层积膜制造技术

技术编号:11762564 阅读:128 留言:0更新日期:2015-07-22 18:55
本发明专利技术目的在于提供一种使静电容量增大的层积膜。本发明专利技术提供的层积膜中第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层依次层积,其特征在于,所述电介质层含有偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A),所述共聚物(A)中,偏氟乙烯/四氟乙烯的比例为97/3~60/40。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】层积膜 本专利技术涉及一种层积膜。 伴随着近年来晶体管、二极管等的小型化,膜电容器等电容器也需要小型化,可是 电容器的静电容量是和电极面积成比例的,不降低其静电容量就达到小型化的目的并非易 事。 作为用于使膜电容器小型化的方法,可以举出增大电介质的介电常数的方法;减 薄电介质厚度的方法。 例如,专利文献1中记载了一种卷绕型电容器的制造方法,其中,在导电性薄膜上 涂布介电性有机物质的熔融液、溶液等,形成介电性微薄膜,将得到的两张以上的层积体卷 绕,使导电性薄膜和介电性薄膜交替叠置。 此外,专利文献2中记载了一种层积膜,其以有机高分子组合物形成的可挠性膜 为基材,并具有下述结构:在其单面或者双面上层积由金属薄膜形成的电极层,进一步在该 电极层的单面或者双面层积由高介电薄膜形成的电介质层。 日本特开昭56-21310号公报 日本特开昭59-135714号公报 本专利技术目的在于提供一种能够增大静电容量的层积膜。 本专利技术的层积膜是依次层积第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层而 成的层积膜,其特征在于,上述电介质层含有偏氟乙烯/三氟乙烯的共聚物(A),所述共聚 物(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层积膜,其是第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层依次层积的层积膜,其中,所述电介质层包含偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A),所述共聚物(A)中,偏氟乙烯/四氟乙烯的摩尔比为97/3~60/40。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:高明天小松信之硲武史仲村尚子横谷幸治太田美晴茂内普巳子立道麻有子木下雅量
申请(专利权)人:大金工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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