等离子体处理腔室的清洁方法技术

本发明专利技术提供了一种等离子体处理腔室的清洁方法，其中，通过等离子体处理腔室的气体喷淋头向腔室内部通入清洁气体，然后施加射频能量将清洁气体激发成等离子体对腔室内部进行清洁，在所述等离子体处理腔室的冷却气体供应管道内持续供应冷却气体至清洁结束。本发明专利技术提供的等离子体处理腔室的清洁方法，能够在清洁的过程中保证氦气供应管道不会受到污染，不会因为清洁过程而在管道内壁沉积污染物，甚至被堵塞。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。等离子体处理腔室在基片制程过程中往往产生很多污染，例如金属污染或者聚合物沉积等。为了去除污染物，往往需要在执行一定数量的基片制程以后进行等离子体清洁处理。然而，在对等离子体处理腔室执行清洁的过程中往往也会在腔室内部的局部区域产生意想不到的二次污染，往往对后续的基片制程产生影响。本专利技术正是基于此提出的。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本专利技术提出了一种。本专利技术第一方面提供了一种用于，其中，通过等离子体处理腔室的气体喷淋头向腔室内部通入清洁气体，然后施加射频能量将清洁气体激发成等离子体对腔室内部进行清洁，其中，在所述等离子体处理腔室的冷却气体供应管道内持续供应冷却气体。进一步地，所述清洁方法包括如下步骤:在所述等离子体处理腔室的冷却气体供应管道内持续供应冷却气体至清洁结束。进一步地，所述冷却气体供应管道设置于基台之中，气体供应管道具有一喷气口，所述喷气口对着基片背面吹气。进一步地，所述冷却气体供应管道下方连接有一冷却气体供应装置。进一步地，所述冷却气体供应装置的下方还连接有一控制装置。进一步地，在所述冷却气体供应装置上游的冷却气体供应管道上还连接有一阀门。进一步地，所述供应冷却气体的压力为大于所述等离子体处理腔室执行清洁时的腔室内部压力。进一步地，所述供应冷却气体的压力的取值范围为1mT?10T。进一步地，所述清洁气体为氧气。进一步地，所述冷却气体为氦气。本专利技术提供的，能够在清洁的过程中保证氦气供应管道不会受到污染，不会因为清洁过程而在管道内壁沉积污染物，甚至被堵塞。【附图说明】图1是等离子体处理腔室的结构示意图；图2是现有技术的等离子体处理腔室的冷却气体供应系统的结构示意图；图3是根据本专利技术一个具体实施例的等离子体处理腔室的冷却气体供应系统的结构示意图。【具体实施方式】以下结合附图，对本专利技术的【具体实施方式】进行说明。要指出的是，“半导体工艺件”、“晶圆”和“基片”这些词在随后的说明中将被经常互换使用，在本专利技术中，它们都指在处理反应室内被加工的工艺件，工艺件不限于晶圆、衬底、基片、大面积平板基板等。为了方便说明，本文在实施方式说明和图示中将主要以“基片”为例来作示例性说明。下文以等离子体刻蚀腔室为例进行说明，本领域技术人员应当理解，本专利技术不限于此，本专利技术广泛地适用于各种等离子体处理腔室，例如化学气相沉积腔室(CVD)等。图1示出了等离子体处理腔室的结构示意图，特别地，等离子体处理腔室为等离子体刻蚀腔室100。等离子体刻蚀腔室100具有一个处理腔体(未示出)，处理腔体基本上为柱形，且处理腔体侧壁102基本上垂直，处理腔体内具有相互平行设置的上电极和下电极。通常，在上电极与下电极之间的区域为处理区域P，该区域P将形成高频能量以点燃和维持等离子体。在基台106上方放置待要加工的基片W，该基片W可以是待要刻蚀或加工的半导体基片或者待要加工成平板显示器的玻璃平板。其中，所述基台106用于夹持基片W。反应气体从气体源103中被输入至处理腔体内的气体喷淋头109，一个或多个射频电源104可以被单独地施加在下电极上或同时被分别地施加在上电极与下电极上，用以将射频功率输送到下电极上或上电极与下电极上，从而在处理腔体内部产生大的电场。大多数电场线被包含在上电极和下电极之间的处理区域P内，此电场对少量存在于处理腔体内部的电子进行加速，使之与输入的反应气体的气体分子碰撞。这些碰撞导致反应气体的离子化和等离子体的激发，从而在处理腔体内产生等离子体。反应气体的中性气体分子在经受这些强电场时失去了电子，留下带正电的离子。带正电的离子向着下电极方向加速，与被处理的基片中的中性物质结合，激发基片加工，即刻蚀、淀积等。在等离子体刻蚀腔室100的合适的某个位置处设置有排气区域，排气区域与外置的排气装置(例如真空泵105)相连接，用以在处理过程中将用过的反应气体及副产品气体抽出腔室。其中，等离子体约束环107用于将等离子体约束于处理区域P内。腔室侧壁102上连接有接地端，其中设置有一电阻108。如图1所示，等离子体刻蚀腔室100还包括冷却气体供应管道101，所述冷却气体供应管道101竖直地设置于基台106之中。其中，所述冷却气体供应管道101的长度足够横亘整个基台106，并且冷却气体供应管道101具有一喷气口，因此，所述喷气口能够对着其上放置的基片W背面吹气。冷却气体供应管道101下方还连接有一冷却气体供应装置110，用于向冷却气体供应管道101供应冷却气体。冷却气体供应装置110下方连接有一控制装置111，用于控制冷却气体供应装置I1向冷却气体供应管道101供应冷却气体。图2是现有技术的等离子体处理腔室的冷却气体供应系统的结构示意图。如图2所示，在基片W放置到等离子体刻蚀腔室100的基台106上进行制程的时候，基片W被夹持在基台106上，冷却气体通过冷却气体供应管道101对准基片W背面喷气，来调整基片W的温度。当等离子体刻蚀腔室100对特定数量的基片W进行制程后，会对腔室执行一个清洗步骤。然而，根据现有技术的机制，腔室里面的聚合物污染会一点点掉入冷却气体供应管道101，再加上冷却气体供应管道101当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体处理腔室的清洁方法，其中，通过等离子体处理腔室的气体喷淋头向腔室内部通入清洁气体，然后施加射频能量将清洁气体激发成等离子体对腔室内部进行清洁，其特征在于，所述清洁方法包括如下步骤：在所述等离子体处理腔室的冷却气体供应管道内持续供应冷却气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周军，李江，孙海辉，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31