TFT基板制造技术

TFT基板(100)包含：栅极配线(2)和源极配线(4)；TFT(6)；与TFT电连接的透明像素电极(30)；包含与TFT的漏极电极(15)和透明像素电极连接的透明连接部分(34A)的透明导电层(34)；以及配置在透明像素电极和透明导电层之间的透明绝缘层(28)，透明连接部分(34A)具有：作为与漏极电极的连接部的第1连接部(C1)；以及作为与透明像素电极的连接部的第2连接部(C2)，第2连接部(C2)的至少一部分位于被栅极配线和源极配线包围的区域内，构成为，在第2连接部中从透明连接部分到透明像素电极的部分透射光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板
本专利技术涉及TFT基板，特别是涉及适用于显示装置的TFT基板。
技术介绍
有源矩阵型的液晶显示装置一般具备：按每个像素形成有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下称为“TFT”)作为开关元件的基板(以下称为“TFT基板”)；形成有彩色滤光片等的相对基板；设置在TFT基板和相对基板之间的液晶层；以及用于对液晶层施加电压的一对电极。在有源矩阵型的液晶显示装置中，根据其用途提出、采用各种工作模式。作为工作模式，能列举TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment：垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching：面内开关)模式、FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式等。其中TN模式、VA模式是由夹着液晶层配置的一对电极对液晶分子施加电场的纵方向电场方式的模式。IPS模式、FFS模式是在一方基板上设置一对电极并在与基板面平行的方向(横方向)上对液晶分子施加电场的横方向电场方式的模式。在横方向电场方式中，液晶分子不从基板立起，因此与纵方向电场方式相比具有能实现广视野角的优点。FFS模式的液晶显示装置例如公开于专利文献1等中。在其中使用的TFT基板中，在TFT的上方隔着绝缘膜设置有共用电极和像素电极。在这些电极中的典型地位于液晶层侧的电极(例如像素电极)中形成有狭缝状的开口。由此，产生由从像素电极出来穿过液晶层进而穿过狭缝状的开口而从共用电极出来的电力线表示的电场。该电场相对于液晶层具有横方向的成分，因此能使在水平方向上取向的液晶分子在面内旋转。另外，提出了使用氧化物半导体代替硅半导体形成TFT的有源层的方案。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。例如，在专利文献2中公开了使用氧化物半导体TFT作为开关元件的有源矩阵型的液晶显示装置。氧化物半导体具有比非晶硅的迁移率高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能高速地工作。另外，具有与多晶硅膜相比能以简便的工艺形成氧化物半导体膜的优点。氧化物半导体TFT的尺寸较小，因此如果将其用于显示装置中，与使用以往的TFT的情况相比，能提高像素开口率。因此，能实现更明亮的显示。或者，也可以降低背光源的明亮度，能降低功耗。而且，氧化物半导体TFT的截止漏电流非常小，因此通过将以往采用双栅型的TFT改为采用单栅型就能实现小型化。另外，将截止期间中的保持电压适当地维持比较长的时间。因此，能采用根据使用状况降低工作频率的驱动方式，能不导致闪烁等显示不良地实现功耗的降低。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2008-32899号公报专利文献2:特开2012-134475号公报专利文献3:特开2011-100041号公报专利文献4:特开2011-113081号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，根据液晶显示装置的用途的扩大、要求标准，在TFT基板中谋求进一步的高清晰化和高透射率化。在智能手机等便携用设备中使用的小型、高清晰的显示装置中，根据工艺规则(或者设计规则)，再缩小配线图案的线宽是困难的状况。因此，在更小的像素中像素开口率必然降低，实现高透射率化是不容易的。显示装置的小型化、高清晰化的问题之一是如何能提高像素开口率这一点。这样，在TFT基板中，有进一步提高像素开口率的问题。本专利技术是鉴于上述问题完成的，主要目的是提供能适用于小型、高清晰的显示装置的开口率提高的TFT基板。用于解决问题的方案本专利技术的实施方式的TFT基板具备：基板；栅极配线和源极配线，其设置在上述基板上；TFT，其包含与上述栅极配线连接的栅极电极、与上述源极配线连接的源极电极、漏极电极以及半导体层；透明像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；透明导电层，其包含与上述TFT的上述漏极电极和上述透明像素电极连接的透明连接部分，上述透明连接部分具有：第1连接部，其作为与上述漏极电极的连接部；以及第2连接部，其设置在与上述第1连接部不同的位置，作为与上述透明像素电极的连接部；以及透明绝缘层，其配置在上述透明像素电极和上述透明导电层之间，在与上述第2连接部对应的位置具有开口部，上述第2连接部的至少一部分和上述开口部的至少一部分位于被上述栅极配线和上述源极配线包围的区域内，构成为，在上述第2连接部中，至少从上述透明连接部分到上述透明像素电极的部分透射光，上述TFT基板还具有覆盖上述TFT的平坦化层，上述透明连接部分的上述第1连接部位于设置于上述平坦化层的开口部内，上述透明连接部分的上述第2连接部位于上述平坦化层上。在某实施方式中，上述透明连接部分形成为岛状，上述第1连接部形成在上述栅极配线上，上述第2连接部的至少一部分在上述第1连接部的附近形成在与上述栅极配线不重叠的位置。在某实施方式中，上述透明像素电极和上述第1连接部在从基板法线方向看时至少有一部分不重叠。在某实施方式中，上述透明像素电极在俯视时是矩形，上述透明像素电极的4边中的与上述TFT接近的一侧的1边位于比上述栅极配线靠像素区域侧。在某实施方式中，上述TFT基板还具有设置在上述栅极电极上的栅极绝缘层，上述源极电极、上述漏极电极以及上述半导体层形成在上述栅极绝缘层上。在某实施方式中，上述TFT基板还具有覆盖上述TFT的平坦化层，上述透明连接部分的上述第1连接部位于设置于上述平坦化层的开口部内，上述透明连接部分的上述第2连接部位于上述平坦化层上。在某实施方式中，上述平坦化层的厚度为1μm以上3μm以下，上述透明绝缘层的厚度为10nm以上500nm以下。在某实施方式中，上述平坦化层由感光性的有机绝缘材料形成，上述透明绝缘层由无机绝缘材料形成。在某实施方式中，设置于上述平坦化层的开口部的尺寸为3μm以上10μm以下，设置于上述绝缘层的开口部的尺寸为2μm以上9μm以下，前者大于后者。在某实施方式中，上述透明导电层还具有与上述透明连接部分绝缘的辅助电容形成部分，上述辅助电容形成部分隔着上述透明绝缘层在与上述透明像素电极之间形成辅助电容。在某实施方式中，上述TFT基板具有：以与上述透明像素电极相对的方式配置的共用电极；以及设置在上述共用电极和上述透明像素电极之间的绝缘层，上述共用电极与上述透明像素电极和上述漏极电极电绝缘，上述透明像素电极和上述共用电极中的至少一方具有多个狭缝或者多个细长电极部分，使得在上述共用电极和上述透明像素电极之间产生倾斜电场。在某实施方式中，上述共用电极具有多个狭缝或者多个细长电极部分，上述透明像素电极不具有多个狭缝或者多个细长电极部分，上述共用电极、上述透明像素电极、上述透明绝缘层以及上述透明导电层从上层起按该顺序排列。在某实施方式中，上述半导体层是氧化物半导体层。专利技术效果根据本专利技术的实施方式，能得到适用于显示装置的开口率提高的TFT基板。附图说明图1是示出比较例1的TFT基板的大致与1个像素对应的区域的俯视图。图2(a)～(c)分别示出沿着图1的C-D线、E-F线以及G-H线的截面。图3是示出比较例2的TFT基板的大致与1个像素对应的区域的俯视图。图4是示出本专利技术的实施方式1的TFT基板的大致与1个像素对应的区域的俯视图。图5(a)～(c)分别示出沿着图4的C-D线、E-F线以及G-H线的截面。图6是示出实施方式1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板，其特征在于，具备：基板；栅极配线和源极配线，其设置在上述基板上；TFT，其包含与上述栅极配线连接的栅极电极、与上述源极配线连接的源极电极、漏极电极以及半导体层；透明像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；透明导电层，其包含与上述TFT的上述漏极电极和上述透明像素电极连接的透明连接部分，上述透明连接部分具有：第1连接部，其作为与上述漏极电极的连接部；以及第2连接部，其设置在与上述第1连接部不同的位置，作为与上述透明像素电极的连接部；以及透明绝缘层，其配置在上述透明像素电极和上述透明导电层之间，在与上述第2连接部对应的位置具有开口部，上述第2连接部的至少一部分和上述开口部的至少一部分位于被上述栅极配线和上述源极配线包围的区域内，构成为，在上述第2连接部中，至少从上述透明连接部分到上述透明像素电极的部分透射光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.30 JP 2012-2622541.一种TFT基板，其特征在于，具备：基板；栅极配线和源极配线，其设置在上述基板上；TFT，其包含与上述栅极配线连接的栅极电极、与上述源极配线连接的源极电极、漏极电极以及半导体层；透明像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；透明导电层，其包含与上述TFT的上述漏极电极和上述透明像素电极连接的透明连接部分，上述透明连接部分具有：第1连接部，其作为与上述漏极电极的连接部；以及第2连接部，其设置在与上述第1连接部不同的位置，作为与上述透明像素电极的连接部；以及透明绝缘层，其配置在上述透明像素电极和上述透明导电层之间，在与上述第2连接部对应的位置具有开口部，上述第2连接部的至少一部分和上述开口部的至少一部分位于被上述栅极配线和上述源极配线包围的区域内，构成为，在上述第2连接部中，至少从上述透明连接部分到上述透明像素电极的部分透射光，上述TFT基板还具有覆盖上述TFT的平坦化层，上述透明连接部分的上述第1连接部位于设置于上述平坦化层的开口部内，上述透明连接部分的上述第2连接部位于上述平坦化层上。2.根据权利要求1所述的TFT基板，上述透明连接部分形成为岛状，上述第1连接部形成在上述栅极配线上，上述第2连接部的至少一部分在上述第1连接部的附近形成在与上述栅极配线不重叠的位置。3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，上述透明像素电极和上述第1连接部在从基板法线方向看时至少有一部分不重叠。4.根据权利要求3所述的TFT基板，上述透明像素电极在俯视时是矩形，上述透明像素电极的4边中的与上述TFT接...

【专利技术属性】
技术研发人员：森胁弘幸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP