【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种利用MOS管的大电流直流防反接电路，其特征在于，包括二极管D1、电阻R1、稳压管D2、MOS管Q1和MOS管Q2，其中：二极管D1阳极接系统外部电源，阴极接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接稳压管D2的阴极、MOS管Q1的栅极和MOS管Q2的栅极，稳压管D2的阳极、MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极接地，MOS管Q1的源极和MOS管Q2的源极接系统接地端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈建荣，
申请(专利权)人：西安国龙竹业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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