关键尺寸测量标记制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种关键尺寸测量标记。所述关键尺寸测量标记包括两个第一标记和两个第二标记，所述第一标记和第二标记交替分布于一曝光单元的四个顶角处，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记，所述第二标记包括第三子标记和第四子标记，所述第一子标记、第二子标记、第三子标记和第四子标记均呈直角折线状，并且，所述第一子标记的弯折处具有缺口。由于缺口的存在，会产生对比度，那么与程式中已由图形的对齐就容易且精确，避免了寻址失败的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，特别是涉及一种关键尺寸(CD)测量标记。
技术介绍
随着半导体制造工艺的快速发展，半导体芯片的尺寸也越来越小，因此，关键尺寸(Critical Dimens1n，简称⑶)的优劣直接制约着工艺的发展，⑶测量不可或缺。目前常见的⑶测量过程包括:粗对准(coarse alignment)、精对准(finealignment)、图形寻址(pattern addressing)及图形测量(pattern measurement)。如图1所示，一种常见的⑶测量标记包括形成在曝光单元I四个顶角A、B、C、D处的四个标记2，每个标记包括第一标记21和第二标记22，二者皆为90°折线状，且相对设置，一般第一标记21的长度大于第二标记22的长度，每个曝光单元I的相邻顶角处的标记2呈镜像对称，在曝光形成多个曝光单元I后，相邻四个曝光单元I四个顶角处的标记结合成新的测量标记2’，如图2所示，即实际测量时所针对的CD测量标记。如图2所示，四个第一标记21结合呈一正方形，四个第二标记22结合呈一十字形。在测量过程的精对准时，通过使得存在于程式(recipe)中的已有图形(即虚线框3中所围绕的图形)对齐形成的十字形，来实现精对准，图2中示出的是程式中的图形与十字形精对准的情况。但是在实际测量时，由于对比度不高等因素，程式中的图形并不容易与十字形对齐，就不可避免的带来误差。而这一误差的大小又很难控制，因此，就会出现图形寻址时发生寻址失败(miss addressing)的情况，这对后续工艺会造成严重影响。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种关键尺寸测量标记，以高效准确的实现关键尺寸测量时的精对准。为解决上述技术问题，本技术提供一种关键尺寸测量标记，包括两个第一标记和两个第二标记，所述第一标记和第二标记交替分布于一曝光单元的四个顶角处，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记，所述第二标记包括第三子标记和第四子标记，所述第一子标记、第二子标记、第三子标记和第四子标记均呈直角折线状，并且，所述第一子标记的弯折处具有缺口。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口为正方形缺口。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口的边长等于所述第一子标记的宽度。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口的边长小于所述第一子标记的宽度。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述曝光单元呈正方形。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述曝光单元呈长方形。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，四个曝光单元相邻顶角处的共两个第一子标记和两个第三子标记组合呈十字形，所述两个第一子标记中的缺口斜对且紧邻。可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述第二子标记和第四子标记呈镜像对称，所述四个曝光单元相邻顶角处的共两个第二子标记和两个第四子标记组合呈方环形。本技术提供的⑶测量标记，在第一子标记的弯折处具有缺口。相比现有技术，利用本技术的CD测量标记，由于第一子标记的弯折处具有缺口，从而有效的增加了对准时的对比度，使得对齐变得容易，提高了精对准的精确度，基本上避免了寻址失败的情况。【附图说明】图1为现有技术中⑶测量标记的结构示意图；图2为现有技术中曝光后在⑶测量时的不意图；图3为本技术第一实施例中⑶测量标记的结构示意图；图4为本技术第一实施例中在曝光后用于测量时的⑶测量标记的示意图；图5为本技术第二实施例中⑶测量标记的结构示意图；图6为本技术第二实施例中在曝光后用于测量时的⑶测量标记的示意图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本技术的关键尺寸(CD)测量标记进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。本技术的中心思想是:提供一种⑶测量标记，包括两个第一标记和两个第二标记，所述第一标记和第二标记交替分布于一曝光单元的四个顶角处，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记，所述第二标记包括第三子标记和第四子标记，所述第一子标记、第二子标记、第三子标记和第四子标记均呈直角折线状，并且，所述第一子标记的弯折处具有缺口。如此设计可以使得CD测量标记在测量时，由于缺口的存在，有着较为明显的对比度，那么与程式中已由图形的对齐就容易且精确。下面对本技术做详细介绍。请参考图3所示的第一实施例，本技术的CD测量标记包括两个第一标记41和两个第二标记42，两个第一标记41和两个第二标记42间隔分布于曝光单元30四个顺序排列的顶角A、B、C、D处；其中，所述第一标记41包括第一子标记411，所述第一字标记411具有缺口 50。在曝光完成后，四个曝光单元30相邻顶角处的共两当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种关键尺寸测量标记，其特征在于，包括两个第一标记和两个第二标记，所述第一标记和第二标记交替分布于一曝光单元的四个顶角处，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记，所述第二标记包括第三子标记和第四子标记，所述第一子标记、第二子标记、第三子标记和第四子标记均呈直角折线状，并且，所述第一子标记的弯折处具有缺口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢滨，张士健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11