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本实用新型公开了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积的非热力学平衡沉积过程，将靶源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积用于沉积高纯金属薄膜和非吸收性材...
该专利属于宁波华甬新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波华甬新材料科技有限公司授权不得商用。

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