背接触式太阳能电池制造技术

本申请公开了一种背接触式太阳能电池，包含一太阳能电池本体及多个电极层。太阳能电池本体包含一基材层、一前表面电场层、一半导体掺杂层及一背钝化层。前表面电场层设于基材层的第二表面；半导体掺杂层设于第一表面，并具有多个交错排列的第一型半导体掺杂区与第二型半导体掺杂区；背钝化层设置于半导体掺杂层上，并开设有多个接触槽，第一型半导体掺杂区与第二型半导体掺杂区分别自接触槽露出，且背钝化层的第一背钝化层的组成包含氧化铝。电极层分别设置于接触槽内，并且所述电极层与半导体掺杂层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种背接触式太阳能电池，尤其是一种利用氧化铝作为背钝化层的背接触式太阳能电池。
技术介绍
在现有的硅晶太阳能电池中，由于背接触式太阳能电池是将电极设置于太阳能电池的背面，以相对的增加太阳能电池正面受光的面积，进而有效的提升太阳能电池的光电转换效率。请参阅图1，图1为现有技术的背接触式太阳能电池的剖面示意图。如图所示，一种背接触式太阳能电池PA100包含一太阳能电池本体PA1以及多个电极层PA2。而太阳能电池本体PA1还包含一基材层PA11、一前表面电场层PA12、一前钝化层PA13、一抗反射层PA14、一半导体掺杂层PA15以及多个背钝化层PA16。其中，基材层PA11具有相对设置的一第一表面PA111与一第二表面PA112；前表面电场层PA12设置于第二表面PA112上；而前钝化层PA13设置于前表面电场层PA12上；抗反射层PA14则设置于前钝化层PA13上；半导体掺杂层PA15设置于第一表面PA111上，且半导体掺杂层PA15具有多个第一型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背接触式太阳能电池，包含：一太阳能电池本体，包含：一基材层，具有相对设置的一第一表面与一第二表面；一前表面电场层，设置于所述第二表面上；一半导体掺杂层，设置于所述第一表面上，且所述半导体掺杂层具有多个第一型半导体掺杂区以及多个与所述第一型半导体掺杂区交错排列的第二型半导体掺杂区；及一背钝化层，设置于所述半导体掺杂层上，并开设有多个接触槽，所述第一型半导体掺杂区与所述第二型半导体掺杂区分别自所述接触槽露出，且所述背钝化层包含：一第一背钝化层，设置于所述半导体掺杂层上，且所述第一背钝化层的组成包含氧化铝；及一第二背钝化层，设置于所述第一背钝化层上；以及多个电极层，分别设置于所述接触槽上，并电连...

【技术特征摘要】
2013.12.04 TW 1021443651.一种背接触式太阳能电池，包含：
一太阳能电池本体，包含：
一基材层，具有相对设置的一第一表面与一第二表面；
一前表面电场层，设置于所述第二表面上；
一半导体掺杂层，设置于所述第一表面上，且所述半导体掺杂层具
有多个第一型半导体掺杂区以及多个与所述第一型半导体掺杂区交错排
列的第二型半导体掺杂区；及
一背钝化层，设置于所述半导体掺杂层上，并开设有多个接触槽，
所述第一型半导体掺杂区与所述第二型半导体掺杂区分别自所述接触槽
露出，且所述背钝化层包含：
一第一背钝化层，设置于所述半导体掺杂层上，且所述第一背
钝化层的组成包含氧化铝；及
一第二背钝化层，设置于所述第一背钝化层上；以及
多个电极层，分别设置于所述接触槽上，并电连接于所述半导体掺杂层。
2.如权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝包
含Al2O3或[AlO4]-。
3.如权利要求2所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝具
有1×1012cm-2至1×1014cm-2之间的固定电荷。
4.如权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，所述基材层为
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴孟修，
申请(专利权)人：新日光能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71