一种电流抑制电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种电流抑制电路，包括第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流。所述第一级浪涌电流抑制电路设计基于高分子化合物的固有特性来实现；第二级浪涌电流抑制电路利用MOS管的特性，通过延时电路来控制MOS管G极电压，调整MOS管内部电阻，实现浪涌电流的抑制。本实用新型专利技术提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微电子
，涉及一种电流抑制电路，尤其涉及一种双重浪涌电流抑制电路。
技术介绍
在电子产品设计中，产品上电瞬间会产生浪涌电流，过大的浪涌电流严重影响了整个系统的可靠性。严重情况将出现供电电源进入过流保护状态，电源反复开关等现象。有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的浪涌电流抑制电路，以便克服现有电子产品中产生的浪涌电流。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种电流抑制电路，可对浪涌电流有调节作用。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案:一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括:第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接；所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流；所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl ;延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Ql ;NTC热敏电阻Rl的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Ql的源极；第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Ql的源极，第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Ql的栅极，第三电阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏极连接负载，P-MOS管Ql的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括:第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接； 所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流。作为本技术的一种优选方案，所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电PlRlo作为本技术的一种优选方案，延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路。作为本技术的一种优选方案，第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1。作为本技术的一种优选方案，所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl ;延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Ql ；NTC热敏电阻Rl的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Ql的源极；第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Ql的源极，第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Ql的栅极，第三电阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏极连接负载。作为本技术的一种优选方案，所述延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Ql ;所述延时开关电路利用电容特性、RC电路充放电原理，MOS管的开启电压特性来实现；设备上电瞬间，利用第一电容Cl、第二电容C2不能突变的特性，输入的电源电压加载在P-MOS管Ql的G级，让MOS管处于关闭状态；紧接着，第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2组成充电电路，P-MOS管Ql上G级的电压随着RC上充电电压值变化，当VGS电压由等效于电源输入电压，过渡到第一电阻Rl与第二电阻R2分压后的电压；P_M0S管Ql内部等效导通电阻Rdson也由最大值慢慢减小，从而抑制浪涌电流的大小，对P-MOS管进行延时开启。本技术的有益效果在于:本技术提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。双重浪涌电流抑制，在特定的行业应用中具有很好的优势。比如在石油，煤炭，化工等行业，电源的带载能力相比民用的电源弱。所以，在上电过程中，对后端的浪涌抑制的要求更加严苛，以免导致电源进入保护状态。目前在产品设计中采用的浪涌设计均有局限性，本设计在以下方便具有优势:1、解决了异常反复快速开关机浪涌设计失效；2、可配置，可通过调整RC的物料规格，来达到预期的效果；3、相比较其他浪涌设计，可使用较低规格的MOS管，降低成本。【附图说明】图1为本技术电流抑制电路的组成示意图。图2为热敏电阻产生的热量与电阻阻值的示意图。图3为MOS的内阻与VGS电压之间的特性示意图。图4为本技术电流抑制电路的电路不意图。【具体实施方式】下面结合附图详细说明本技术的优选实施例。实施例一请参阅图1，本技术揭示了一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括:第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路。第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接。所述第一级浪涌电流抑制电路设计基于高分子化合物的固有特性来实现；第二级浪涌电流抑制电路利用MOS管的特性，通过延时电路来控制MOS管G极电压，调整MOS管内部电阻，实现浪涌电流的抑制。当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接；所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流；所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P‑MOS管Q1；NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P‑MOS管Q1的源极；第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P‑MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P‑MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P‑MOS管Q1的漏极连接负载，P‑MOS管Q1的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹红光，
申请(专利权)人：引通通讯科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31