本实用新型专利技术公开了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积的非热力学平衡沉积过程，将靶源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积用于沉积高纯金属薄膜和非吸收性材料的优势，适用于包括金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜等材料的合成制备；同时装载至少10种不同的氧化物、陶瓷或金属靶源材料，提供包括原位加热、后处理退火和多种气氛工艺控制，以及用于样品存贮和传递的惰性气体手套箱；有效避免材料交叉污染，并解决高活性样品的传递与存贮问题，大大提高了高通量组合半导体材料芯片制备的灵活性和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高通量组合半导体材料芯片的生产设备，具体涉及一种高通量组合半导体材料芯片合成设备。
技术介绍
高新半导体材料，包括半导体/金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜材料等在现代光电信息通讯、新能源、航空，以及国防等领域有广泛而重要的应用。这些材料通常由二元以上的多元素构成，材料组成和结构与其电学、光学和催化性能等紧密相关。与有机化学合成不同，上述半导体材料材料稳定性主要受热力学和温度控制，材料合成的组分和构成无法通过动力学逐级控制反应的速率与产物，没有特定的规律可循，这使得相关材料合成长期依赖于随机性的逐一试探和摸索，大大延长了材料发现与合成的周期和成本。其次，现代理论研宄和计算水平可以对新材料的结构和物化性质进行模拟和预测，然而落后的材料合成速度无法及时对理论结果进行验证，这些都严重制约了以高新半导体材料为基础的高新科技产品研发和技术发展。高通量组合半导体材料芯片合成技术，通过在固态原子或离子在极短的扩散尺度进行薄膜沉积，同时配合分立的掩膜板面阵阵列转换，或者连续匀速的掩膜板运动，以及相应的工艺温度和气氛控制程序，实现高通量组合新材料芯片制备，以指数量级加快新材料的发现与筛选速度，是加速高新材料合成与筛选，以及优化合成工艺和确定合成路线的必要手段。用于高通量组合半导体材料芯片合成的物理薄膜沉积手段，包括磁控/离子束溅射、电子束沉积和脉冲激光沉积等。其中，溅射方法虽然广泛使用于金属单质和多元素化合物沉积，但由于使用工作气体，存在二次溅射造成材料交叉污染问题。电子束沉积采用磁偏转电子枪直接轰击坩祸源材料，污染小，适用于高纯金属薄膜和非吸收性材料(如Si02)的沉积制备。脉冲激光沉积采用冷源高能脉冲激光烧蚀靶源材料，在非热力学平衡条件下将靶源材料的化学计量比完整复制到样品上，适用于复杂多元素化合物沉积。
技术实现思路
为解决上述技术问题，我们提出了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其目的:在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积(pulsed laser depos i t1n/PLD)的非热力学平衡沉积过程，将革E源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积(electron beam deposi t1n/EB)用于沉积高纯金属薄膜的优势，适用于包括金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜等材料，大大提高了高通量组合半导体材料芯片制备的灵活性，具有普遍适用性。为达到上述目的，本技术的技术方案如下:一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，包括进样室和以进样室为中心的两条样品传递方向上设有的设备，沿第一样品传递杆的传递方向依次设有第一样品传递杆、进样室和超高真空主沉积腔室，沿第二样品传递杆的传递方向依次设有第二样品传递杆、后处理退火与气氛腔、进样室和手套箱；超尚真空主沉积腔室的顶部设有样品台，超尚真空主沉积腔室的侧壁上设有PLD伸缩靶台、电子束源和掩膜板装置，超高真空主沉积腔室的侧壁还设有与PLD伸缩靶台的激光扫描区域相应的激光入射口；PLD伸缩靶台与样品台的距离小于电子束源与样品台的距离；掩膜板装置上装设有掩膜板和掩膜板的传动控制装置；进样室与超高真空主沉积腔室和手套箱之间均设有插板阀。优选的，超高真空主沉积腔室的本底真空度< 6X10_7Pa，进样室和后处理退火与气氛腔的本底真空度< 6X 10_4Pa。优选的，超高真空主沉积腔室配置有至少四路气体，使用多通道气体流量仪控制。优选的，PLD伸缩靶台采用倾斜偏轴布局，即处在激光扫描区域的靶源中轴线相对于样品台中轴线偏离，同时PLD伸缩靶台的法向与样品台法向成30°或45°的角度；PLD伸缩靶台设有至少五个靶源位置，采用转盘型或者直线型排布，每个靶源可以自转，所有靶源位置可以通过公转或直线运动切换到激光扫描区域；PLD伸缩靶台可直线伸缩。优选的，PLD伸缩靶台位于超高真空主沉积腔室的上部，从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室。优选的，电子束源位于超高真空主沉积腔室的下部，从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室。优选的，电子束源设有至少五个坩祸位置，采用直线型排布，可进行直线坩祸换位。优选的，进样室与超高真空主沉积腔室之间的插板阀为超高真空插板阀，进样室与手套箱之间的插板阀为高真空插板阀。优选的，掩膜板装置从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室，掩膜板装置上的掩膜板可通过掩膜板的传动控制装置做水平位移和纵向位移。优选的，超高真空主沉积腔室外侧配置有与激光入射口相应的x-y 二维扫描装置，x-y 二维扫描装置所折射后的激光沿水平方向由激光入射口进入超高真空主沉积腔室内。优选的，超高真空主沉积腔室从顶部引入倒置样品台的支架与其传动控制装置，样品台上设有原位退火装置、原位旋转装置和纵向位移装置。优选的，第一样品传递杆设有直线推送装置和原位旋转装置。优选的，第二样品传递杆设有直线推送装置。优选的，后处理退火与气氛腔、进样室和手套箱依次串连在同一中轴线上，后处理退火与气氛腔通过第二样品传递杆在进样室和手套箱之间传送样品。优选的，后处理退火与气氛腔配置有至少四路气体，分别进行气体流量控制。通过上述技术方案，超高真空主沉积腔室的侧壁上设有PLD伸缩靶台、电子束源和掩膜板装置，超高真空主沉积腔室的侧壁还设有与PLD伸缩靶台的激光扫描区域相应的激光入射口，PLD伸缩靶台与超高真空主沉积腔室底部的距离大于电子束源与超高真空主沉积腔室底部的距离，:在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposit1n/PLD)的非热力学平衡沉积过程，将革E源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积(electron beam deposit1n/EB)用于沉积高纯金属薄膜的优势，适用于包括金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜等材料，大大提高了高通量组合半导体材料芯片制备的灵活性，具有普遍适用性。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术所公开的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备的使用PLD沉积源时的原理图不意图；图2为本技术所公开的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备的使用EB沉积源时的原理图不意图；图3为本技术所公开的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备的主视示意图；图4为本技术所公开的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备的俯视示意图。图中数字和字母所表示的相应部件名称:1.第一样品传递杆2.第二样品传递杆3.手套箱4.插板阀5.进样室6.后处理退火与气氛腔7.超高真空主沉积腔室8.样品台9.PLD伸缩靶台91.x-y 二维扫描装置10.电子束源11.掩膜板装置12.激光入射口 100.激光光路。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，当前第1页1&n本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，包括进样室(5)和以进样室(5)为中心的两条样品传递方向上设有的设备，其特征在于，沿第一样品传递杆(1)的传递方向依次设有第一样品传递杆(1)、进样室(5)和超高真空主沉积腔室(7)，沿第二样品传递杆(2)的传递方向依次设有第二样品传递杆(2)、后处理退火与气氛腔(6)、进样室(5)和手套箱(3)；超高真空主沉积腔室(7)的顶部设有样品台(8)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁上设有PLD伸缩靶台(9)、电子束源(10)和掩膜板装置(11)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁还设有与PLD伸缩靶台(9)的激光扫描区域相应的激光入射口(12)；PLD伸缩靶台(9)与样品台(8)的距离小于电子束源(10)与样品台(8)的距离；掩膜板装置(11)上装设有掩膜板和掩膜板的传动控制装置；进样室(5)与超高真空主沉积腔室(7)和手套箱(3)之间均设有插板阀(4)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，朱煜，张令辉，张耀辉，
申请(专利权)人：宁波华甬新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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