一种适用于上颌窦内提升术的牙种植体制造技术

本实用新型专利技术提供一种适用于上颌窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于：所述牙种植体（1）的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带（2），所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。所述牙种植体（1）的顶部外缘圆钝，呈圆弧状。所述环状色带（2）为黑色激光条带。所述牙种植体（1）顶部向下凹陷中央的最大深度为1mm。所述牙种植体（1）的长度为10mm。本实用新型专利技术提高上颌窦内提升术的安全性、规范性，降低上颌窦底粘膜穿通风险。顶端凹形可留少许自体松质骨组织的设计，可免除同期骨移植术，故可减少费用，缩短疗程。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种医疗器械，尤其涉及一种适用于上颁窦内提升术的牙种植体。
技术介绍
因失牙后引起牙槽骨萎缩、上颁窦腔气化等原因所导致的上颁后牙骨量不足，是影响上颁后牙种植修复的重要因素，而上颁窦内提升术是解决这一难题行之有效的治疗手段。为避免该术式中上颁窦粘膜的穿通，从而避免上颁窦腔内的感染发生，学者们专利技术和改进了上颁窦内提升术的手术器械，以提高手术的安全性和有效性，但有关适用于上颁数种窦内提升术的种植体设计，尚未见文献报道。在上颁窦内提升术中，常常是使用骨凿、骨挤压器等工具，敲击种植窝洞顶部，造成上颁窦下壁近Imm处骨质发生人工骨折，使该处窦底骨质连同其附丽的上颁窦粘膜一并向上推移，以增加种植窝洞的骨质高度，达到种植体部初期稳定性目的。为避免种植体植入过程中穿通菲薄的上颁窦下壁，临床上常常还需同期植入骨移植物。然而，在实际临床工作中，也会遇到在种植体旋入种植窝洞过程中不慎将种植体推入上颁窦腔的病例发生，宄其原因除用力过大外，也与种植体设计有关，因目前使用的种植体多为根形，顶端呈锥状，有螺纹，具自攻作用，这种有自攻作用的凸形顶端的根形种植体较易造成上颁窦下壁的穿通。
技术实现思路
本技术旨在针对
技术介绍
存在的问题，提供一种降低上颁窦底粘膜穿通风险的牙种植体。本技术采用如下技术方案:一种适用于上颁窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于:所述牙种植体(I)的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带(2)，所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。所述牙种植体(I)的顶部外缘圆钝，呈圆弧状。所述环状色带(2)为黑色激光条带。所述牙种植体(I)顶部向下凹陷中央的最大深度为1mm。所述牙种植体(I)的长度为10mm。由于上颁窦下壁处多为松质骨，该植体前端呈凹形，边缘圆钝，可减少穿通上颁窦风险。植体体部有螺丝，具备良好的骨挤压作用，能增加种植窝洞的骨密度。同时，由于顶端凹形处可留少许自体松质骨组织，故可免除同期骨移植术。本技术植体顶端呈凹盘形，边缘呈光滑的圆弧状。因上颁窦下壁呈梨形，故旋入植体过程中，会像吸盘一样吸附于上颁窦下壁骨质中，在植体底部不断的旋转推力下，植体顶端缓缓地推动上颁窦下壁及其粘膜一并抬高，增加种植区的骨高度，以利于种植体就位，上颁窦内提升术为盲视下操作，植体旋入窝洞内深度完全靠肉眼观察，本技术植体表面有黑色激光条带，便于观察种植体植入深度。6-8mm是上颁窦内提升非常有指导意义的距离，上颁后牙槽嵴顶距上颁窦距离小于5-6mm，多建议采用上颁窦外提升术，以提供更大的提升空间；而上颁后牙区剩余骨量大于8mm，可考虑使用短种植体，而非必须行上颁窦内提升术。植体表面6-8_的黑色标识带为激光蚀刻，不影响植体表面涂层结构。上颁窦内提升术的提升空间多为2-4_，故种植体长度设计可为10_。本技术的有益技术效果:提高上颁窦内提升术的安全性、规范性，降低上颁窦底粘膜穿通风险。顶端凹形可留少许自体松质骨组织的设计，可免除同期骨移植术，故可减少费用，缩短疗程。【附图说明】图1为本技术结构示意图；图2为本技术使用状态结构示意图；其中:牙种植体-1，环状色带_2，手用扳手-3。【具体实施方式】下面结合附图所示的实施例对本技术作进一步说明。一种适用于上颁窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于:所述牙种植体(I)的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带(2)，所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。所述牙种植体(I)的顶部外缘圆钝，呈圆弧状。所述环状色带(2)为黑色激光条带。所述牙种植体(I)顶部向下凹陷中央的最大深度为1_。所述牙种植体(I)的长度为1mm0在上颁窦内提升术完成手术备洞操作，将手用扳手3插入种植体连接处，缓慢而有力，利用植体凹形盘状和圆钝弧形边缘前端，将上颁窦下壁及其粘膜一并向上推压，从而起到增加种植区骨高度和骨密度的目的。当种植体黑色标志带上端与牙槽嵴顶平行时，表明种植体已进入种植窝洞6mm，如继续旋入种植体至黑色标识带下端，则表明种植体已进入种植窝洞8mm。由此可以较为精准的掌握种植体处于上颁窦下壁处的具体位置，避免上颁窦穿通；同时经过骨挤压后，上颁窦下壁处骨松质组织密度增高，种植体初期稳定性增强；植体顶部凹形中央窝深度为Imm左右，此处可留少许骨质，故可免除骨移植手术。【主权项】1.一种适用于上颁窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于:所述牙种植体(I)的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带(2)，所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。2.如权利要求1所述的适用于上颁窦内提升术的牙种植体，其特征在于:所述牙种植体(I)的顶部外缘圆钝，呈圆弧状。3.如权利要求1所述的适用于上颁窦内提升术的牙种植体，其特征在于:所述环状色带(2)为黑色激光条带。4.如权利要求1所述的适用于上颁窦内提升术的牙种植体，其特征在于:所述牙种植体(I)顶部向下凹陷中央的最大深度为1mm。5.如权利要求1所述的适用于上颁窦内提升术的牙种植体，其特征在于:所述牙种植体(I)的长度为1mm0【专利摘要】本技术提供一种适用于上颌窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于：所述牙种植体（1）的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带（2），所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。所述牙种植体（1）的顶部外缘圆钝，呈圆弧状。所述环状色带（2）为黑色激光条带。所述牙种植体（1）顶部向下凹陷中央的最大深度为1mm。所述牙种植体（1）的长度为10mm。本技术提高上颌窦内提升术的安全性、规范性，降低上颌窦底粘膜穿通风险。顶端凹形可留少许自体松质骨组织的设计，可免除同期骨移植术，故可减少费用，缩短疗程。【IPC分类】A61C8-00【公开号】CN204501061【申请号】CN201520185243【专利技术人】陈建钢, 王园园, 王璐璐 【申请人】武汉大学【公开日】2015年7月29日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于上颌窦内提升术的牙种植体，牙种植体表面为螺丝状，其特征在于：所述牙种植体（1）的顶部向下凹陷，牙种植体的表面设置有环状色带（2），所述色带上缘距顶部6mm，下缘距顶部8mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建钢，王园园，王璐璐，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：新型
国别省市：湖北;42