多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法及装置制造方法及图纸

技术编号:11943410 阅读:128 留言:0更新日期:2015-08-26 14:39
本发明专利技术提出了多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法和装置,可以同时表征半导体激光器在快慢轴两个方向上的光斑分析,能够同时获取快慢轴两个方向上的发光点强度和相对位置信息。本发明专利技术结构简单,可靠性高,能够直接获取半导体激光器空间光束轮廓图样,同时表征半导体激光器在快慢轴方向上的腔面强度分布和各个发光的空间相对位置,为定性和定量地分析半导体激光器内部及封装中的缺陷、热、应力等因素对半导体激光器输出特性的影响提供指导,能够为研制高性能半导体激光器提供指导。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体激光器测试
,涉及一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法及装置
技术介绍
高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点,已广泛用于激光加工、激光医疗、激光显示及科学研宄领域,因此半导体激光器技术成为新世纪发展快、成果多、学科渗透广、应用范围大的综合性高新技术。目前,对于半导体激光器输出光特性通过诸如光谱、功率、偏振等物理量来表征。半导体激光器正朝着高可靠性高功率的方向发展。可靠性对于半导体激光器在工业中的应用显得尤为重要,可靠性的表征也采用对光谱、功率、偏振等物理量来间接反映,如光谱出现双峰、功率下降、偏振度下降等现象;或者通过扫描声学显微镜的方式,观测焊料层的空洞分布,研宄局部热累积对可靠性的影响,但是属于破坏性的探测方法。检测半导体激光器腔面的光斑强度分布和发光点空间相对位置更是一种无损检测方法,光斑强度分布能够反映发光区尺寸、发光区内部强度的强弱分布(腔面输出模式);发光点空间相对位置直接反映半导体激光器在生长、封装、工作中所受的机械应力和热应力。由于半导体激光器的快慢轴发散角相差很大,半导体激光器腔面的光斑强度分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法包括以下步骤:(1)步骤一:将多发光单元半导体激光器出射的光进行分束,分成光束A及光束B;(2)步骤二:对光束A在快轴方向上进行光学放大,使用图像传感器M探测光束A中各个发光单元的强度,并探测各个发光单元在快轴方向的相对位置偏移,测试图像参数记录为S1;(3)步骤三:对光束B在慢轴方向上进行光学放大,使用图像传感器N探测光束B各个发光单元的强度,并探测各个发光单元在慢轴方向的相对位置偏移,测试图像参数记录为S2;(4)步骤四:通过工控机将步骤二所得的测试图像参数S1及步骤三所得的测试图像参数S2进行图像合成,该合成图像即为多发光单元半导体激光器空间光...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘晖王昊孙翔沈泽南吴迪刘兴胜
申请(专利权)人:西安炬光科技有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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