氮化铯及4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述阴极的材料包括铝。 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15nm~20nm。 在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。 上述有机电致发光器件，通过层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上 的有机阻挡层，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵 蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提高有机电致发光器件的寿 命。 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤： 在导电阳极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层、电子注入层及阴极； 在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有 机阻挡层，形成层叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发光器件，其中，所述无机阻挡 层的材料选自TiI203、ZrI203、HfI203、BI02、AlI02、GaI02、InI02 及11102 中的一种，所述有机 阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃，所述铍的环链烷的结构式如下： 其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~C6的坏烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数； 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示： 其中，k为1~4的整数。 在其中一个实施例中，所述在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层的步骤具体 为：在10Pa~50Pa，40°C~60°C，依次通入0? 2s~Is的胺基物、5s~10s的氮气和20ms~ 40ms的水蒸气，所述胺基物为四（二碘甲基胺基)钛、四（二碘甲基胺基)锆或四（二碘甲基胺 基）铪，所述胺基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm。 在其中一个实施例中，所述在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层的步骤 中，本底真空度为1Xl(T5Pa~1Xl(T3Pa，加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功 率密度为l〇W/cm2~40W/cm2。 在其中一个实施例中，所述在导电阳极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注 入层之前，还包括对玻璃基底进行预处理的步骤；所述预处理的步骤为：将所述导电阳极 基底依次采用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗5分钟，然后干燥，再对洗净的导电 阳极基底进行表面活化处理。 在其中一个实施例中，所述在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无 机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，形成层叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发 光器件的步骤具体为：在所述阴极上制备4~6个所述阻挡层，使得4~6个所述无机阻挡 层和4~6个所述有机阻挡层交替层叠于所述阴极上，得到有机电致发光器件。 上述有机电致发光器件的制备方法，通过在阴极上原子层沉积制备无机阻挡层和 在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质 对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提 高有机电致发光器件的寿命。 另外，无机阻挡层和有机阻挡层的材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备。【附图说明】 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的导电阳极基底 110、空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160、阴极 170及阻挡层180。 导电阳极基底110包括透光基板1102及层叠在透光基板1102上的阳极层1104。 其中，透光基板1102为玻璃或有机薄膜。 阳极层1104的材料包括铟锡氧化物（IT0)、铝锌氧化物（AZ0)或铟锌氧化物 (IZ0)。优选的，阳极层的材料为IT0,厚度为100nm。 优选的，导电阳极基底110为IT0玻璃基底。 空穴注入层120形成于导电阳极基底110的阳极层1104的表面。空穴注入层120 的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)及掺杂在NPB 中的氧化钥（]?〇03)。其中，]\1〇03与即8的质量比为20 :80~40:60，优选为30:70。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底，以及依次层叠在所述导电阳极基底的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层；其特征在于，所述阻挡层包括层叠于所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡层；所述无机阻挡层的材料选自TiI2O3、ZrI2O3、HfI2O3、BIO2、AlIO2、GaIO2、InIO2及TlIO2中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃，所述铍的环链烷的结构式如下：其中，R1为H、C1～C6的烷基或C3～C6的环烷基，I为1～10的整数，m为5～15的整数，n为1～14的整数；所述硼的直链烷烃的结构式如下所示：其中，k为1～4的整数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，钟铁涛，王平，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44