一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置，涉及显示技术领域，能够在不降低OLED显示装置的开口率的前提下，减小第一电极的IR drop。该OLED阵列基板包括第一电极和多个第一像素定义层，还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的至少一个导电层；在显示区域内部，所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影；在显示区域外部，所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示 目.ο
技术介绍
有机发光二极体(Organic Light Emitting D1de，简称0LED)显示装置具有反应速度快、对比度高、视角广、轻薄、省电以及成本低等优点，越来越受到广泛关注具体地，OLED显示装置包括阵列基板，阵列基板上形成有OLED，OLED的第一电极(通常为阴极)为覆盖在阵列基板上的块状电极，通常采用Mg、Ag等导电金属制成。对于顶发射OLED显示装置，OLED发出的光线从第一电极射出，要求第一电极的透光度较高，因此，通常情况下第一电极很薄，从而使得第一电极的电阻较高，IR drop(电压降)较大。然而过大的IR drop会影响画面的均一"性。现有技术中，通过在阵列基板的非像素区域设置第一电极辅助线来减小IR drop,例如在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干第一电极辅助线。专利技术人发现，现有技术中第一电极辅助线会占据一定的区域，导致开口区域的面积减小，从而降低了整个OLED显示装置的开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置，能够在不降低OLED显示装置的开口率的前提下，减小第一电极的IR drop。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种OLED阵列基板，采用如下技术方案:一种OLED阵列基板，包括第一电极和多个第一像素定义层，还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的至少一个导电层；在显示区域内部，所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影；在显示区域外部，所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。所述阵列基板包括多个所述导电层，在显示区域内部，至少两个所述导电层电连接。所述阵列基板还包括位于所述第一电极和所述至少一个导电层之间的多个第二像素定义层；所述多个第一像素定义层和所述多个第二像素定义层均为绝缘层。所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜晶体管、第二电极和有机发光层；所述薄膜晶体管、所述第二电极、所述第一像素定义层、所述导电层、所述第二像素定义层、所述有机发光层和所述第一电极依次设置于所述衬底基板上。在显示区域内部，所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影。在显示区域外部，所述导电层包括沿远离显示区域内部方向超出所述第二像素定义层的超出部分；所述超出部分与所述第一电极电连接。在显示区域外部，所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影，所述第二像素定义层上设置有对应于所述导电层和所述第一电极的过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述导电层电连接。所述第一像素定义层的材料为有机绝缘物，所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物；或者，所述第一像素定义层的材料为无机绝缘物，所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物；所述导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、钼、铝、钕中的至少一种。本专利技术提供了一种以上所述的OLED阵列基板，由于该OLED阵列基板包括至少一个导电层，且在显示区域内部，多个第一像素定义层在阵列基板上的垂直投影覆盖导电层在阵列基板上的垂直投影，从而使得导电层的设置不会额外占据阵列基板上的开口区域，从而不会降低OLED显示装置的开口率，另外，由于在显示区域外部，导电层和第一电极电连接，从而能够减小第一电极的IR drop，改善OLED显示装置的显示画面的均一性。此外，本专利技术还提供了一种OLED显示装置，该OLED显示装置包括以上任一项所述的OLED阵列基板。为了进一步解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种OLED阵列基板的制作方法，采用如下技术方案:一种OLED阵列基板的制作方法包括: 形成多个第一像素定义层；形成至少一个导电层；形成第一电极；其中，所述导电层位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间，在显示区域内部，所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述至少一个导电层在所述阵列基板上的垂直投影；在显示区域外部，所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。进一步地，在形成至少一个导电层之后，形成第一电极之前，所述制作方法还包括:形成多个第二像素定义层。进一步地，在形成第一像素定义层之前，所述制作方法还包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管；在形成了所述薄膜晶体管的所述衬底基板上，形成第二电极；在形成多个第二像素定义层之后，形成第一电极之前，所述制作方法还包括: 在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上，形成有机发光层。进一步地，在显示区域外部，所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影；在形成多个第二像素定义层之后，所述制作方法还包括:在所述第二像素定义层上形成对应于所述导电层和所述第一电极的过孔。进一步地，在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上，形成有机发光层的步骤具体包括:在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上，使用掩膜板遮盖所述过孔，蒸镀有机发光材料。本专利技术提供了一种如上所述的OLED阵列基板的制作方法，由于在显示区域内部，形成的多个第一像素定义层在阵列基板上的垂直投影覆盖导电层在阵列基板上的垂直投影，从而使得导电层的设置不会额外占据阵列基板上的开口区域，从而不会降低OLED显示装置的开口率，另外，由于在显示区域外部，形成的导电层和第一电极电连接，从而能够减小第一电极的IR drop，改善OLED显示装置的显示画面的均一性。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中的OLED阵列基板的平面示意图；图2为本专利技术实施例中的第一种OLED阵列基板的截面示意图；图3为本专利技术实施例中的第二种OLED阵列基板的截面示意图；图4为本专利技术实施例中的OLED阵列基板的制作流程图。附图标记说明:I一衬底基板； 2—薄膜晶体管；3—第二电极；4一第一像素定义5—导电层；51—超出部分；层；6一第二像素定义61 —过孔；7—有机发光层；层；8—第一电极。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例提供了一种OLED阵列基板，能够在不降低OLED显示装置的开口率的前提下，减小第一电极的IR drop。具体地，如图1和图2所示，该OLED阵列基板(以下简称阵列基板)包括多个第一像素定义层4、第一电极8，以及位于多个第一像素定义层4和第一电极8之间的导电层5，在显示区域内部a，多个第一像素定义层4在阵列基板上的垂直投影覆盖导电层5在阵列基板上的垂直投影，在显示区域外部b，第一电极8和至少一个导电层5电连接。示例性地，本专利技术实施例中的多个第一像素定义层4平面排布，且相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED阵列基板，包括第一电极和多个第一像素定义层，其特征在于，还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的至少一个导电层；在显示区域内部，所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影；在显示区域外部，所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高静，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11