本发明专利技术公开了一种手机的LED驱动电路，包括运算放大器、MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一LED灯和第二LED灯，通过调节基带芯片的PWM的占空比，改变运算放大器正输入端的电压，从而调整流过MOS管的电流，然而最终分配LED灯组中各个LED灯电流也会因此调整，实现了自动调节LED灯的亮度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED灯亮度调节
，特别涉及一种手机的LED驱动电路。
技术介绍
随着手机设计技术的日益成熟，使得手机成本控制更加严格。目前手机上常用的IXD背光都需要一颗专用的驱动IC来控制IXD背光LED的亮度。比如并联式LED通常采用具有升压功能的IC来驱动，使用这种IC虽然可以达到所需要的要求，但是成本比较高，而且需要比较多的外围器件。因而现有技术还有待改进和提尚。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种手机的LED驱动电路，能减少一个LED驱动1C，从而降低手机的成本。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案:一种手机的LED驱动电路，其包括运算放大器、MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一 LED灯和第二 LED灯；所述运算放大器的正输入端通过第二电阻连接第一电阻的一端和第一电容的一端，所述第一电阻的另一端与手机的基带芯片连接，第一电容的另一端接地，所述运算放大器的负输入端通过第三电阻接地，运算放大器的输出端通过第四电阻连接所述MOS管的栅极，MOS管的漏极连接VBAT供电端，MOS管的源极连接第一 LED灯的正极和第二 LED灯的正极，第一 LED灯的负极和第二 LED灯的负极均接地。所述的手机的LED驱动电路，还包括第二电容，所述第二电容的一端连接MOS管的栅极，第二电容的另一端接地。所述的手机的LED驱动电路中，所述第二电容的容值为100nF。所述的手机的LED驱动电路中，所述MOS管为N MOS管。所述的手机的LED驱动电路中，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为1K Ω。所述的手机的LED驱动电路中，所述第一电容的容值为10uF。所述的手机的LED驱动电路中，在第一 LED的正极和MOS管的源极之间串联有第五电阻，在第二 LED的正极和MOS管的源极之间串联有第六电阻。本专利技术提供的手机的LED驱动电路，通过调节基带芯片的PWM(Pulse WidthModulat1n，脉冲宽度调制)的占空比，改变运算放大器正输入端的电压，从而调整流过MOS管的电流，然而最终分配LED灯组中各个LED灯电流也会因此调整，实现了自动调节LED灯的亮度。【附图说明】图1为本专利技术自动调节手机LED亮度电路的电路结构图。【具体实施方式】本专利技术提供一种手机的LED驱动电路，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术的LED驱动电路，主要用于自动调节手机上LCD背光和手机键盘背光的亮度，请参阅图1，该LED驱动电路包括运算放大器Al、MOS管Ql、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容Cl、第一 LED灯Dl和第二 LED灯D2。所述手机包括一基带芯片120，该基带芯片用于产生PWM信号。所述运算放大器Al的型号为LF412，其正输入端通过第二电阻R2连接第一电阻Rl的一端和第一电容Cl的一端，所述第一电阻Rl的另一端与手机的基带芯片连接，第一电容Cl的另一端接地，所述运算放大器Al的负输入端通过第三电阻R3接地，运算放大器Al的输出端通过第四电阻R4连接所述MOS管Ql的栅极，MOS管Ql的漏极连接VBAT供电端，MOS管Ql的源极连接第一 LED灯Dl的正极和第二 LED灯D2的正极，第一 LED灯Dl的负极和第二 LED灯D2的负极均接地。本专利技术的手机的LED驱动电路中，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为10ΚΩ，所述第一电容的容值为10uF，由第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容Cl进行积分处理，将基带芯片将数字信号变为模拟信号，再由运算放大器Al放大驱动MOS管Ql导通，并控制流过MOS管的电流，通过控制MOS管的电流的大小，来调节第一 LED灯Dl和第二 LED灯D2的亮度。其中，第一 LED灯Dl和第二 LED灯D2可作用手机的IXD背光，PWM信号由所述基带芯片120产生，该PWM信号的频率可以在500-50KHZ (千赫兹)之间，根据PWM信号的电流大小来调节LED灯的亮度。本实施例中，MOS管Ql为N MOS管，并且在该LED驱动电路中主要起开关作用，所以该MOS管Ql的电阻很小，在本驱动电路中可以忽略。并且，由于LED灯在导通时电阻很小。请继续参阅图1，本专利技术的手机的LED驱动电路还包括第二电容C2，所述第二电容C2的一端连接MOS管Ql的栅极，第二电容C2的另一端接地。所述第二电容的容值为10nF,主要起滤波作用，使MOS管驱动电流稳定，从而避免LED灯亮度后产生闪烁现象。进一步的，在第一 LED的正极和MOS管的源极之间串联有第五电阻R5在第二 LED的正极和MOS管的源极之间串联有第六电阻R6。所述第五电阻R5和第六电阻R6为限流电阻，防止烧坏LED灯。综上所述，本专利技术提供的手机的LED驱动电路，通过调节基带芯片的PWM(PUlseWidth Modulat1n，脉冲宽度调制)的占空比，改变运算放大器正输入端的电压，从而调整流过MOS管的电流，然而最终分配LED灯组中各个LED灯电流也会因此调整，实现了自动调节LED灯的亮度。本专利技术LED驱动电路的LED灯亮度控制方式非常简单，并且减少了一个IC及其外围器件，节约了手机的成本，增加了手机在市场上的竞争力。可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本专利技术所附的权利要求的保护范围。【主权项】1.一种手机的LED驱动电路，其特征在于，包括运算放大器、MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一 LED灯和第二 LED灯；所述运算放大器的正输入端通过第二电阻连接第一电阻的一端和第一电容的一端，所述第一电阻的另一端与手机的基带芯片连接，第一电容的另一端接地，所述运算放大器的负输入端通过第三电阻接地，运算放大器的输出端通过第四电阻连接所述MOS管的栅极，MOS管的漏极连接VBAT供电端，MOS管的源极连接第一 LED灯的正极和第二 LED灯的正极，第一 LED灯的负极和第二 LED灯的负极均接地。2.根据权利要求1所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容的一端连接MOS管的栅极，第二电容的另一端接地。3.根据权利要求2所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，所述第二电容的容值为10nF04.根据权利要求1所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。5.根据权利要求1所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为1K Ω。6.根据权利要求1所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，所述第一电容的容值为1uFo7.根据权利要求1所述的手机的LED驱动电路，其特征在于，在第一LED的正极和MOS管的源极之间串联有第五电阻，在第二 LED的正极和MOS管的源极之间串联有第六电阻。【专利摘要】本专利技术公开了一种手机的LED驱动电路，包括运算放大器、MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一LED灯和第二LED灯，通过调节基带芯片的PWM的占本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种手机的LED驱动电路，其特征在于，包括运算放大器、MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一LED灯和第二LED灯；所述运算放大器的正输入端通过第二电阻连接第一电阻的一端和第一电容的一端，所述第一电阻的另一端与手机的基带芯片连接，第一电容的另一端接地，所述运算放大器的负输入端通过第三电阻接地，运算放大器的输出端通过第四电阻连接所述MOS管的栅极，MOS管的漏极连接VBAT供电端，MOS管的源极连接第一LED灯的正极和第二LED灯的正极，第一LED灯的负极和第二LED灯的负极均接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邝嘉怡，
申请(专利权)人：邝嘉怡，
类型：发明
国别省市：广东;44
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