提高铸锭合格率的保温结构制造技术

技术编号:11700875 阅读:104 留言:0更新日期:2015-07-09 00:38
一种提高铸锭合格率的保温结构,包括石墨侧板、石墨底板、热交换平台和保温层,石墨侧板设置在坩埚的四周,石墨底板设置在坩埚的底端面,热交换平台设置在石墨底板的底端面上,在热交换平台的四周设置有保温层,在保温层与热交换平台的接触面上开有若干垂直定向散热槽。由于在热交换平台的四周设置有保温层,可以改善热场设计缺陷导致的晶体晶向倾斜问题,极大地减缓热交换平台的垂直面向四周散热降温,使晶体生长时的晶向趋于竖直以及达到均匀定向散热排杂的效果,同时改善垂直方向上的温度等温线波动过大导致的固液分界面的严重上凸现象,进而达到缩短铸锭周期、提高铸锭炉产能的目的,平均一炉可以节约10小时,给生产节约成本,降低能耗。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及太阳能硅锭生产设备,尤其涉及提高多晶铸锭炉铸锭合格率的热场保温结构。
技术介绍
:太阳能是绿色可再生能源,在太阳能的有效利用中,光电利用是近年来发展最快、最具活力的研宄领域。随着近几年太阳能电池的飞速发展与不断的推广应用,市场对于太阳能电池的需求量越来越大。晶体硅太阳能电池越来越多的应用于能源领域,其中,硅材料是光电利用的主要载体,晶体硅的制备是光伏电池的基础。在太阳能光伏领域,利用定向凝固的方法生产多晶硅锭是普遍采用的方法。其基本原理是,将多晶硅原料放置在石英陶瓷坩祸中,石英陶瓷坩祸放置在由石墨底护板及侧护板构成的“石墨坩祸”中,放置在热场系统中,加热使得硅料完全融化。然后,热场底部开启,热量从坩祸底部释放,温度降低,坩祸的底部将逐渐冷却到硅材料的结晶点温度。然后硅溶液在坩祸底部开始结晶,逐渐向上生长,形状为自下而上的柱状晶体结构。多晶硅锭的生长方式是竖直向上生长,这就要求多晶炉内的热场结构必须提供晶体生长所需的竖直向上的温度梯度及横向温度梯度趋于零,而实现热场内竖直向上的温度梯度的重要热场部件热交换平台,但是多晶铸锭炉的热交换平台是方体结构,引晶生成后硅晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高铸锭合格率的保温结构,包括石墨侧板(1)、石墨底板(2)和热交换平台(3),石墨侧板(1)设置在坩埚的四周,石墨底板(2)设置在坩埚的底端面,热交换平台(3)设置在石墨底板(2)的底端面上,其特征是:在热交换平台(3)的四周设置有保温层(4),在保温层(4)与热交换平台(3)的接触面(41)上开有若干垂直定向散热槽(42)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王德明谈军孙修柱刘荣建丁海涛
申请(专利权)人:国电兆晶光电科技江苏有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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