发光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光装置以及电子设备。本发明专利技术的发光装置的一个方式的特征在于，具备像素电路，该像素电路具备包括第1晶体管的多个晶体管、和被第1晶体管供给电流的发光元件，多个晶体管中至少一个在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置、以及电子设备。
技术介绍
从以往，使用了多个有机电致发光(Electroluminescence，以下，缩写为EL)元件被配置为矩阵状的发光装置(例如，专利文献I)作为电子设备的显示装置。专利文献I中记载了作为用于驱动有机EL的电路具备多个晶体管的像素电路。然而，在如上述那样的发光装置中，在同层形成晶体管的栅极与栅极布线，所以需要以在俯视时不与晶体管重叠的方式设置布线，像素电路的小型化变得困难。对于该问题，提出了分开栅极与布线，分别设置在不同的层的结构(例如，专利文献2) ο根据这样的结构，由于能够在俯视时与晶体管重叠的位置设置布线，所以与栅极层兼作布线的情况相比，能够使像素电路小型化。专利文献1:日本特开2007 - 148216号公报专利文献2:日本特开2013 — 113868号公报但是，在上述那样的结构中，栅极与布线在栅极中的与沟道区域相比设置在外侧的连接布线用的部分(接触垫部)连接，所以需要使栅极形成得比沟道区域大。因此，存在像素电路的小型化有限制这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的一方式是鉴于上述问题点而完成的，其目的之一在于，提供能够使像素电路更小型化的发光装置、以及具备这样的发光装置的电子设备。本专利技术的发光装置的一方式的特征在于，具备像素电路，该像素电路具备包括第I晶体管的多个晶体管、和被上述第I晶体管供给电流的发光元件，上述多个晶体管中至少一个在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据本专利技术的发光装置的一方式，多个晶体管中至少一个在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线，所以在栅极中，无需在沟道区域的外侧设置连接布线用的接触垫部。因此，能够使栅极为与沟道区域几乎同等的大小。由此，根据本专利技术的发光装置的一方式，得到能够使像素电路更小型化的发光装置。也可以构成为，上述多个晶体管包括选择晶体管，该选择晶体管设置于上述第I晶体管的栅极与向上述第I晶体管的栅极输入信号的信号线之间，上述选择晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据该结构，能够使选择晶体管小型化，作为结果，能够使像素电路小型化。也可以构成为，上述多个晶体管包括补偿晶体管，该补偿晶体管设置于上述第I晶体管的栅极与上述第I晶体管的一方的电流端之间，上述补偿晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据该结构，能够使补偿晶体管小型化，作为结果，能够使像素电路小型化。也可以构成为，上述多个晶体管包括发光控制晶体管，该控制晶体管设置于上述第I晶体管与上述发光元件之间，上述发光控制晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据该结构，能够使发光控制晶体管小型化，作为结果，能够使像素电路小型化。也可以构成为，上述多个晶体管包括复位晶体管，该复位晶体管将规定的复位电位供给至上述发光元件，上述复位晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据该结构，能够使复位晶体管小型化，作为结果，能够使像素电路小型化。也可以构成为，上述第I晶体管在俯视与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据该结构，能够使第I晶体管小型化，作为结果，能够使像素电路小型化。也可以构成为，上述像素电路具有特性补偿电路。根据该结构，能够抑制将电流供给至发光元件的第I晶体管的阈值电压的差别，所以能够使供给至发光元件的电流稳定化。也可以构成为，上述布线设置于与上述多个晶体管不同的层。根据该结构，容易在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接布线。也可以构成为，上述布线在俯视时与上述多个晶体管中的至少二个重叠。根据该结构，能够使像素电路更小型化。本专利技术的发光装置的一方式的特征在于，具备像素电路，该像素电路具备包括第I晶体管的多个晶体管、和被上述第I晶体管供给电流的发光元件，上述多个晶体管包括第2晶体管，该第2晶体管设置于上述第I晶体管与上述发光元件之间，上述第2晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。根据本专利技术的发光装置的一方式，第2晶体管在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线，所以无需在第2晶体管的栅极设置连接布线用的接触垫部，能够减小栅极。因此，根据本专利技术的发光装置的一方式，得到能够使像素电路更小型化的发光装置。也可以构成为，上述栅极中的连接有布线的位置靠近夹着上述栅极的一对电流端中成为高电位的一侧的电流端。根据该结构，能够抑制晶体管的阈值电压的差别。也可以构成为，上述发光元件是有机电致发光元件。根据该结构，能够作为电子设备的显示装置使用。本专利技术的电子设备的一方式的特征在于，具备上述的发光装置。根据本专利技术的电子设备的一方式，具备上述的发光装置，所以能够使电子设备更小型化【附图说明】图1是表示第I实施方式的发光装置的俯视图。图2是表示第I实施方式的像素电路的电路图。图3是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图4是表示第I实施方式的像素电路的图，是图3中的IV — IV剖视图。图5是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图6是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图7是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图8是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图9是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图10是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图11是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图12是表示第I实施方式的像素电路的俯视图。图13是表示第I实施方式中的中继电极的形成方法的步骤的剖视图。图14是用于对第I实施方式的效果进行说明的说明图。图15是用于对接触孔的配置位置进行说明的说明图。图16是表不第I实施方式的另一个例子的俯视图。图17是第2实施方式的像素电路的电路图。图18是表示第2实施方式的像素电路的俯视图。图19是表示第2实施方式的像素电路的俯视图。图20是表示第3实施方式的像素电路的电路图。图21是表示第3实施方式的像素电路的俯视图。图22是表示第3实施方式的像素电路的俯视图。图23是表不本实施方式的电子设备的一个例子的图。【具体实施方式】以下，参照附图对本专利技术的实施方式的发光装置以及电子设备进行说明。 此外，本专利技术的范围并不局限于以下的实施方式，能够在本专利技术的技术的思想的范围内任意地变更。另外，在以下的附图中，为了容易明白各构成，存在使实际的构造与各构造中的比例尺、个数等不同的情况。(第I实施方式)图1是表示本实施方式的发光装置100的俯视图。如图1所示，本实施方式的发光装置100是将利用了有机EL材料的发光元件在半导体基板10上形成的有机EL装置。发光装置100例如是有机发光二极管(OLED:OrganicLight Emitting D1de:电致发光)。半导体基板10是由娃等半导体材料形成的板状部件，作为形成有多个发光元件的基材而被利用。如图1所示，在半导体基板10的表面设置有显示区域11、周边区域12、以及安装区域13。显示区域11是排列有多个像素电路P的矩形状的区域。在显示区域11形成有沿X方向延伸的多个扫描线(布线)22、与各扫描线22对应地沿X方向延伸的多个控制线(布线)24、以及沿与X方向交叉的Y方向延伸的多个信号线26。像素电路P是与多个扫描线22和多个信号线26的各交叉对应的区域。因此，多个像素电路P遍及X方向以及Y方向排本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备像素电路，该像素电路具备包括第1晶体管的多个晶体管、和被所述第1晶体管供给电流的发光元件，所述多个晶体管中至少一个在俯视时与沟道区域重叠的位置处，在栅极连接有布线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：腰原健，野村猛，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP