高通量组合半导体材料芯片合成设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积的非热力学平衡沉积过程，将靶源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积用于沉积高纯金属薄膜和非吸收性材料的优势，适用于包括金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜等材料的合成制备；同时装载至少10种不同的氧化物、陶瓷或金属靶源材料，提供包括原位加热、后处理退火和多种气氛工艺控制，以及用于样品存贮和传递的惰性气体手套箱；有效避免材料交叉污染，并解决高活性样品的传递与存贮问题，大大提高了高通量组合半导体材料芯片制备的灵活性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高通量组合半导体材料芯片的生产设备，具体涉及一种高通量组合半导体材料芯片合成设备。
技术介绍
高新半导体材料，包括半导体/金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜材料等在现代光电信息通讯、新能源、航空，以及国防等领域有广泛而重要的应用。这些材料通常由二元以上的多元素构成，材料组成和结构与其电学、光学和催化性能等紧密相关。与有机化学合成不同，上述半导体材料材料稳定性主要受热力学和温度控制，材料合成的组分和构成无法通过动力学逐级控制反应的速率与产物，没有特定的规律可循，这使得相关材料合成长期依赖于随机性的逐一试探和摸索，大大延长了材料发现与合成的周期和成本。其次，现代理论研宄和计算水平可以对新材料的结构和物化性质进行模拟和预测，然而落后的材料合成速度无法及时对理论结果进行验证，这些都严重制约了以高新半导体材料为基础的高新科技产品研发和技术发展。高通量组合半导体材料芯片合成技术，通过在固态原子或离子在极短的扩散尺度进行薄膜沉积，同时配合分立的掩膜板面阵阵列转换，或者连续匀速的掩膜板运动，以及相应的工艺温度和气氛控制程序，实现高通量组合新材料芯片制备，以指数量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，包括进样室(5)和以进样室(5)为中心的两条样品传递方向上设有的设备，其特征在于，沿第一样品传递杆(1)的传递方向依次设有第一样品传递杆(1)、进样室(5)和超高真空主沉积腔室(7)，沿第二样品传递杆(2)的传递方向依次设有第二样品传递杆(2)、后处理退火与气氛腔(6)、进样室(5)和手套箱(3)；超高真空主沉积腔室(7)的顶部设有样品台(8)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁上设有PLD伸缩靶台(9)、电子束源(10)和掩膜板装置(11)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁还设有与PLD伸缩靶台(9)的激光扫描区域相应的激光入射口(12)；PLD伸缩靶台(9)...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，朱煜，张令辉，张耀辉，
申请(专利权)人：宁波华甬新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32