【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶棒生产设备
，涉及到一种节能温场装置。
技术介绍
半导体材料单晶硅是在单晶炉中拉制出来的，目前，通用的生产工序是：清炉-向石英埚中投料-关闭炉门、升温熔料-掺入影响产品电性参数的杂质-拉制单晶硅棒-冷却、开炉、取单晶硅棒，这是一套沿用多年的成熟工艺。传统的单晶生长工艺下，晶体生长是在一个相对稳定的温度环境下进行的，熔硅从熔融态转化成相对稳定的结晶态即固态晶体，必然存在结晶潜热的释放过程，这些热量会散逸在温场装置内部，由温场装置中的流动氩气及单晶炉壁内的循环冷却水带走，相变过程之中结晶潜热的释放量相对于单晶炉温场装置散失的热量是非常小的，由于保温材料导热系数高及保温性能差，为维持晶体生长期间的温度平衡，必须由加热元件对温场装置内部持续供热，理论应该是，加热元件只需供给稍大于相变过程中结晶潜热的释放量就可以了，但由于保温材料的导热系数高，相对保温性能差，造成温场装置中热量的过度散失，致使加热元件不但要补充温场中散失的结晶潜热，还要补给温场装置中过度散失的热量，无疑增加了不必要的能源浪费，增加了产品的生产成本。这种传统生产工艺杂由于能耗较高，致使生产成本高的弊端是显而易见的。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的缺陷，设计了一种节能温场装置，可以大大降低能耗量，提高生产效率，降低生产成本。本技术所采取的具体技术方案是：一种节能温场装置，包括温场本体，温场本体的底...
【技术保护点】
一种节能温场装置，包括温场本体(1)，温场本体(1)的底部设置有护冒(2)和底保温盘(3)，底保温盘(3)为圆环形结构，底保温盘(3)的外径等于温场本体(1)的内径，护冒(2)的中部开设有通孔，通孔、底保温盘(3)与温场本体(1)同轴设置，其特征在于：在温场本体(1)内增设节能装置，节能装置包括下反射罩(4)、聚能罩(5)、上反射罩(6)，下反射罩(4)是圆锥桶结构，下反射罩(4)位于下方的小口端设置有水平设置的定位盘，下反射罩(4)位于上方的大口端与聚能罩(5)的内壁固定连接，下反射罩(4)的下端与定位盘固定连接，定位盘与护冒(2)固定连接，定位盘的中部开设有过孔，过孔与通孔同轴设置且直径相等；聚能罩(5)为圆筒形结构，聚能罩(5)的外径小于底保温盘(3)的外径且内径大于底保温盘(3)的内径，聚能罩(5)的下端与底保温盘(3)固定连接；上反射罩(6)是与温场本体(1)上端口形状相匹配的圆锥桶结构，上反射罩(6)上端面的直径大于下端面的直径，上反射罩(6)上端面上设置有向外凸出的支撑板，上反射罩(6)的内壁和支撑板的上端面都与温场本体(1)上端口的内壁固定连接，支撑板的下端面与聚能罩(...
【技术特征摘要】
1.一种节能温场装置，包括温场本体(1)，温场本体(1)的底部设
置有护冒(2)和底保温盘(3)，底保温盘(3)为圆环形结构，底保温盘
(3)的外径等于温场本体(1)的内径，护冒(2)的中部开设有通孔，通
孔、底保温盘(3)与温场本体(1)同轴设置，其特征在于：在温场本体
(1)内增设节能装置，节能装置包括下反射罩(4)、聚能罩(5)、上反射
罩(6)，下反射罩(4)是圆锥桶结构，下反射罩(4)位于下方的小口端
设置有水平设置的定位盘，下反射罩(4)位于上方的大口端与聚能罩(5)
的内壁固定连接，下反射罩(4)的下端与定位盘固定连接，定位盘与护冒
(2)固定连接，定位盘的中部开设有过孔，过孔与通孔同轴设置且直径相
等；聚能罩(5)为圆筒形结构，聚能罩(5)的外径小于底保温盘(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄永恩，李世杰，武哲，
申请(专利权)人：宁晋赛美港龙电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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