高穿透率VA型液晶显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种高穿透率VA型液晶显示面板及其制作方法。该高穿透率VA型液晶显示面板的下基板(1)包括第一凹凸层(12)，上基板(2)包括第二凹凸层(22)；第一凹凸层(12)包括相互间隔设置的第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)，像素电极(13)以一均匀厚度连续不间断的覆盖第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)；第二凹凸层(22)与第一凹凸层(12)结构互补，该第二凹凸层(22)包括相互间隔设置的第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)，公共电极(23)以一均匀厚度连续不间断的覆盖第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)；所述第二凸起部(221)对应于第一凹陷部(122)，所述第二凹陷部(222)对应于第一凸起部(121)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种高穿透率VA型液晶显示面板及其 制作方法。
技术介绍
液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优 点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理（PDA)、数字相机、计算机屏 幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。 主动式薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得 到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种 类型，分别是扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic， STN)型，平面转换（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment， VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到 4000-8000,在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。 VA型液晶显示面板之所以具有极高的对比度是因为在不加电的暗态时，液晶分子 垂直于基板表面排列，不产生任何相位差，漏光极低，暗态亮度很小，根据对比度计算公式 暗态亮度越低，则对比度越高。为了使VA型液晶显示面板中的液晶分子能够垂直于基板表 面排列，需要对液晶分子进行垂直配向处理，现行最为普遍的做法是在上基板、及下基板表 面的特定区域涂布垂直配向剂（高分子材料聚酰亚胺，Polyimide，PI溶液），然后将基板在 一定温度下进行长时间烘烤，使配向剂中的溶剂被烤干，从而在玻璃基板表面形成PI配向 层。如图1所示，传统的VA型液晶显示面板包括：上玻璃基板10、与上玻璃基板10相对设 置的下玻璃基板20、夹于上玻璃基板10和下玻璃基板20之间的液晶层40,形成于上玻璃 基板10面向下玻璃基板20 -侧表面及下玻璃基板20面向上玻璃基板10 -侧表面的PI配 向层30。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大， 导致大视角下的色偏（color shift)问题比较严重。 为了使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多 区域VA技术（multi-domain VA，MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中 的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均，一致。实现 MVA技术的方法有多种，请参阅图2与图3，其中一种方法是将一侧的ITO像素电极70处理 成"米字型"图案，公共电极80为平面电极，由于特殊的ITO像素电极图案，其产生的倾斜 电场可以诱导不同区域中的液晶分子40倒向不同的方向。图2所示为一种MVA型液晶显 示面板的下基板20 -侧的平面俯视示意图，其中210与220分别为扫描线与数据线，一个 子像素被划分成了四个区域，每个区域内的ITO像素电极70均形成有向不同方向延伸的像 素电极分支与狭缝间隔的图案。图3所示为该MVA型液晶显示面板在对应图2中A-A处的 剖面示意图，其中具有狭缝的像素电极70设于平坦的下钝化层60上，覆盖于像素电极70 上的PI配向层30的表面凹凸不平，而平面型的公共电极80设于平坦的上钝化层90上，覆 盖于公共电极80上的PI配向层30的表面呈一平面，导致在狭缝对应区域与像素电极分支 对应区域具有不同的液晶盒盒厚（Cell Gap)。 根据VA型液晶显示面板的穿透率的公式：【主权项】1. 一种高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，包括：下基板（I)、与下基板（1)相 对设置的上基板（2)、及设于所述上基板（2)与下基板（1)之间的液晶层（4); 所述下基板（1)包括自下而上依次设置的下玻璃基板（11)、第一凹凸层（12)、像素 电极（13)、及第一PI配向层（14);所述上基板（2)包括自上而下依次设置的上玻璃基板 (21)、第二凹凸层（22)、公共电极（23)、及第二PI配向层（24); 所述第一凹凸层（12)包括相互间隔设置的第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122)， 所述像素电极（13)以一均匀厚度连续不间断的覆盖所述第一凸起部（121)、及第一凹陷部 (122);所述第二凹凸层（22)与第一凹凸层（12)结构互补，该第二凹凸层（22)包括相互间 隔设置的第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222)，所述公共电极（23)以一均匀厚度连续不 间断的覆盖所述第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222);所述第二凸起部（221)对应于第 一凹陷部（122)，所述第二凹陷部（222)对应于第一凸起部（121)。2. 如权利要求1所述的高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一凸起部 (121) 与第二凹陷部（222)的高度相等，所述第一凹陷部（122)与第二凸起部（221)的高度 相等。3. 如权利要求2所述的高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一凹陷部 (122) 与下玻璃基板（11)的上表面贯通，所述第二凹陷部（222)与上玻璃基板（21)的下表 面贯通。4. 如权利要求3所述的高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一凹凸层 (12)与第二凹凸层（22)的其中之一采用正性透明光阻材料制作，另一个采用负性透明光 阻材料制作。5. 如权利要求4所述的高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一凹凸层 (12)与第二凹凸层（22)使用同一张掩膜板制作。6. 如权利要求1所述的高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极（13) 与公共电极（23)的材料均为ITO。7. -种高穿透率VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供下玻璃基板（11)、及上玻璃基板（21); 步骤2、分别在下玻璃基板（11)上制作出第一凹凸层（12)，在上玻璃基板（21)上制作 出第二凹凸层（22); 所述第一凹凸层（12)包括相互间隔设置的第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122);所 述第二凹凸层（22)与第一凹凸层（12)结构互补，该第二凹凸层（22)包括相互间隔设置的 第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222);所述第二凸起部（221)对应于第一凹陷部（122)， 所述第二凹陷部（222)对应于第一凸起部（121); 步骤3、分别在所述第一凹凸层（12)上制作像素电极（13)，使所述像素电极（13)以一 均匀厚度连续不间断的覆盖所述第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122);在所述第二凹凸 层（22)上制作公共电极（23)，使所述公共电极（23)以一均匀厚度连续不间断的覆盖所述 第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222); 步骤4、分别在所述像素电极（13)上制作第一PI配向层（14)，形成下基板（1)，在所述 公共电极（23)上制作第二PI配向层（24)，形成上基板（2); 步骤5、将上基板（2)与下基板（1)对组，在上基板（2)与下基板（1)之间灌入液晶，形 成液晶层（4)。8. 如权利要求7所述的高穿透率VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤2具体包括： 步骤21、在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高穿透率VA型液晶显示面板，其特征在于，包括：下基板(1)、与下基板(1)相对设置的上基板(2)、及设于所述上基板(2)与下基板(1)之间的液晶层(4)；所述下基板(1)包括自下而上依次设置的下玻璃基板(11)、第一凹凸层(12)、像素电极(13)、及第一PI配向层(14)；所述上基板(2)包括自上而下依次设置的上玻璃基板(21)、第二凹凸层(22)、公共电极(23)、及第二PI配向层(24)；所述第一凹凸层(12)包括相互间隔设置的第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)，所述像素电极(13)以一均匀厚度连续不间断的覆盖所述第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)；所述第二凹凸层(22)与第一凹凸层(12)结构互补，该第二凹凸层(22)包括相互间隔设置的第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)，所述公共电极(23)以一均匀厚度连续不间断的覆盖所述第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)；所述第二凸起部(221)对应于第一凹陷部(122)，所述第二凹陷部(222)对应于第一凸起部(121)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白柏，李泳锐，钟新辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44