【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种DC输入电源的保护电路，具体地说是一种DC电源输入端的防反接和防浪涌保护电路。
技术介绍
目前，DC电源的输入端都会涉及输入端防反接的问题，由于输入端存在滤波电容，因此也存在由此带来的输入浪涌问题，会造成输入级供电系统无法满负荷工作，同时由于电路输入端的熔断保护装置在设计时由于考虑了浪涌电流，导致其不能按照正常通过电流进行设计，进而使得其熔断点过高，不仅导致安全上的隐患，同时也增加了成本。鉴于现有DC电源存在上述技术问题，因此，迫切的需要一种简单、可靠且成本低的输入端保护电路解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术正是针对现有技术中存在的技术问题，提供一种DC电源输入保护电路，包括能够防止输入端接错的防反接保护以及防止输入端出现浪涌电流的防浪涌保护电路，能够避免用户在使用过程中因差错而损坏电源电路，同时由于提供了防浪涌保护电路，能够让用户在DC电源的正常工作电流范围内配置输入熔断保护装置，避免出现误动作，同时也避免由于熔断保护设置过高所带来的安全风险。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为，一种DC电源输入保护电路，包括防反接电路单元和防...
【技术保护点】
一种DC电源输入保护电路，其特征在于：包括防反接电路单元和防浪涌电路单元，并将这两个单元电路均加在输入地上，所述防反接电路单元包括MOSFET管Q1、偏置电阻R2和R4以及外接稳压二极管D1，MOSFET管Q1的漏极D与输入地直接相连，源极S通过偏置电阻R2与栅极G相连接，栅极G通过偏置电阻R4与输入DC信号的正极相连接，正向导通二极管D1连接在MOSFET管Q1的漏极D和源极S之间；所述防浪涌电路单元包括MOSFET管Q2、偏置电阻R1和R3、防浪涌电阻R5以及电容C1和C2，MOSFET管Q2的漏极D通过防浪涌电阻R5与输入地回路直接连接，源极S与输入地回路的另一端相连...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马生茂，周焱，黄思捷，顾赛燕，
申请(专利权)人：张家港麦智电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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