本发明专利技术描述了具有三聚氰胺包覆滑石泡沫填料的熔断器。特别是，描述了用在熔断器中的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其包括包覆在三聚氰胺化合物(例如，增塑的三聚氰胺树脂)中的滑石，然后被加热以形成结晶泡沫填料。该泡沫填料可包括以重量计的所述三聚氰胺化合物的基本上3倍的滑石，并且可以被加热，然后冷却以形成所述泡沫填料。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】泡沬熔断器填料和管式熔断器相关申请的交叉引用本申请要求2013年10月18日提交的美国临时专利申请序列号为61/893，086，名称为“Foam Fuse Filler and Cartridge Fuse”的权利，在此通过引用引入该申请的全部内容。
本公开内容主要涉及熔断器领域，且更具体地涉及具有灭弧填料的熔断器。
技术介绍
熔断器，它通常被用作电路保护器件，提供要保护的电力源和电路组件之间的电连接。一类熔断器包括布置在中空的熔断器本体内的可熔元件。导电端子可以通过所述熔断器本体连接到可熔元件的每端，以提供连接熔断器到电路中的手段。当在电路中发生指定的故障情况例如过流情况时，熔断器的可熔元件可以熔化或在其他情况下分离以中断电路路径中的电流流动。电路的被保护部分由此电隔离，并可以防止或至少减轻对这部分的损坏。然而，熔断器元件熔化后，电弧可能会形成在所述可熔元件的新分离的端部之间的空气间隙中。如果不熄灭该电弧，该电弧可以通过使不希望的电流流入电路组件而造成对电路的进一步的损坏。此外，电弧经常可能导致中空熔断器本体的破裂，这也可能会损坏被保护的电路和周围的细件。传统上，该中空熔断器本体通常填充有二氧化硅，以协助灭电弧。然而二氧化硅填料需要被压实在该中空熔断器本体中，以提供足够的电弧猝熄。即使在二氧化硅填料适当压实的情况下，当电弧燃烧时，二氧化硅可能会移位(例如，由于电弧产生的位移力等)。其结果是，中空熔断器本体的部分可能露出，并且所述熔断器本体可能由于电弧而破裂。此夕卜，采用常规填料的恪断器通常具有较低的断流容量(breaking capacity)(例如，短路电流额定值)，并提供与可期望的过载保护相比降低的过载保护。例如，由于二氧化硅压实不良，其中二氧化硅用作填料的熔断器可能不能提供足够高的断流容量，并且由于功能能量(即，热量)损失到高导热率填料材料，可能提供降低的过载保护。因此，需要一种低导热率的熔断器填料，其在电弧燃烧时不移位。此外，还需要一种熔断器填料，其提供增加的断流容量和增加的电流过载保护。专利技术简述根据本公开内容，提供一种具有三聚氰胺包覆滑石泡沫填料的熔断器。一些实施方案提供了一种用在熔断器中的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，其包括三聚氰胺化合物(例如，增塑的三聚氰胺树脂)和以重量计的三聚氰胺化合物的基本上3倍的滑石，其中，三聚氰胺化合物和滑石被加热，例如，到50至250摄氏度之间I到900分钟以形成有在熔断器中的泡沫填料。一些实施方案提供了一种熔断器，该熔断器包括其中具有腔体的中空本体，布置在腔体中的熔断器元件，与所述熔断器元件电连接的第一和第二端帽，和布置在腔体中围绕熔断器元件的三聚氰胺包覆滑石泡沫(MCSF)填料，MCSF填料包含三聚氰胺化合物，和以重量计的三聚氰胺化合物的基本上3倍的滑石，其中，三聚氰胺化合物和滑石被加热，以形成结晶结构。在一些实例中，三聚氰胺化合物和滑石被加热到50至250摄氏度之间I至900分钟以形成结晶结构。一些实施方案提供了制造熔断器的方法，包括将熔断器元件插入中空熔断器本体的腔体，将第一端帽连到该中空熔断器本体并将该熔断器元件的第一端电连接到所述第一端帽，将滑石和三聚氰胺化合物的混合物加到腔体中，使得滑石和三聚氰胺化合物的混合物围绕熔断器元件布置，所述滑石和三聚氰胺化合物的混合物包含三聚氰胺化合物，和以重量计的三聚氰胺化合物的基本上3倍的滑石，加热包括熔断器元件、所述第一端帽、和滑石与三聚氰胺化合物的混合物的中空熔断器本体，以形成泡沫填料，以及将第二端帽连到中空熔断器本体且将熔断器元件的第二端电连接到所述第二端帽。在一些实例中，滑石和三聚氰胺化合物的混合物被加热到50至250摄氏度之间I到900分钟。附图的简要说明参考附图，通过举例的方式，描述本公开内容的具体实施方案，其中:图1示出了具有三聚氰胺包覆滑石泡沫填料的熔断器；图2示出了滑石和三聚氰胺化合物的混合物；图3示出了图1的熔断器的一部分；图4是形成包含三聚氰胺包覆滑石泡沫填料的熔断器的方法的流程图；和图5是表示与不同的熔断器相比的图1的熔断器的特性的曲线图，这些熔断器都是根据本公开内容的至少一些实施方案而布置的。【具体实施方式】图1示出了熔断器100的侧剖视图，熔断器100具有中空管状熔断器本体110。在一些实例中，所述熔断器本体I1可以是陶瓷。熔断器100另外包括第一端帽130，第二端帽140和熔断器元件120，熔断器元件120布置在中空熔断器本体110的腔体150中并延伸通过腔体150，以形成端帽130和140之间的电连接。该熔断器元件120由具有熔点的导电材料制成，使得满足所期望的熔断器的特性(例如，额定电流等)。端帽130和140由导电材料制成，并装配在所述熔断器本体110的纵向端部，以提供与熔断器元件120的电接触。熔断器元件120可通过各种技术和/或材料连接到端帽130和140。例如，示出的熔断器元件120通过填锡(solder fillet) 155连接到端帽130和140，填锡155被布置在熔断器本体110的相对端。腔体150，由熔断器本体110的内表面115限定，包含三聚氰胺包覆滑石泡沫(MCSF)填料160 (下文更详细地描述)。当恪断器元件120由于预定的、过量的电流流过恪断器元件120而熔化或分离时，熔断器元件的未熔化部分之间形成电弧。电弧的长度随熔断器元件120的分离部分彼此后退而增长，直至维持弧所需的电压比被保护的电路中的有效电压更高，从而终止了电流流通。MCSF填料160的作用是熄灭(supress)熔断器100中的电弧，并向熔断器本体110提供刚性和破裂保护特性。尤其是，当被加热(例如，被电弧)时，MCSF填料160产生弧淬熄气体，例如，如甲醛，其作用是通过消电离作用和弧冷却减少熄灭电弧的时间。此外，MCSF填料160以泡沫或结晶结构结合在一起。这样，在电弧存在下，MCSF填料160可不移位并暴露熔断器本体110。因此，电弧可以包含在MCSF结构中，从而防止熔断器本体110的破裂。图2-3更详细地示出了 MCSF填料160。更具体地，图2示出了滑石和三聚氰胺化拾物的混合物，在加热时，其可形成MCSF填料160，而图3示出了具有布置在其中的MCSF填料160的熔断器体的俯视图。更具体地转向图2，示出了混合物200。该混合物200包括多个颗粒210。每个颗粒210包括包覆在三聚氰胺化合物(未示出)中的滑石(也未示出)。一般情况下，滑石是镁硅酸盐的结晶形式。在实践中，混合物200中的滑石可以是多种类型的滑石和/或滑石变体中的任意。将理解的是，滑石是一种绝缘材料。在一般情况下，滑石损耗低，成本低，并且可以在高达2，000° F的温度下安全地运行。在一些实例中，三聚氰胺是具有2，4，6_三氨基-1，3，5-三嗪的化学结构的结晶化合物(C3H6N6)。对于一些实例，混合物200可以包括与三聚氰胺化合物(例如，增塑的三聚氰胺树脂等)混合的滑石(例如，以粉末形式等)。在一些实例中，滑石和三聚氰胺化合物混合，使得滑石的细粒被包覆在所述三聚氰胺化合物中，以形成颗粒210。在各种实例中，混合物200可以包括选定重量比的滑石和三聚氰胺化合物。在一些实例中，滑石和三聚氰胺本文档来自技高网...
【技术保护点】
用在熔断器中的三聚氰胺包覆滑石泡沫填料，包括：三聚氰胺化合物；和以重量计的所述三聚氰胺化合物的至少2倍的滑石，其中，所述滑石包覆在所述三聚氰胺化合物中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·雷塔多，A·恩里克斯，
申请(专利权)人：保险丝公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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