一种四相位射频器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种四相位射频器件，其包括：晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。该巴伦的输入端作为该四相位射频器件的输入端，该两个耦合器的直通端和耦合端分别作为该四相位射频器件的四个输出端。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本技术涉及卫星导航系统、通信系统、雷达系统。尤其适用于卫星导航的全方位接收天线。【
技术介绍
】对于静态或移动中的接收设备，希望全方位(360度)接收信号，为了达到全方位接收，即O度相位、90度相位、180度相位和270度相位的接收，需要四个移相器或多个耦合器，其成本高，体积大，工作频率带受限，很难同时满足体积小、成本低、等功率、工作频带宽的要求。【
技术实现思路
】为实现本技术的目的，提供一种四相位射频器件，旨在解决现有的射频器件工作频率带受限，很难同时满足体积小、成本低、等功率、工作频带宽的要求的问题。本技术所采用的技术方案是:一种四相位射频器件，其包括:晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。进一步地，该巴伦的输入端作为本四相位射频器件的输入端，其中一个所述耦合器的直通端、耦合端分别作为该四相位射频器件的两个输出端，另一个所述耦合器的直通端、该耦合器的耦合端作为该四相位射频器件的另外两个输出端，该四相位射频器件相邻的输出端的相位相差90度。进一步地，親合器是3dB親合器。进一步地，该负载是50欧姆负载。进一步地，该晶体芯片经封装前或封装后的管脚顺序按四个相位大小顺序顺时针或逆时针排列。本技术的有益效果是:可以获得一个等功率，四个相位(O度、90度、180度、270度)的输出端的四相位射频器件，其集成度高、体积小工作频带宽、尤其适用于全方位信号接收或发射天线，不需外接负载。因此本技术提供的四相位射频器件具有以下优点:(I)可用于全方位接收/发射天线；(2)集成度高，体积小；(3)可四相位输出(O度，90度，180度，270度)；(4)相位精度不随输入频率的改变而改变，相位精度高；(5)成本低。【【附图说明】】图1是本技术第一实施例一种四相位射频器件的电路结构示意图。图2是一个将该四相位射频器件(该晶体芯片)封装后的射频集成电路的底视图(从底部向上看的示意图)。【【具体实施方式】】请参阅图1，它是本技术第一实施例一种四相位射频器件的电路结构示意图。四相位射频器件上的晶体芯片制作有一个巴伦1，两个耦合器2、3，以及两个负载4-1、4-2。该巴伦I的输入端1-1作为本四相位射频器件的输入端1-1，该巴伦I的两个平衡输出端1-2和1-3分别连接到该耦合器2、3的输入端2-1、3-1，比如，该巴伦I的O度的输出端1_2连接到该耦合器2的输入端2-1，该巴伦I的180度的输出端1-3连接到该耦合器3的输入端3-1 ;该耦合器2的直通端2-3、该耦合器2的耦合端2-4作为该四相位射频器件的两个输出端。直通端2-3与耦合端2-4的相位相差90度；该耦合器3的直通端3-3、该耦合器3的耦合端3-4作为该四相位射频器件的另外两个输出端。同样，该直通端3-3与耦合端3-4的相位相差也是90度。该耦合器2的隔离端2-2与该负载4-1的一端相连接，该负载4-1的另一端是接地端5-2，该耦合器3的隔离端3-2与该负载4-2的一端相连接，该负载4-2的另一端是接地端5-3。这样设计和制作的该晶体芯片就是一个四相位射频器件，每两个相邻的输出端的相位相差90度。该晶体芯片经封装后就是一个集成度高、体积小、不需要再外接负载的四相位射频器件的射频集成电路(IC)。该巴伦的接地端5-1、该负载的接地端5-2和5-3最后与应用设备的接地端相连接。耦合器2和3的类型选用3dB耦合器(有时可称为90度电桥)，即该耦合器2的直通端2-3与该耦合器2的耦合端2-4的相位相差90度，耦合器3的直通端3_3与该耦合器3的耦合端3-4的相位相差90度，而巴伦I的输出端1-2和1-3的相位相差180度，这样就可以得到一个四相位(输出端)的射频器件，相邻输出端的相位相差90度。该负载选用50欧姆负载。当然，该耦合器2和3也可以选用定向耦合器，但要求其直通端与耦合端的相位差是90度或接近90度为佳。该负载4-1和4-2也不限于50欧姆负载，但通常选用50欧姆负载为佳。考虑到使用方便，在设计该晶体芯片时，将输出端的管脚按相邻输出端相位差90度的方法，将输出端的相位差顺序按顺时针或逆时针来布线设计，即O度(360度)，-90度，-180度，-270度的顺序顺时针布线设计管脚，或逆时针来布线设计，即-270度，-180度，-90度，O度(360度)的顺序逆时针布线设计管脚。即该晶体芯片经封装前或封装后的管脚顺序按四个相位大小顺序顺时针或逆时针排列，除接地端外，每个相邻输出端的相位差是90度。该晶体芯片就成为一种四相位射频器件，将该四相位射频器件封装后的射频集成电路的管脚易于使用安装。图2是一个将该四相位射频器件封装后的射频集成电路的底视图(从底部向上看的示意图)。在一个实施例中，该封装后的四相位射频器件的尺寸为3mm(长)*3mm(宽)*0.8mm(厚)，其中该封装后的四相位射频器件的管脚P15，是该四相位射频器件的输入端1-1，该管脚P4是该四相位射频器件的输出端2-3，该管脚P6是该输出端2-4，该管脚P7是该输出端3-3，该管脚P9是该输出端3_4，其它管脚是接地端，与外部公共地相连接。这样的布线，每个相邻输出端的相位差是90度，便于使用。在其他实施例中，封装后的四相位射频器件的尺寸根据实际情况设定。S卩，该晶体芯片封装前或经封装后的管脚顺序按四个相位大小顺序顺时针或逆时针排列。以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种四相位射频器件，其包括:晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，其特征在于:该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。2.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于:该巴伦的输入端作为本四相位射频器件的输入端，其中一个所述耦合器的直通端、耦合端分别作为该四相位射频器件的两个输出端，另一个所述耦合器的直通端、该耦合器的耦合端作为该四相位射频器件的另外两个输出端，该四相位射频器件相邻的输出端的相位相差90度。3.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于:耦合器是3dB耦合器。4.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于:该负载是50欧姆负载。5.根据权利要求1至4任一项所述的四相位射频器件，其特征在于:该晶体芯片经封装前或封装后的管脚顺序按四个相位大小顺序顺时针或逆时针排列。【专利摘要】本技术公开了一种四相位射频器件，其包括：晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。该巴伦的输入端作为该四相位射频器件的输入端，该两个耦合器的直通端和耦合端分别作为该四相位射频器件的四个输出端。【IPC分类】H01P5-12, H01P1-18, H01Q3-34【公开号】CN204441427【申请号】CN201520142514【专利技术人】阎本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四相位射频器件，其包括：晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，其特征在于：该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阎跃军，彭志珊，
申请(专利权)人：深圳市研通高频技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44