全彩有机发光二极管结构制造技术

技术编号:11903472 阅读:122 留言:0更新日期:2015-08-19 16:03
本发明专利技术提出一种全彩有机发光二极管结构。该全彩有机发光二极管结构包括:玻璃衬底;反射阳极,设置于所述玻璃衬底上;微共振腔调整层,设置于所述反射阳极上;空穴传输层,设置于所述微共振腔调整层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层,以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层,所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。本发明专利技术提出的全彩有机发光二极管结构,能够减少掩模的使用,降低成本,并且得到全彩效果好的发光。

【技术实现步骤摘要】
全彩有机发光二极管结构
本专利技术涉及有机发光二极管
,尤其涉及一种全彩有机发光二极管结构。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)具有主动发光,对比度高,能薄型化,响应速度快等诸多优点,被公认是显示器的主力军。全彩化的效果一直是OLED显示器发展成功与否的关键。目前全彩化OLED的制作方法以红绿蓝三色并列独立发光法、白光加彩色滤光片法、色转换法三种方式为主。其中红蓝绿三色并列独立发光法最有潜力,实际应用最多,其制造方法是在基板上蒸镀三原色也就是红绿蓝像素,在蒸镀红绿蓝其中的一组有机材料时,利用高精度掩模板将另外两个颜色的像素遮蔽,每一个颜色都有相对应的一套高精度掩模板,依序完成蒸镀。图1示出了现有技术中的一种全彩OLED结构,其是以红绿蓝三色并列独立发光,结合作为微腔调整层的空穴注入层,得到全彩化的发光。如图1所示,该OLED结构由下至上包括玻璃衬底1′、反射阳极2′、第一空穴注入层3′、蓝光空穴注入层4-1′、绿光空穴注入层4-2′、红光空穴注入层4-3′、空穴传输层5′、蓝光发光层6-1′、绿光发光层6-2′、红光发光层6-3′、电子传输层7′、电子注入层8′、、半透明阴极9′。所述的蓝光空穴注入层4-1′、绿光空穴注入层4-2′、红光空穴注入层4-3′其材料相同,之所以将其称之为相应颜色的空穴注入层,是因为它们分别与蓝光发光层6-1′、绿光发光层6-2′、红光发光层6-3′相对应,作为微腔调整层,使OLED发出全彩的光。上述结构在制备上存在困难,由于制备蓝光空穴注入层4-1′、绿光空穴注入层4-2′、红光空穴注入层4-3′和蓝光发光层6-1′、绿光发光层6-2′、红光发光层6-3′中的每一次都需要用一次高精度遮挡掩模,总共需要六次高精度遮挡掩模工艺,而每采用一次掩模都需要一套高精度掩模板,且需要高精度对位等工艺,增大了工艺成本,并且该结构增大了混色的机率,因此高精度掩模板的减少使用是迫切需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种全彩有机发光二极管结构及其制造方法,能够减少高精度掩模板的使用,降低成本,并且得到全彩效果好的发光。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:一种全彩有机发光二极管结构,包括:玻璃衬底;反射阳极,设置于所述玻璃衬底上;微共振腔调整层,设置于所述反射阳极上;空穴传输层,设置于所述微共振腔调整层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层,以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层,所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。其中,所述红光和绿光混合发光层为单层结构,包括同时蒸镀的绿光和红光发光材料。其中,蒸镀的绿光和红光发光材料是在主体发光材料中掺杂1-12%的红光磷光材料和3-12%的绿光磷光材料。其中,所述红光和绿光混合发光层为双层结构,包括蒸镀的红光发光材料层以及蒸镀在所述红光发光材料层之上的绿光发光材料层。其中,所述红光发光材料层的厚度为所述绿光发光材料层厚度的两倍。其中,所述红光发光材料层的厚度为2.5-10nm,所述绿光发光材料层的厚度为5-10nm。其中,所述微共振腔调整层包括第一空穴注入层与设置在所述第一空穴注入层上的第二空穴注入层,所述第二空穴注入层包括,蓝光空穴注入层,设置在所述第一空穴注入层上;红光空穴注入层和绿光空穴注入层,设置在所述蓝光空穴注入层上,并且彼此间隔一定距离,所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度之间满足一定比例。其中,所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度的比例为3:2:1。其中,所述蓝光空穴注入层的厚度为750nm,红光空穴注入层的厚度为500nm,所述绿光空穴注入层的厚度为250nm。其中,还包括电子传输层,设置于所述发光层上;电子注入层,设置于所述电子传输层上;半透明阴极层,置于所述电子注入层上。本专利技术还提供了一种全彩有机发光二极管结构的制造方法,包括以下步骤:提供一玻璃衬底;在所述玻璃衬底上形成反射阳极;在所述反射阳极上形成微共振腔调整层;在所述微共振腔调整层上形成空穴传输层;在所述空穴传输层上形成发光层,形成所述发光层的步骤包括采用蒸镀工艺配合高精度掩模板在所述空穴传输层上形成红光和绿光混合发光层,采用蒸镀工艺配合全开口掩模板在所述空穴传输层上和所述红光和绿光混合发光层上形成蓝光发光层。其中,形成红光和绿光混合发光层包括采用高精度掩模板在所述空穴传输层上蒸镀掺杂1-12%的红光磷光材料和3-12%的绿光磷光材料的主体发光材料。其中,形成红光和绿光混合发光层包括,以高精度掩模板在所述空穴传输层上蒸镀红光发光材料层,采用同一套高精度掩模板在所述红光发光材料层之上蒸镀绿光发光材料层。其中,所述红光发光材料层的厚度为所述绿光发光材料层厚度的两倍。其中,所述红光发光材料层的厚度为2.5-10nm,所述绿光发光材料层的厚度为5-10nm。其中,形成微共振腔调整层的步骤包括形成第一空穴注入层,在所述第一空穴注入层上形成第二空穴注入层,形成第二空穴注入层的方法是采用蒸镀工艺配合一套全开口掩模板形成蓝光空穴注入层,采用蒸镀工艺配合高精度掩模板在所述蓝光空穴注入层上分别形成间隔一定距离的红光空穴注入层和绿光空穴注入层,并且使所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度之间满足一定比例。其中,所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度的比例为3:2:1。其中,所述蓝光空穴注入层的厚度为750nm,红光空穴注入层的厚度为500nm,所述绿光空穴注入层的厚度为250nm。其中,还包括在所述发光层上形成电子传输层;在所述电子传输层上形成电子注入层;在所述电子注入层上形成半透明阴极层。本专利技术提出的一种全彩有机发光二极管结构及其制造方法,只需要三次高精度遮挡掩模就能得到全彩发光,减小混色的机率,减少掩模的使用,降低成本。附图说明图1为现有技术中OLED的结构示意图。图2为实施例一中OLED的结构示意图。图3为实施例二中OLED的结构示意图。其中,附图标记说明如下:1′、1、玻璃衬底;2′、2、反射阳极;3′、3、第一空穴注入层;4-1′、4-1、蓝光空穴注入层;4-2′、4-2、绿光空穴注入层;4-3′、4-3、红光空穴注入层;5′、5、空穴传输层、6-1′、6-1蓝光发光层;6-2、红光与绿光发光层;6-2′、6-2-1、绿光发光层;6-3′、6-2-2红光发光层;7′、7电子传输层;8′、8电子注入层;9′、9、半透明阴极。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一本实施例提出一种全彩OLED结构及其制造方法,该结构的示意图如图2所示。该OLED结构包括玻璃衬底1,设置在玻璃衬底2上的反射阳极、设置在反射阳极2上的第一空穴注入层3,设置在第一空穴注入层3上的第二空穴注入层,所述第二空穴注入层是微腔调整层。第二空穴注入层包括蓝光空穴注入层4-1,设置在蓝光空穴注入层4-1上的绿光空穴注入层4本文档来自技高网
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全彩有机发光二极管结构

【技术保护点】
一种全彩有机发光二极管结构,包括:玻璃衬底;反射阳极,设置于所述玻璃衬底上;微共振腔调整层,设置于所述反射阳极上;空穴传输层,设置于所述微共振腔调整层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层,以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层,其特征在于:所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。

【技术特征摘要】
1.一种全彩有机发光二极管结构,包括:玻璃衬底;反射阳极,设置于所述玻璃衬底上;微共振腔调整层,设置于所述反射阳极上;空穴传输层,设置于所述微共振腔调整层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层,以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层,其特征在于:所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。2.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光和绿光混合发光层为单层结构,包括同时蒸镀的绿光和红光发光材料。3.如权利要求2所述的全彩有机发光二极管结构,其中,同时蒸镀的绿光和红光发光材料是在主体发光材料中掺杂1-12%的红光磷光材料和3-12%的绿光磷光材料。4.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光和绿光混合发光层为双层结构,包括蒸镀的红光发光材料层以及蒸镀在所述红光发光材料层之上的绿光发光材料层。5.如权利要求4所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光发光材料层的厚度为所述绿光发光材料层厚度的两倍。6.如权利要求4所述的全彩有机发光二极管结构,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:林信志
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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