本实用新型专利技术涉及一种分离器件纹波抑制电路，包括输出电压采样回路和LDO低压差线性稳压器，输出电压采样回路包括第二十一电阻、第二十二电阻、第十二电容、第十二极管和第十一稳压管；LDO低压差线性稳压器包括第四低压MOS管、第五三极管、第二十四电阻、第二十五电阻、第十二稳压管、第十三稳压管、信号输入端和LED。本实用新型专利技术能够有效解决现有单级PFC变换器存在的输出端的低频纹波较大，易出现LED灯频闪的问题，且结构简单，电性能指标可靠，适用于各种单级PFC变换器电路拓扑，可广泛应用于分立器件纹波抑制领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种分离器件纹波抑制电路。
技术介绍
随着LED驱动电源小型化技术的发展，越来越多的单级PFC变换器设计方案，取代传统的无源PCF及有源PFC变换器设计方案。单级PFC变换器设计方案的输出纹波电压是其输出特性的重要指标之一，输出纹波电压的大小反映了单级PFC变换器设计方案存在低频纹波。低频纹波是单级PFC驱动电源的输出纹波电压中的低频部分，主要来源于单级PFC变换器的供电电源和单级PFC变换器变换器自身的开关变换。低频纹波是与单级PFC变换器的拓扑结构、闭环增益、变比和输出电容的容量等密切相关。通过调整拓扑结构、闭环增益、变比和增加输出电容的容量可以在一定程度上减小低频纹波，但输出端的低频纹波仍然会较大，存在LED灯频闪，所以迫切需要一种适用各种电路拓扑的简单有效的低频纹波抑制电路来使单级PFC变换器更好去掉频闪。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种分离器件纹波抑制电路，解决现有单级PFC变换器存在的输出端的低频纹波较大，易出现LED灯频闪的问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种分离器件纹波抑制电路，其特征在于:包括输出电压采样回路和LDO低压差线性稳压器，输出电压采样回路包括第二十一电阻、第十二电容；LDO低压差线性稳压器包括第四低压MOS管、第五三极管、第二十四电阻、第二十五电阻、第十三稳压管、信号输入端和LED ;第二十一电阻的一端和输入电压正极相连，第二十一电阻的另一端连接第十二电容的一端，第十二电容的另一端同时连接信号输入端的负极和LED的负极；第四低压MOS管的源极同时连接信号输入端的正极、第十三稳压管的阴极、第二十五电阻的一端；第四低压MOS管的栅极连接第五三极管的集电极相连；第二十五电阻的另一端同时与第五三极管的基极、第二十四电阻(R24)的一端相连；第四低压MOS管的漏极同时与第十三稳压管的阳极、第五三极管的发射极、第二十四电阻的另一端、LED的正极相连。为了实现输出短路保护，还包括第十二极管和第十一稳压管；第十二极管的阴极和第十一稳压管的阴极相连，第十二极管的阳极和第二十一电阻的一端相连，第十一稳压管的阳极连接在第二十一电阻和第十二电容之间。为了对第四低压MOS管Q4管GS极的过压保护，还包括第二十二电阻和第十二稳压管；第二十二电阻的一端和第十一稳压管的阳极相连；第二十二电阻的另一端和第十二稳压管的阴极同时和第四低压MOS管的栅极相连；第十二稳压管的阳极和第四低压MOS管的漏极相连。本技术的有益效果:通过设置第二十一电阻R21和第十二电容C12对信号输入端输入的大波纹信号进行滤波处理，然后由第十二电容C12输出一个均方根植电压驱动第四低压MOS管Q4。第四低压MOS管Q4工作在放大区，由于第十二电容C12输出一个保持稳定平滑均方根植电压，所以第四低压MOS管Q4也就输出一个平滑的电流波形图，就实现了低频纹波的抑制效果，也就是使得输出给LED的信号中的低频纹波得到了很好的抑制，解决了 LED灯频闪的问题。同时第十二极管D10、第十一稳压管的Dll组成输出短路启动保护电路；第二十二电阻R22、第十二稳压管D12组成第四低压MOS管Q4管GS极的过压保护电路；第五三极管Q5、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第十二稳压管D13组成第四低压MOS管Q4管DS极过压、过流保护电路；都在解决LED灯频闪问题的同时，保证了电路的稳定性和可靠性。既可以保持电性能指标，又可以简单有效地实现对输出纹波中低频纹波的抑制，解决单级PFC变换器输出纹波电压中的低频纹波干扰，适用于各种单级PFC变换器电路拓扑。本技术能够有效解决现有单级PFC变换器存在的输出端的低频纹波较大，易出现LED灯频闪的问题，且结构简单，电性能指标可靠，适用于各种单级PFC变换器电路拓扑，可广泛应用于分立器件纹波抑制领域。以下将结合附图和实施例，对本技术进行较为详细的说明。【附图说明】图1为本技术的电路图。【具体实施方式】实施例，如图所示的一种分离器件纹波抑制电路，包括输出电压采样回路和LDO低压差线性稳压器，输出电压采样回路包括第二十一电阻R21、第二十二电阻R22、第十二电容C12、第十二极管DlO和第^^一稳压管Dll ;LD0低压差线性稳压器包括第四低压MOS管Q4、第五三极管Q5、第二十四电阻(R24)、第二十五电阻R25、第十二稳压管D12、第十三稳压管D13、信号输入端和LED;第二^^一电阻R21的一端同时和第十二极管DlO的阳极、输入电压正极VIN+相连，第十二极管DlO的阴极和第十一稳压管Dll的阴极相连，第二十一电阻R21的另一端同时连接第二十二电阻R22的一端、第十二电容C12的一端、第^^一稳压管Dll的阳极，第十二电容C12的另一端同时连接信号输入端的负极VIN-和LED的负极LED-。第四低压MOS管Q4的源极同时连接信号输入端的正极VIN+、第十三稳压管D13的阴极、第二十五电阻R25的一端；第四低压MOS管Q4的栅极同时连接第十二稳压管D12的阴极、第二十二电阻R22的另一端、第五三极管(Q5)的集电极相连；第二十五电阻R25的另一端同时与第五三极管Q5的基极、第二十四电阻R24的一端相连；第四低压MOS管Q4的漏极同时与第十二稳压管D12的阳极、第十三稳压管D13的阳极、第五三极管Q5的发射极、第二十四电阻R24的另一端、LED的正极LED+相连。工作过程中，信号输入端输入的大纹波信号通过第二十一电阻R21降压(大电阻100K左右)、第十二电容C12进行滤波处理，然后由第十二电容C12输出一个均方根植电压驱动第四低压MOS管Q4。第四低压MOS管Q4工作在放大区，由于第十二电容C12输出一个保持稳定平滑均方根植电压，所以第四低压MOS管Q4也就输出一个平滑的电流波形图，就实现了低频纹波的抑制效果。第十二极管D10、第十一稳压管的Dll组成输出短路启动保护电路；第二十二电阻R22、第十二稳压管D12组成第四低压MOS管Q4管GS极的过压保护电路；第五三极管Q5、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第十二稳压管D13组成第四低压MOS管Q4管DS极过压、过流保护电路。【主权项】1.一种分离器件纹波抑制电路，其特征在于:包括输出电压采样回路和LDO低压差线性稳压器，输出电压采样回路包括第二十一电阻(R21)、第十二电容(C12) ;LD0低压差线性稳压器包括第四低压MOS管(Q4)、第五三极管(Q5)、第二十四电阻(R24)、第二十五电阻(R25)、第十三稳压管(Dl3)、信号输入端和LED ； 第二^ 电阻(R21)的一端和输入电压正极(VIN+)相连，第二^ 电阻(R21)的另一端连接第十二电容(C12)的一端，第十二电容(C12)的另一端同时连接信号输入端的负极(VIN-)和 LED 的负极(LED-)； 第四低压MOS管(Q4)的源极同时连接信号输入端的正极(VIN+)、第十三稳压管(D13)的阴极、第二十五电阻(R25)的一端；第四低压MOS管(Q4)的栅极连接第五三极管(Q5)的集电极相连；第二十五电阻(R25)的另一端同时与第五三极管(Q5)的基极、第二十四电阻(R24)的一端相连；第四低压MOS管本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种分离器件纹波抑制电路，其特征在于：包括输出电压采样回路和LDO低压差线性稳压器，输出电压采样回路包括第二十一电阻(R21)、第十二电容(C12)；LDO低压差线性稳压器包括第四低压MOS管(Q4)、第五三极管(Q5)、第二十四电阻(R24)、第二十五电阻(R25)、第十三稳压管(D13)、信号输入端和LED；第二十一电阻(R21)的一端和输入电压正极(VIN+)相连，第二十一电阻(R21)的另一端连接第十二电容(C12)的一端，第十二电容(C12)的另一端同时连接信号输入端的负极(VIN‑)和LED的负极(LED‑)；第四低压MOS管(Q4)的源极同时连接信号输入端的正极(VIN+)、第十三稳压管(D13)的阴极、第二十五电阻(R25)的一端；第四低压MOS管(Q4)的栅极连接第五三极管(Q5)的集电极相连；第二十五电阻(R25)的另一端同时与第五三极管(Q5)的基极、第二十四电阻(R24)的一端相连；第四低压MOS管(Q4)的漏极同时与第十三稳压管(D13)的阳极、第五三极管(Q5)的发射极、第二十四电阻(R24)的另一端、LED的正极(LED+)相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓文，李小明，
申请(专利权)人：深圳亿思腾达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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