减小LED芯片发光角度的方法技术

本发明专利技术提供一种减小LED芯片发光角度的方法，涉及LED芯片的制造技术领域。该方法在LED芯片制程过程中，对所述LED芯片进行长掩膜硅，并匀保护胶；使用激光划片机采取离焦法对所述芯片的Mesa走道进行正划，划出一个锥孔形的划道；对所述的LED芯片进行酸腐蚀工艺；对所述LED芯片进行ITO蒸镀及光刻；对所述的LED芯片进行沉积钝化硅；对所述的LED芯片进行PN光刻，对所述的LED芯片进行钝化硅蚀刻，对所述的划道进行开孔，去除所述划道内的钝化硅；在所述划道的内壁进行金属蒸镀；对所述的LED芯片进行金属剥离工艺处理，对所述的LED芯片进行去胶工艺。使用本发明专利技术提供的方法能有效减小LED芯片的发光角度，同时还能够提高LED芯片的轴向亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片的制造
，具体涉及一种减小LED芯片发光角度的方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，LED芯片的应用越来越广泛，对于较小发光角度的LED芯片的需求也越来越大。现有的LED芯片制程过程中改变LED芯片的发光角度较困难，因此只能在后续的芯片封装过程中通过封装手段改变芯片的发光角度。在现有的LED芯片制程过程中减小LED芯片的发光角度比较困难。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种减小LED芯片发光角度的方法，使得LED芯片在制程过程中能够方便且有效地减小LED芯片的发光角度。(二)技术方案为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种减小LED芯片发光角度的方法，其中，S1：对所述LED芯片进行长掩膜硅，并对所述芯片(2)匀保护胶；S2：使用激光划片机对所述芯片的Mesa走道进行正划，在所述的芯片(2)上划出一个划道(1)。优选的所述的减小LED芯片发光角度的方法，还包括以下步骤：S3：对所述LED芯片进行酸腐蚀工艺；S4：对所述LED芯片进行ITO蒸镀及光刻；S5：对所述LED芯片进行沉积钝化硅；S6：对所述LED芯片进行PN光刻；S7：对所述LED芯片进行钝化硅蚀刻，即对钝化硅进行开孔，去除所述划道(1)内的钝化硅；S8：对所述LED芯片上的划道(1)内壁进行金属蒸镀；S9：对经过步骤S8的所述的LED芯片进行金属剥离工艺，对所述的LED芯片进行去胶工艺。优选的步骤S1中所述的LED芯片为完成Mesa刻蚀后的LED芯片。优选的步骤S2中所述的划道(1)为锥孔形。优选的步骤S2中所述的划道(1)深度控制在20—22μm，上开口的直径控制在12—16μm，下开口的直径控制在2—4μm。优选的步骤S2中使用的激光划片的方法为离焦法。优选的离焦法为：当划片机的激光束在晶片表面聚焦后，再将激光头沿Z轴方向提升3～5微米，使激光束处于离焦状态，然后再进行划片。优选的步骤S3中的酸腐蚀工艺的温度控制在120℃-150℃之间，腐蚀时间控制在30-60分钟。优选的步骤S8中所述的金属蒸镀至少蒸镀一层金属。(三)有益效果本专利技术提供了一种减小LED芯片发光角度的方法，通过在所述芯片上用激光划片机划出一个锥孔形的划道，所述的LED芯片发出的光线会被划道侧壁蒸镀的金属膜层遮挡，从而可有效减小LED芯片的发光角度。同时，由于在所述的划道侧壁上蒸镀金属，使划道侧壁的反光性增加，从而可以在减小LED芯片发光角度的同时提高所述LED芯片在轴向的发光强度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为减小LED芯片发光角度方法的主要步骤；图2为减小LED芯片发光角度方法的流程图；图3为激光划道的截面示意图；图4为通过传统工艺制作完成的LED样品配光图；图5为使用本专利技术的方法制作完成的样品配光图；其中，1-划道，2-芯片。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1和图2所示，图1是本专利技术提供的减小发光角度的LED芯片方法的流程图，其中所加工的芯片为经过Mesa(刻台阶)蚀刻之后的LED芯片，该方法包括：步骤1：对要加工的LED芯片进行长掩膜硅，并匀保护胶；步骤2：激光划道—通过激光划片机对所述的LED芯片的Mesa走道进行正划，在芯片2上划出一个锥形划道1，其中划道1的深度(H)控制在20-22μm，上开口的直径(D1)控制在12—16μm，下开口的直径(D2)控制在2—4μm，划道1的截面如附图3所示；在步骤1中，所加工的LED芯片为正常完成Mesa刻蚀工艺后的LED芯片，对其进行长掩膜硅、匀保护胶，保护LED芯片在后续的激光划片过程不受损伤；步骤2中激光划片所使用的方法为离焦法，所谓离焦法是指当划片机的激光束在晶片表面聚焦后，再将激光头沿Z轴方向提升3～5微米，使激光束处于离焦状态，然后再进行划片；完成步骤2之后，在芯片2上划出一个划道1，划道1可以根据不同的划法得出不同的形状，可以是锥孔，也可以是其他形状的孔。图2为完成所述LED芯片的其他步骤，主要包括：步骤3：去除所述LED芯片上的保护胶，并对所述的LED芯片进行酸腐蚀，酸腐蚀的温度控制在120℃—150℃，酸腐蚀的时间控制在30分钟到60分钟；步骤4：对LED芯片进行ITO蒸镀并进行光刻；步骤5：沉积钝化硅；步骤6：对经过步骤S5的所述LED芯片进行PN光刻；步骤7：对LED芯片进行钝化硅蚀刻，即钝化硅进行开孔，去除划道1内的钝化硅；步骤8：进行金属蒸镀；步骤9：Lift-off(金属剥离)并去胶。在步骤3中酸腐蚀工艺的温度控制在120℃-150℃之间，腐蚀时间控制在30-60分钟；在对LED芯片进行步骤6的处理后，划道1内填充了钝化硅，需要对LED芯片进行开孔，去除划道1内的钝化硅和其他杂质；对LED芯片进行步骤8的金属蒸镀的过程中，蒸镀至少一层金属，其中一种优选方案为分别按先后顺序蒸镀Cr(铬)、Al(铝)、Ti(钛)、Au(金)四层不同的金属。以完成Mesa刻蚀的B1125版型的LED芯片为例，步骤1：对完成Mesa刻蚀的B1125版型的LED芯片进行长掩膜硅，并匀保护胶，防止LED芯片在下一步的激光刻片的过程中受到损伤；步骤2：对所完成步骤1的LED芯片采用离焦法进行激光划片，即当划片机的激光束在芯片表面聚焦后，将激光头沿Z轴方向提升4微米，使激光束处于离焦状态，然后进行划片；对LED芯片的Mesa走道进行正划，划出一个深度为21μm，上开口直径为14μm，下开口直径为3μm的锥形划道；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小LED芯片发光角度的方法，其特征在于具体包括以下步骤：S1：对所述LED芯片进行长掩膜硅，并对所述芯片(2)匀保护胶；S2：使用激光划片机对所述芯片的Mesa走道进行正划，在所述的芯片(2)上划出一个划道(1)。

【技术特征摘要】
1.一种减小LED芯片发光角度的方法，其特征在于具体包括以下
步骤：
S1：对所述LED芯片进行长掩膜硅，并对所述芯片(2)匀保护
胶；
S2：使用激光划片机对所述芯片的Mesa走道进行正划，在所述的
芯片(2)上划出一个划道(1)。
2.如权利要求1所述的一种减小LED芯片发光角度的方法，其
特征在于，所述的减小LED芯片发光角度的方法，还包括以下步骤：
S3：对所述LED芯片进行酸腐蚀工艺；
S4：对所述LED芯片进行ITO蒸镀及光刻；
S5：对所述LED芯片进行沉积钝化硅；
S6：对所述LED芯片进行PN光刻；
S7：对所述LED芯片进行钝化硅蚀刻，即对钝化硅进行开孔，去
除所述划道(1)内的钝化硅；
S8：对所述LED芯片上的划道(1)内壁进行金属蒸镀；
S9：对经过步骤S8的所述的LED芯片进行金属剥离工艺，对所
述的LED芯片进行去胶工艺。
3.如权利要求1所述的减小LED芯片发光角度的方法，其特征
在于步骤S1中所述的LED芯片为完成Mesa刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴化胜，周小平，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34