本发明专利技术提出了一种电子负载MOS管防浪涌电路，包括MOS管、二极管和被测电源，在所述MOS管的漏极加一个第一电压，所述第一电压与被测电源通过所述二极管进行隔离，所述第一电压大于或等于所述被测电源的电压。实施本发明专利技术的电子负载MOS管防浪涌电路，具有以下有益效果：能防止意外浪涌脉冲现象、电子负载更加理想化。
【技术实现步骤摘要】
一种电子负载MOS管防浪涌电路
本专利技术涉及浪涌抑制领域，特别涉及一种电子负载MOS管防浪涌电路。
技术介绍
目前，传统的电源电子负载电路设计方案中，利用MOS管的导通内阻作为电源的负载，其控制方便和实现简便，广泛得到使用者的赞同。但目前在业界电子负载机所使用的MOS管不是理想的开关，其结电容会造成上电瞬间的浪涌，若被测电源是以脉冲波方式输出，其结电容及MOS管的米勒效应会对脉冲产生较大的浪涌，致使被测电源因过流产生保护动作，因此造成电子负载受到了一定的使用局限性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述MOS管结电容造成意外浪涌脉冲现象、电子负载不能做到理想化的缺陷，提供一种能防止意外浪涌脉冲现象、电子负载更加理想化的电子负载MOS管防浪涌电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种电子负载MOS管防浪涌电路，包括MOS管、二极管和被测电源，在所述MOS管的漏极加一个第一电压，所述第一电压与被测电源通过所述二极管进行隔离，所述第一电压大于或等于所述被测电源的电压。在本专利技术所述的电子负载MOS管防浪涌电路中，还包括限流电阻，所述MOS管的漏极通过所述限流电阻加入所述第一电压，所述MOS管的漏极还通过所述二极管与所述被测电源连接。在本专利技术所述的电子负载MOS管防浪涌电路中，所述MOS管的漏极与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述被测电源的正极连接，所述MOS管的源极与所述被测电源的负极连接。在本专利技术所述的电子负载MOS管防浪涌电路中，所述MOS管为N沟道MOS管。在本专利技术所述的电子负载MOS管防浪涌电路中，还包括控制电路，所述控制电路与所述MOS管的栅极连接、用于控制所述MOS管的导通程度。在本专利技术所述的电子负载MOS管防浪涌电路中，所述第一电压为400V。实施本专利技术的电子负载MOS管防浪涌电路，具有以下有益效果：由于在MOS管的漏极加一个第一电压，该第一电压与被测电源通过二极管进行隔离，且第一电压大于或等于被测电源的电压，在被测电源上电启动时由于MOS管的漏极已经加入一个较高的电压，MOS管上的分布电容已经充满电荷，不再出现瞬间浪涌电流，所以其能防止意外浪涌脉冲现象、电子负载更加理想化。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为MOS管的示意图；图2为本专利技术电子负载MOS管防浪涌电路一个实施例中的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在传统的电子负载中，用MOS管的开通线性区来控制电流，利用MOS管的导通内阻的大小来控制电流实现模拟负载，但MOS管是非理想的功率开关器件，它的一些分布参数会带来意外的问题。如图1所示，控制栅极G的电压改变漏极D和源极S之间的导通内阻可以作为电源的负载，但电源刚接入电路或电源刚启动建立电压的瞬间，由于MOS管各极间的电容对瞬变的电压进行分压，当漏极D接入较高的脉冲电压瞬间，栅极G和源极S之间的结电容CGS有可能分得几伏甚至十几伏的电压，这时MOS管失控瞬间导通，导致漏极D和源极S之间瞬间产生较大的电流，显然这不是我们想要的结果。为了解决上述目前电子负载因MOS管结电容造成的意外浪涌脉冲问题，在本专利技术电子负载MOS管防浪涌电路实施例中，其电子负载MOS管防浪涌电路的结构示意图如图2所示。图2中，该电子负载MOS管防浪涌电路包括MOS管、二极管D1和被测电源，在MOS管的漏极D加一个第一电压VCC，第一电压VCC与被测电源通过二极管D1进行隔离，第一电压VCC大于或等于被测电源的电压。由于在模拟负载MOS管的漏极D上预先加一个大于或等于被测电源的第一电压，用二极管D1隔离，在被测电源上电启动时由于MOS的漏极D已经加入一个较高的电压，MOS管上的分布电容已经充满电荷，其不再出现瞬间浪涌电流，所以其能防止意外浪涌脉冲现象。本实施例中，该电子负载MOS管防浪涌电路还包括限流电阻R1，MOS管的漏极D通过限流电阻R1加入第一电压VCC，MOS管的漏极D还通过二极管D1与被测电源连接。具体的，MOS管的漏极D与二极管D1的阴极连接，二极管D1的阳极与被测电源的正极连接，MOS管的源极S与被测电源的负极连接。本实施例中的MOS管为N沟道MOS管。当然，在本实施例的一些情况下，上述MOS管也可以为P沟道MOS管，但这时电路中各元器件的之间的连接关系也要相应发生变化。值得一提的是，本实施例中，该电子负载MOS管防浪涌电路还包括控制电路(图中未示出)，该控制电路与MOS管的栅极G连接、用于控制MOS管的导通程度，同时作为电子负载。本实施例中，上述加入的第一电压的大小为400V。当然，在本实施例的一些情况下，第一电压的大小可根据具体情况进行相应调整，其选择方式比较灵活。总之，在本实施例中，使用较少的元器件消除了MOS管结电容造成意外浪涌脉冲现象，其电路结构简单，成本较低，效果较好，使电子负载更接近理想化。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，包括MOS管、二极管和被测电源，在所述MOS管的漏极加一个第一电压，所述第一电压与被测电源通过所述二极管进行隔离，所述第一电压大于或等于所述被测电源的电压。
【技术特征摘要】
1.一种电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，包括MOS管、二极管和被测电源，在所述MOS管的漏极加一个第一电压，所述第一电压与被测电源通过所述二极管进行隔离，所述第一电压大于或等于所述被测电源的电压；还包括限流电阻，所述MOS管的漏极通过所述限流电阻加入所述第一电压，所述MOS管的漏极还通过所述二极管与所述被测电源连接。2.根据权利要求1所述的电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，所述MOS管的漏极与所述二极管的阴...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏晨光，吴涛，黄明雄，石利军，
申请(专利权)人：深圳市中科源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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