发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含：发光二极管芯片；在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层，第一聚硅氧烷膜层包含磷光体；以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。
技术介绍
LED(发光二极管)由于低能耗而被考虑应用为例如灯或显示器。已获得使用GaN系列化合物半导体(例如GaN、GaAIN、InGaN和InAIGaN)的高亮度产品，作为具有约250nm至550nm波长的蓝色或UV LED，并且在例如专利文献1中提出了能够表现出高发射的LED封装的结构。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国专利申请公开号2006-0066773
技术实现思路
技术问题本专利技术涉及提供LED、制造其的方法及其用途。技术方案本专利技术的一个方面提供了示例性发光二极管(下文简称为“LED”)，该示例性LED包括LED芯片、第一聚硅氧烷膜层(下文简称为“第一膜层”)和第二聚硅氧烷膜层(下文简称为“第二膜层”)。例如，如图1所示，所述LED可以依序包括LED芯片101、存在于LED芯片101上的第一聚硅氧烷膜层102和存在于第一膜层102上的第二聚硅氧烷膜层103。此处，第一聚硅氧烷膜层102可以与LED芯片101接触，并且第二聚硅氧烷膜层103可以与第一膜层102接触。在下文中，除非特别另行限定，否则折射率可以指对于波长约400nm的光所测量的折射率。包括在LED中的LED芯片的种类无特别限制，并且可以使用已知芯片。例如，可以使用通过将半导体材料堆叠在衬底上所形成的LED芯片，并且可以使用GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN或SiC作为该半导体材料，但本专利技术不限于此。LED芯片的发射波长可以是例如250nm至550nm、300nm至500nm或330nm至470nm。发射波长可以指主要发射峰波长。当LED芯片的发射波长设置在上述范围内时，可以获得具有较长寿命、高能效和高色域的白色LED。在一个实例中，第一和第二膜层可以具有不同的折射率，并且第一膜层可以具有高于第二膜层的折射率。如下文所述，当第二膜层包括磷光体时，在第一和第二膜层之间的折射率比较中，第二膜层的折射率可以为包括该磷光体时的折射率或不包括该磷光体时的折射率。例如，第一膜层对于波长为400nm的光所测量的折射率可以为1.50以上或为1.55以上。此外，第一膜层的折射率上限无特别限制，并且第一膜层的折射率可以在例如约1.7以下、1.65以下或1.6以下的范围内测定。第二膜层对于波长为400nm的光所测量的折射率可以为1.6以下、小于1.6或为1.55以下。例如，当第二膜层包括如下文所述的磷光体时，第二膜层的折射率可以为对于不包括该磷光体的第二膜层所测量的折射率。第二膜层的折射率下限无特别限制，并且第二膜层的折射率可以在例如约1.3以上、1.35以上、1.4以上或1.45以上的范围内测定。在LED的结构中，例如，第一和第二膜层可以分别具有在1μm至300μm的范围内的厚度。例如，第一膜层可以具有约1μm至250μm、1μm至200μm、1μm至150μm、1μm至100μm或lμm至50μm的厚度。此外，第二膜层可以具有约10μm至300μm、20μm至300μm、30μm至300μm、40μm至300μm、50μm至300μm、55μm至300μm、55μm至250μm、55μm至200μm或55μm至150μm的厚度。在上述范围内，可以表现出优异的颜色均匀度和色散，以及高初始光通量。第一和第二膜层可以分别为包含聚硅氧烷树脂的聚硅氧烷膜层。例如，第一和/或第二膜层可以通过固化包含有机聚硅氧烷(A)和有机聚硅氧烷(B)的组合物来形成，所述有机聚硅氧烷(A)包含至少两个脂族不饱和键，所述有机聚硅氧烷(B)包含键合于硅原子的氢原子。此处，例如可以使用具有式1的平均单元的有机聚硅氧烷作为有机聚硅氧烷(A)。[式1]PaQbSiO(4-a-b)/2在式1中，P为烯基，Q为环氧基或单价烃基，并且a和b为使得a+b为0.8至2.2或1至2.2且a/(a+b)为0.001至0.15的数值。在本说明书中，表述“有机聚硅氧烷具有预定平均单元”意指该有机聚硅氧烷由具有预定平均单元的单一组分所形成，或为至少两种组分的混合物并且具有由预定平均单元所表示的混合物中各组分的平均组成。因此，有机聚硅氧烷(A)为具有式1的平均单元的直链、支链或交联的单一有机聚硅氧烷，或至少两种所述有机聚硅氧烷的混合物。本文中所使用的术语“单价烃基”可以指来自于由碳和氢组成的有机化合物或其衍生物的单价残基。式1的单价烃基包括至少两个碳，并且在另一实例中，可以包括2至25个碳原子。可以使用例如烷基、烯基或芳基作为该单价烃基。除非特别另行限定，否则本文所使用的术语“烷氧基”可以指具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的烷氧基。该烷氧基可以具有直链、支链或环状结构，并且可以任选地由至少一个取代基取代。除非特别另行限定，否则本文所使用的术语“烷基”可以指具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的烷基。该烷基可以具有直链、支链或环状结构，并且可以任选地由至少一个取代基取代。除非特别另行限定，否则本文所使用的术语“烯基”可以是具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4个碳原子的烯基。该烯基可以具有直链、支链或环状结构，并且可以任选地由至少一个取代基取代。除非特别另行限定，否则本文所使用的术语“芳基”可以指来自于包含苯环或包含至少两个苯环相连接或稠合的结构的化合物或来自于其衍生物的单价残基。即，在芳基的范围中，除通常被称为芳基的芳基外，还可以包括芳烷基或芳基烷基。该芳基可以是具有例如6至25、6至21、6至18或6至13个碳原子的芳基。该芳基可以是苯基、二氯苯基、氯苯基、苯乙基、苯丙基、苄基、甲苯基、二甲苯基或萘基，并且优选为苯基。除非特别另行限定，否则本文所使用的术语“环氧基”可以指来自于具有三个成环原子的环醚或包括该环醚的化合物的单价残基。该环氧基可以是环氧丙基、环氧烷基、环氧丙氧基烷基或脂环族环氧基。脂环族环氧基可以指具有脂族烃环结构并且来自于包含形成该脂族烃环的两个碳原子还形成环氧基的结构的化合物的单价残基。脂环族环氧基可以是具有6至12个碳原子的脂环族环氧基，例如3，4-环氧环己基乙基。在本说明书中，能够任选地取代于单价烃基、烷基、烯基、烷氧基、环氧基或芳基的取代基可以是但不限于卤素、环氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包含：发光二极管芯片；形成在所述发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层，所述第一聚硅氧烷膜层包括磷光体；以及形成在所述第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，所述第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧烷膜层的折射率低的折射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.28 KR 10-2012-0136497;2013.11.28 KR 10-2011.一种发光二极管，包含：
发光二极管芯片；
形成在所述发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层，所述第一聚硅氧
烷膜层包括磷光体；以及
形成在所述第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，所述第二聚硅
氧烷膜层包含磷光体，并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧
烷膜层的折射率低的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一聚硅氧烷膜层对于
波长400nm的光具有1.5以上的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二聚硅氧烷膜层当不
包含磷光体时对于波长400nm的光具有1.6以下的折射率。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一聚硅氧烷膜层或所
述第二聚硅氧烷膜层为下述组合物的固化膜层，所述组合物包括具有式1
的平均单元的有机聚硅氧烷和具有式2的平均单元的有机聚硅氧烷：
[式1]
PaQbSiO(4-a-b)/2[式11]
HcQdSiO(4-c-d)/2在式1和式11中，P为烯基，Q为环氧基或单价烃基，a+b在0.8至
2.2的范围内且a/(a+b)为在0.001至0.15的范围内的数值，并且c和d为
使得c+d为1至2.8且c/(c+d)为0.001至0.34的数值。
5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏镇，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR